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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
R6511ENJTL Rohm Semiconductor R6511enjtl 4.0600
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB R6511 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 650 v 11A（TC） 10V 400MOHM @ 3.8A，10V 4V @ 320µA 32 NC @ 10 V ±20V 670 pf @ 25 V - 124W（TC）
SSTA13T116 Rohm Semiconductor SSTA13T116 0.1434
RFQ
 ECAD 9957 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSTA13 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 300 MA 100NA（ICBO） npn-达灵顿 1.5V @ 100µA，100mA 10000 @ 100mA，5V 125MHz
DTB743ZMT2L Rohm Semiconductor DTB743ZMT2L 0.1035
RFQ
 ECAD 3635 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SOT-723 DTB743 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 30 V 200 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 2.5mA，50mA 140 @ 100mA，2V 260 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
DTB113ZKT146 Rohm Semiconductor DTB113ZKT146 0.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTB113 200兆 SMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 500 MA 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 2.5mA，50mA 56 @ 50mA，5V 200 MHz 1 kohms 10 kohms
RSJ450N04TL Rohm Semiconductor RSJ450N04TL 1.2439
RFQ
 ECAD 7358 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RSJ450 MOSFET （金属 o化物） LPT - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 45A（TA） 10V 13.5MOHM @ 25A，10V 3V @ 1mA 43 NC @ 10 V ±20V 2400 PF @ 25 V - 50W（TC）
R6515KNXC7G Rohm Semiconductor R6515knxc7g 3.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6515 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6515KNXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 15A（TA） 10V 315MOHM @ 6.5A，10V 5V @ 430µA 27.5 NC @ 10 V ±20V 1050 pf @ 25 V - 60W（TC）
2SC4617EBTLQ Rohm Semiconductor 2SC4617EBTLQ 0.2600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SC-89，SOT-490 2SC4617 150兆 EMT3F（SOT-416FL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） NPN 400mv @ 5mA，50mA 120 @ 1mA，6v 180MHz
RD3P175SNFRATL Rohm Semiconductor RD3P175SNFRATL 1.6100
RFQ
 ECAD 7457 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RD3P175 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 17.5A（TA） 4V，10V 105MOHM @ 8.8A，10V 2.5V @ 1mA 24 NC @ 10 V ±20V 950 pf @ 25 V - 20W（TC）
HS8K11TB Rohm Semiconductor HS8K11TB 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 HS8K11 MOSFET （金属 o化物） 2W HSML3030L10 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 7a，11a 17.9mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 11.1nc @ 10V 500pf @ 15V 逻辑级别门
BSS64AHZGT116 Rohm Semiconductor BSS64AHZGT116 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BSS64 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 100 v 100 ma 100NA（ICBO） NPN 300mv @ 10mA，100mA 30 @ 25mA，1V 140MHz
RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor rv1c002unt2cl 0.4000
RFQ
 ECAD 831 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 RV1C002 MOSFET （金属 o化物） VML0806 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 n通道 20 v 150mA（ta） 1.2V，4.5V 2ohm @ 150mA，4.5V 1V @ 100µA ±8V 12 pf @ 10 V - 100mW（TA）
RUF020N02TL Rohm Semiconductor RUF020N02TL 0.4100
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 RUF020 MOSFET （金属 o化物） Tumt3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 2A（TA） 1.5V，4.5V 105MOHM @ 2A，4.5V 1V @ 1mA 2 NC @ 4.5 V ±10V 180 pf @ 10 V - 320MW（TA）
EMF17T2R Rohm Semiconductor EMF17T2R 0.1035
RFQ
 ECAD 4005 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMF17 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA，150mA 500NA 1 NPN预偏，1 pnp 300mv @ 500µA，10mA / 500mv @ 5mA，50mA 20 @ 20mA，5v / 180 @ 1mA，6v 250MHz，140MHz 2.2kohms 2.2kohms
2SAR552PFRAT100 Rohm Semiconductor 2SAR552PFRAT100 0.5700
RFQ
 ECAD 858 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SAR552 500兆 MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 30 V 3 a 1µA（ICBO） PNP 400mv @ 50mA，1a 200 @ 500mA，2V 330MHz
RGTV60TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTV60TS65GC11 5.1400
RFQ
 ECAD 168 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGTV60 标准 194 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，30a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 60 a 120 a 1.9V @ 15V，30a （570µJ）（在500µJ上） 64 NC 33NS/105NS
DTC114YKAT146 Rohm Semiconductor DTC114YKAT146 0.2600
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTC114 200兆 SMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 10 kohms 47科姆斯
2SCR375P5T100R Rohm Semiconductor 2SCR375P5T100R 0.6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SCR375 500兆 MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 120 v 1.5 a 1µA（ICBO） NPN 300mv @ 80mA，800mA 180 @ 200ma，5V 200MHz
2SCR375P5T100Q Rohm Semiconductor 2SCR375P5T100Q 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SCR375 500兆 MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 120 v 1.5 a 1µA（ICBO） NPN 300mv @ 80mA，800mA 120 @ 200ma，5V 200MHz
US5U2TR Rohm Semiconductor US5U2TR 0.2512
RFQ
 ECAD 6259 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 US5U2 MOSFET （金属 o化物） Tumt5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 1.4a（ta） 4V，10V 240MOHM @ 1.4A，10V 2.5V @ 1mA 2 NC @ 5 V ±20V 70 pf @ 10 V Schottky 二极管（孤立） 1W（ta）
RQ1A070APTR Rohm Semiconductor RQ1A070APTR 0.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 RQ1A070 MOSFET （金属 o化物） TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 12 v 7a（ta） 1.5V，4.5V 14mohm @ 7A，4.5V 1V @ 1mA 80 NC @ 4.5 V -8V 7800 PF @ 6 V - 550MW（TA）
RP1E100RPTR Rohm Semiconductor RP1E100RPTR -
RFQ
 ECAD 1906年 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 RP1E0100 MOSFET （金属 o化物） MPT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 30 V 10a（10a） 10V 12.6mohm @ 10a，10v 2.5V @ 1mA 39 NC @ 5 V ±20V 3600 PF @ 10 V - 2W（TA）
SH8K15TB1 Rohm Semiconductor SH8K15TB1 0.5880
RFQ
 ECAD 7763 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8K15 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 9a 21mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA 8.5nc @ 5V 630pf @ 10V 逻辑级别门
2SAR586D3FRATL Rohm Semiconductor 2SAR586D3FRATL 1.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SAR586 10 W TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 80 V 5 a 1µA（ICBO） 320mv @ 100mA，2a 120 @ 500mA，3v
TT8K11TCR Rohm Semiconductor TT8K11TCR 0.5400
RFQ
 ECAD 4210 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TT8K11 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-TSST 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 3a 71MOHM @ 3A，10V 2.5V @ 1A 2.5NC @ 5V 140pf @ 10V 逻辑水平门，4V驱动器
RCD041N25TL Rohm Semiconductor RCD041N25TL 0.2664
RFQ
 ECAD 2286 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RCD041 MOSFET （金属 o化物） CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n通道 250 v 4A（TC） 10V 1.3OHM @ 2A，10V 5.5V @ 1mA 8.5 NC @ 10 V ±30V 350 pf @ 25 V - 850MW（ta），29W（tc）
VT6J1T2CR Rohm Semiconductor VT6J1T2CR 0.0832
RFQ
 ECAD 1938年 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 VT6J1 MOSFET （金属 o化物） 120MW VMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 2（p 通道（双） 20V 100mA 3.8OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 100µA - 15pf @ 10V 逻辑级别门，1.2V驱动器
2SD2150T100R Rohm Semiconductor 2SD2150T100R 0.2271
RFQ
 ECAD 5612 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SD2150 500兆 MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 20 v 3 a 100µA（ICBO） NPN 500mv @ 100mA，2a 180 @ 100mA，2V 290MHz
DTC115EUAT106 Rohm Semiconductor DTC115EUAT106 0.3000
RFQ
 ECAD 361 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SC-70，SOT-323 DTC115 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 20 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 82 @ 5mA，5V 250 MHz 100 kohms 100 kohms
UMH37NTN Rohm Semiconductor UMH37NTN 0.5300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMH37 150MW UMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 20V 400mA 500NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 100mv @ 3mA，30mA 820 @ 10mA，5V 35MHz 10KOHMS -
RCJ120N25TL Rohm Semiconductor RCJ120N25TL 0.9561
RFQ
 ECAD 3173 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RCJ120 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 n通道 250 v 12A（TC） 10V 235mohm @ 6a，10v 5V @ 1mA 35 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 25 V - 1.56W（ta），107W（tc）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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