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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RP1E090RPTR	-	RFQ	5209	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RP1E090	MOSFET （金属 o化物）		MPT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	30 V	9a（9a）	4V，10V	16.9mohm @ 9a，10v	2.5V @ 1mA	30 NC @ 5 V	±20V	3000 pf @ 10 V	-	2W（TA）
2SB1198KT146R	0.3900	RFQ	20	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SB1198		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													80 V	500 MA	500NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	180 @ 100mA，3v	180MHz
RQ3P300BHTB1	2.4200	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	RQ3P300	MOSFET （金属 o化物）		8-hsmt（3.2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	39a（ta）	6V，10V	15.5mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	36 NC @ 10 V	±20V	2040 pf @ 50 V	-	2W（TA）
2SD1858TV2P	-	RFQ	3243	Rohm半导体	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP			1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													32 v	1 a	500NA（ICBO）	NPN	400mv @ 50mA，500mA	82 @ 100mA，3v	150MHz
R6024ENZC17	6.3700	RFQ	300	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6024	MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6024ENZC17	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	24A（TC）	10V	165mohm @ 11.3a，10v	4V @ 1mA	70 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	120W（TC）
EMH59T2R	0.0801	RFQ	1426	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMH59		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	150MV @ 500µA，5mA	80 @ 5mA，10v	250MHz	10KOHMS	47kohms
DTB113ZKT146	0.3900	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTB113		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	500 MA	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	56 @ 50mA，5V	200 MHz	1 kohms	10 kohms
SCT4026DEC11	22.3100	RFQ	450	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT4026	sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT4026DEC11	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	750 v	56A（TC）	18V	34mohm @ 29a，18v	4.8V @ 15.4mA	94 NC @ 18 V	+21V，-4V	2320 PF @ 500 V	-	176W
2SD2673TL	0.7000	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	2SD2673		1 w	TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000													30 V	3 a	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 30mA，1.5a	270 @ 200ma，2V	200MHz
SH8M11TB1	0.3152	RFQ	8795	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8M11	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V	3.5a		98MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	1.9nc @ 5V		85pf @ 10V	逻辑级别门
SCT4045DW7HRTL	15.1500	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA		sicfet （碳化硅）		TO-263-7L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	750 v	31a（TC）	18V	59mohm @ 17a，18v	4.8V @ 8.89mA	63 NC @ 18 V	+21V，-4V	1460 pf @ 500 V	-	93W
RQ6E035SPTR	0.6600	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RQ6E035	MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	3.5A（ta）	4V，10V	65MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	9.2 NC @ 5 V	±20V	780 pf @ 10 V	-	950MW（TA）
2SA1515STPR	-	RFQ	3279	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-72形成铅			300兆	spt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													32 v	1 a	500NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	180 @ 100mA，3v	150MHz
EMG6T2R	0.0801	RFQ	3200	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-SMD（5条线），平坦的铅	EMG6T2		150MW	EMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50V	100mA	500NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250MHz	47kohms	-
FMW1T148	-	RFQ	5146	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	FMW1		300MW	SMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50V	150mA	100NA（ICBO）	2 NPN （双）	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
DTB113ESTP	-	RFQ	3800	Rohm半导体	-	（CT）	过时的		通过洞	SC-72形成铅	DTB113		300兆	spt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													50 V	500 MA	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	33 @ 50mA，5V	200 MHz	1 kohms	1 kohms
DTC124EU3HZGT106	0.0683	RFQ	5543	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTC124		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
2SC2062STPC	-	RFQ	1218	Rohm半导体	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-72形成铅	2SC2062		300兆	spt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													32 v	300 MA	100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1.4V @ 200µA，200mA	10000 @ 100mA，3V	200MHz
2SB1243TV2Q	-	RFQ	1142	Rohm半导体	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SB1243		1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													50 V	3 a	1µA（ICBO）	PNP	1V @ 200mA，2a	120 @ 500mA，3v	70MHz
DTC023JEBTL	0.1900	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-89，SOT-490	DTC023		150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	-	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	80 @ 5mA，10v	250 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
2SD1857ATV2Q	-	RFQ	2811	Rohm半导体	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SD1857		1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													160 v	1.5 a	1µA（ICBO）	NPN	2V @ 100mA，1a	120 @ 100mA，5V	80MHz
DTA143ZCAHZGT116	0.3700	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTA143		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
2SAR572DGTL	0.4425	RFQ	2385	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SAR572		10 W	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													30 V	5 a	1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 100mA，2a	200 @ 500mA，3V	300MHz
2SB1184TLP	0.3151	RFQ	3924	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SB1184		1 w	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													50 V	3 a	1µA（ICBO）	PNP	1V @ 200mA，2a	82 @ 500mA，3v	70MHz
FMS1AT148	0.1382	RFQ	6466	Rohm半导体	*	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计				FMS1AT148				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
BCW60DT116	-	RFQ	1000	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW60			SST3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													32 v	200 ma	-	NPN	-	380 @ 2mA，5V	125MHz
2SC5662T2LP	0.4700	RFQ	731	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	2SC5662		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													11 V	50 mA	500NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，10mA	82 @ 5mA，10v	3.2GHz
QSL11TR	0.2360	RFQ	5178	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	QSL11		900兆	TSMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	1 a	100NA（ICBO）	PNP	350mv @ 25mA，500mA	270 @ 100mA，2V	320MHz
umg5ntr	0.3800	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	UMG5		150MW	UMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	68 @ 5mA，5V	250MHz	10KOHMS	47kohms
2SA1514KT146R	0.4200	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SA1514		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													120 v	50 mA	500NA（ICBO）	PNP	500mv @ 1mA，10mA	180 @ 2mA，6v	140MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²