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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RQ5H020SPTL	0.5900	RFQ	6	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RQ5H020	MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	45 v	2A（TA）	4V，10V	190mohm @ 2a，10v	3V @ 1mA	9.5 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 10 V	-	540MW（TA）
2SC4617E3TLQ	0.3600	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	2SC4617		150兆	EMT3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
US5U2TR	0.2512	RFQ	6259	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD（5条线），平坦的铅	US5U2	MOSFET （金属 o化物）		Tumt5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	1.4a（ta）	4V，10V	240MOHM @ 1.4A，10V	2.5V @ 1mA	2 NC @ 5 V	±20V	70 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1W（ta）
US6M1TR	0.6700	RFQ	12	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	US6M1	MOSFET （金属 o化物）	1W	Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		30V，20V	1.4a，1a		240MOHM @ 1.4A，10V	2.5V @ 1mA	2NC @ 5V		70pf @ 10V	逻辑级别门
2SCR513P5T100	0.5200	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SCR513		500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													50 V	1 a	1µA（ICBO）	NPN	350mv @ 25mA，500mA	180 @ 50mA，2V	360MHz
R6520ENZC17	6.1700	RFQ	300	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6520	MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6520ENZC17	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	20A（TC）	10V	205mohm @ 9.5A，10V	4V @ 630µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	68W（TC）
EMB75T2R	0.4700	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMB75		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50V	100mA	500NA	2 PNP-）	150MV @ 500µA，5mA	80 @ 5mA，10v	250MHz	4.7kohms	47kohms
2SAR293PFRAT100	0.5000	RFQ	45	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SAR293		500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													30 V	1 a	100NA（ICBO）	PNP	350mv @ 25mA，500mA	270 @ 100mA，2V	320MHz
RS1E320GNTB	0.5968	RFQ	9833	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	RS1E	MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	32a（ta）	4.5V，10V	1.9MOHM @ 32A，10V	2.5V @ 1mA	42.8 NC @ 10 V	±20V	2850 pf @ 15 V	-	（3w（ta），34.6W（TC）
RSJ550N10TL	4.3200	RFQ	958	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	RSJ550	MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	55A（ta）	4V，10V	16.8mohm @ 27.5A，10V	2.5V @ 1mA	143 NC @ 10 V	±20V	6150 pf @ 25 V	-	100W（TC）
RRS090N03FU7TB1	-	RFQ	8919	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-RRS090N03FU7TB1TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	9a（9a）	4V，10V	19mohm @ 9a，10v	2.5V @ 1mA	18 nc @ 5 V	±20V	1450 pf @ 10 V	-	2W（TA）
2SD2673TL	0.7000	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	2SD2673		1 w	TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000													30 V	3 a	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 30mA，1.5a	270 @ 200ma，2V	200MHz
SCT4045DW7HRTL	15.1500	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA		sicfet （碳化硅）		TO-263-7L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	750 v	31a（TC）	18V	59mohm @ 17a，18v	4.8V @ 8.89mA	63 NC @ 18 V	+21V，-4V	1460 pf @ 500 V	-	93W
DTB113ESTP	-	RFQ	3800	Rohm半导体	-	（CT）	过时的		通过洞	SC-72形成铅	DTB113		300兆	spt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													50 V	500 MA	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	33 @ 50mA，5V	200 MHz	1 kohms	1 kohms
DTD143TKT146	0.4400	RFQ	55	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTD143		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	500 MA	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	100 @ 50mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯
SP8M4FU6TB	-	RFQ	7977	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8M4	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V	9a，7a		18mohm @ 9a，10v	2.5V @ 1mA	21nc @ 5V		1190pf @ 10V	逻辑级别门
DTC023JEBTL	0.1900	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-89，SOT-490	DTC023		150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	-	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	80 @ 5mA，10v	250 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
2SA1515STPR	-	RFQ	3279	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-72形成铅			300兆	spt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													32 v	1 a	500NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	180 @ 100mA，3v	150MHz
EMH59T2R	0.0801	RFQ	1426	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMH59		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	150MV @ 500µA，5mA	80 @ 5mA，10v	250MHz	10KOHMS	47kohms
SCT4026DEC11	22.3100	RFQ	450	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT4026	sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT4026DEC11	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	750 v	56A（TC）	18V	34mohm @ 29a，18v	4.8V @ 15.4mA	94 NC @ 18 V	+21V，-4V	2320 PF @ 500 V	-	176W
DTC124EU3HZGT106	0.0683	RFQ	5543	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTC124		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
FMW1T148	-	RFQ	5146	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	FMW1		300MW	SMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50V	150mA	100NA（ICBO）	2 NPN （双）	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
RQ6E035SPTR	0.6600	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RQ6E035	MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	3.5A（ta）	4V，10V	65MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	9.2 NC @ 5 V	±20V	780 pf @ 10 V	-	950MW（TA）
2SB1707TL	0.8200	RFQ	2698	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	2SB1707		500兆	TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													12 v	4 a	100NA（ICBO）	PNP	250mv @ 40mA，2a	270 @ 200ma，2V	250MHz
2SCR567F3TR	1.2100	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子			1 w	HUML2020L3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000													120 v	2.5 a	1µA（ICBO）	NPN	200mv @ 80mA，800mA	120 @ 100mA，5V	220MHz
DTA114TCAT116	0.0488	RFQ	9887	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTA114		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
2SA2072TLQ	0.3825	RFQ	8173	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SA2072		1 w	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													60 V	3 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	120 @ 100mA，2V	180MHz
RTL035N03TR	0.6400	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RTL035	MOSFET （金属 o化物）		Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	56mohm @ 3.5A，4.5V	1.5V @ 1mA	6.4 NC @ 4.5 V	±12V	350 pf @ 10 V	-	1W（ta）
DTA143ZMFHAT2L	0.2400	RFQ	35	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	DTA143		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000														100 ma	-	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
DTA114EBT2L	-	RFQ	8197	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-923F	DTA114		150兆	VMN3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	846-DTA114EBT2LTR			8,000													50 V	100 ma	500NA	pnp- +二极管	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²