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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SP8M24FRATB	1.8100	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8M24	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		45V	4.5A（ta），3.5a（ta）		46mohm @ 4.5a，10v，63mohm @ 3.5a，10v	2.5V @ 1mA	9.6nc @ 5v，18.2nc @ 5v		550pf @ 10V，1700pf @ 10V	-
2SB1443TV2Q	-	RFQ	8547	Rohm半导体	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP			1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													50 V	2 a	100NA（ICBO）	PNP	350mv @ 50mA，1a	120 @ 500mA，2V	200MHz
SP8J66FRATB	1.2240	RFQ	1793年	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8J66	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）			9a（9a）		18.5mohm @ 9a，10v	2.5V @ 1mA				-
DTD113ZCT116	0.3800	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTD113		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	500 MA	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	82 @ 50mA，5V	200 MHz	1 kohms	10 kohms
SCT2080KeHRC11	39.8900	RFQ	9310	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT2080	sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SCT2080KeHRC11Z	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	1200 v	40a（TC）	18V	117mohm @ 10a，18v	4V @ 4.4mA	106 NC @ 18 V	+22V，-6V	2080 pf @ 800 V	-	-
RSU002P03T106	0.4600	RFQ	6	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	RSU002	MOSFET （金属 o化物）		UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	250mA（ta）	4V，10V	1.4OHM @ 250mA，10V	2.5V @ 1mA		±20V	30 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
EMB3FHAT2R	0.3600	RFQ	7	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMB3FHAT2		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													50V	100mA	500NA（ICBO）	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250MHz	4.7kohms	-
RTR030N05TL	0.6000	RFQ	12	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RTR030	MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	45 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	67MOHM @ 3A，4.5V	1.5V @ 1mA	6.2 NC @ 4.5 V	±12V	510 pf @ 10 V	-	1W（ta）
2SAR523MT2L	0.3500	RFQ	17	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	2SAR523		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													50 V	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
SP8M51TB1	-	RFQ	4080	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8M51	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		100V	3a，2.5a		-	-	-		-	-
2SAR552PFRAT100	0.5700	RFQ	858	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SAR552		500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													30 V	3 a	1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 50mA，1a	200 @ 500mA，2V	330MHz
SP8K31HZGTB	1.4900	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8K31	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SP8K31HZGTBTR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	3.5A（ta）		120MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	5.2nc @ 5V		250pf @ 10V	-
UMT18NTR	0.4200	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UMT18		150MW	UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													12V	500mA	100NA（ICBO）	2 PNP （双）	250mv @ 10mA，200mA	270 @ 10mA，2V	260MHz
RCD075N19TL	1.0900	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RCD075	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	190 v	7.5A（TC）	4V，10V	336mohm @ 3.8A，10V	2.5V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	850MW（TA），20W（tc）
HS8MA2TCR1	1.0600	RFQ	750	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	HS8MA2	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	DFN3333-9DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n和p通道		30V	（5A）（ta），7a（ta）		80mohm @ 5.5a，10v，35mohm @ 7a，10v	2.5V @ 1mA	7.8NC @ 10V，8.4NC @ 10V		320pf @ 10V，365pf @ 10V	-
SH8K32TB1	1.7000	RFQ	10	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8K32	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOP（5.0x6.0）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	4.5a		65mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 1mA	10NC @ 5V		500pf @ 10V	逻辑级别门
RZL035P01TR	0.2801	RFQ	4909	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RZL035	MOSFET （金属 o化物）		Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	3.5A（ta）	1.5V，4.5V	36mohm @ 3.5A，4.5V	1V @ 1mA		±10V	1940 pf @ 6 V	-	1W（ta）
HS8K1TB	0.8800	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-udfn裸露的垫子	HS8K1	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	HSML3030L10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	10a（10a），（11a ta）		14.6mohm @ 10a，10v，11.8mohm @ 11a，10v	2.5V @ 1mA	6NC @ 10V，7.4NC @ 10V		348pf @ 15V，429pf @ 15V	-
SP8J62TB1	-	RFQ	4034	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				SP8J62	-			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-SP8J62TB1TR	过时的		2,500											-
QH8K51TR	1.0600	RFQ	16	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QH8K51	MOSFET （金属 o化物）	1.1W（TA）	TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		100V	2A（TA）		325MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 1mA	4.7nc @ 5V		290pf @ 25V	-
BCX53-16T100	0.7600	RFQ	995	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-	表面安装	TO-243AA	BCX53			MPT3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000															-	-	-	-	-
R6012anx	2.7470	RFQ	1736年	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6012	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	12a（12a）	10V	420MOHM @ 6A，10V	4.5V @ 1mA	35 NC @ 10 V	±30V	1300 pf @ 25 V	-	50W（TC）
RSM002P03T2L	0.4800	RFQ	32	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	RSM002	MOSFET （金属 o化物）		VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		P通道	30 V	200ma（ta）	4V，10V	1.4OHM @ 200mA，10v	2.5V @ 1mA		±20V	30 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
SP8K41HZGTB	2.0600	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8K41	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SP8K41HZGTBTR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		80V	3.4a（ta）		130MOHM @ 3.4A，10V	2.5V @ 1mA	6.6nc @ 5V		600pf @ 10V	-
SH8J31GZETB	1.7600	RFQ	27	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8J31	-	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		60V	4.5a		70MOHM @ 4.5A，10V	3V @ 1mA	40NC @ 10V		2500pf @ 10V	-
DTD123TSTP	-	RFQ	8266	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		通过洞	SC-72形成铅	DTD123		300兆	spt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													40 V	500 MA	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	100 @ 50mA，5V	200 MHz	2.2 kohms
RRR015P03TL	0.5200	RFQ	9	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RRR015	MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	1.5A（TA）	4V，10V	160MOHM @ 1.5A，10V	2.5V @ 1mA	6.5 NC @ 10 V	±20V	230 pf @ 10 V	-	540MW（TA）
dtc023yubtl	0.3000	RFQ	964	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-85	DTC023		200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	-	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	35 @ 5mA，10v	250 MHz	2.2 kohms	10 kohms
DTB723YETL	0.1049	RFQ	3457	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-75，SOT-416	DTB723		150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	200 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	140 @ 100mA，2V	260 MHz	2.2 kohms	10 kohms
RTQ035P02TR	0.2482	RFQ	9555	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RTQ035	MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	65mohm @ 3.5A，4.5V	2V @ 1mA	10.5 NC @ 4.5 V	±12V	1200 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²