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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
EM6K7T2R Rohm Semiconductor EM6K7T2R 0.5400
RFQ
 ECAD 589 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 EM6K7 MOSFET （金属 o化物） 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 2 n 通道（双） 20V 200mA 1.2OHM @ 200mA，2.5V 1V @ 1mA - 25pf @ 10V 逻辑级别门
EMZ1FHAT2R Rohm Semiconductor EMZ1FHAT2R 0.0967
RFQ
 ECAD 1483 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMZ1FHAT2 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50V 150mA 100NA（ICBO） NPN，PNP 400mv @ 5mA，50mA / 500mv @ 5mA，50mA 120 @ 1mA，6v 180MHz，140MHz
R6530KNZC8 Rohm Semiconductor R6530knzc8 -
RFQ
 ECAD 6614 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6530 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 846-R6530knzc8 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 30A（TC） 10V 140MOHM @ 14.5A，10V 5V @ 960µA 56 NC @ 10 V ±20V 2350 pf @ 25 V - 86W（TC）
RTQ025P02TR Rohm Semiconductor RTQ025P02TR 0.2451
RFQ
 ECAD 1205 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RTQ025 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 2.5a（ta） 2.5V，4.5V 100mohm @ 2.5a，4.5V 2V @ 1mA 6.4 NC @ 4.5 V ±12V 580 pf @ 10 V - 1.25W（TA）
2SAR523MT2L Rohm Semiconductor 2SAR523MT2L 0.3500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-723 2SAR523 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） PNP 400mv @ 5mA，50mA 120 @ 1mA，6v 300MHz
SP8M51TB1 Rohm Semiconductor SP8M51TB1 -
RFQ
 ECAD 4080 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M51 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 100V 3a，2.5a - - - - -
SST3904HZGT116 Rohm Semiconductor SST3904HZGT116 0.1900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SST3904 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 40 V 200 ma 50NA NPN 300mv @ 5mA，50mA 100 @ 10mA，1V 300MHz
RCD080N25TL Rohm Semiconductor RCD080N25TL 1.7100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RCD080 MOSFET （金属 o化物） CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 250 v 8a（8a） 10V 300MOHM @ 4A，10V 5V @ 1mA 25 NC @ 10 V ±30V 1440 pf @ 25 V - 850MW（TA），20W（tc）
R5009FNJTL Rohm Semiconductor R5009fnjtl 1.1754
RFQ
 ECAD 4105 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB R5009 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 500 v 9A（TC） 10V 840MOHM @ 4.5A，10V 4V @ 1mA 18 nc @ 10 V ±30V 630 pf @ 25 V - 50W（TC）
SH8K26GZ0TB1 Rohm Semiconductor SH8K26GZ0TB1 1.3200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8K26 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 6a（6a） 38mohm @ 6a，10v 2.5V @ 1mA 2.9nc @ 5V 280pf @ 10V -
QH8K51TR Rohm Semiconductor QH8K51TR 1.0600
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QH8K51 MOSFET （金属 o化物） 1.1W（TA） TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 2A（TA） 325MOHM @ 2A，10V 2.5V @ 1mA 4.7nc @ 5V 290pf @ 25V -
SP8J62TB1 Rohm Semiconductor SP8J62TB1 -
RFQ
 ECAD 4034 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 SP8J62 - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 846-SP8J62TB1TR 过时的 2,500 -
RSD080N06TL Rohm Semiconductor RSD080N06TL 0.5586
RFQ
 ECAD 4806 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RSD080 MOSFET （金属 o化物） CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 8a（8a） 4V，10V 80mohm @ 8a，10v 2.5V @ 1mA 9.4 NC @ 10 V ±20V 380 pf @ 10 V - 15W（TC）
RZL035P01TR Rohm Semiconductor RZL035P01TR 0.2801
RFQ
 ECAD 4909 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 RZL035 MOSFET （金属 o化物） Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 12 v 3.5A（ta） 1.5V，4.5V 36mohm @ 3.5A，4.5V 1V @ 1mA ±10V 1940 pf @ 6 V - 1W（ta）
SCT3080KRC15 Rohm Semiconductor SCT3080KRC15 2000年年1月15日
RFQ
 ECAD 7686 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 SCT3080 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247-4L 下载 3（168）） 到达不受影响 846-SCT3080KRC15 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 1200 v 31a（TJ） 18V 104mohm @ 10a，18v 5.6V @ 5mA 60 NC @ 18 V +22V，-4V 785 PF @ 800 V - 165W
HS8K1TB Rohm Semiconductor HS8K1TB 0.8800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 HS8K1 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） HSML3030L10 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 10a（10a），（11a ta） 14.6mohm @ 10a，10v，11.8mohm @ 11a，10v 2.5V @ 1mA 6NC @ 10V，7.4NC @ 10V 348pf @ 15V，429pf @ 15V -
HP8MA2TB1 Rohm Semiconductor HP8MA2TB1 1.8500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN HP8MA2 MOSFET （金属 o化物） （3W）（TA） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 18A（18A），（15a）（15A） 9.6mohm @ 18a，10v，17.9mohm @ 15a，10v 2.5V @ 1mA 22nc @ 10v，25nc @ 10V 1100pf @ 15V，1250pf @ 15V -
BCX53-16T100 Rohm Semiconductor BCX53-16T100 0.7600
RFQ
 ECAD 995 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 - 表面安装 TO-243AA BCX53 MPT3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 - - - - -
RSU002P03T106 Rohm Semiconductor RSU002P03T106 0.4600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 RSU002 MOSFET （金属 o化物） UMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 250mA（ta） 4V，10V 1.4OHM @ 250mA，10V 2.5V @ 1mA ±20V 30 pf @ 10 V - 200mw（ta）
R6515KNX3C16 Rohm Semiconductor R6515KNX3C16 3.5300
RFQ
 ECAD 956 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 R6515 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6515KNX3C16 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 15A（TC） 10V 315MOHM @ 6.5A，10V 5V @ 430µA 27.5 NC @ 10 V ±20V 1050 pf @ 25 V - 161W（TC）
TT8J2TR Rohm Semiconductor tt8j2tr 0.9800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TT8 MOSFET （金属 o化物） 1.25W 8-TSST 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 2.5a 84mohm @ 2.5a，10v 2.5V @ 1mA 4.8NC @ 5V 460pf @ 10V 逻辑级别门
R6004CNDTL Rohm Semiconductor R6004CNDTL 2.3100
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R6004 MOSFET （金属 o化物） CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 4A（ta） 10V 1.8Ohm @ 2a，10v 4.5V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±25V 280 pf @ 25 V - 40W（TC）
RGTV00TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTV00TS65GC11 6.2400
RFQ
 ECAD 6096 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGTV00 标准 276 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 400V，50a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 95 a 200 a 1.9V @ 15V，50a （1.17MJ）（在），940µJ降低） 104 NC 41NS/142NS
EMH51T2R Rohm Semiconductor EMH51T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMH51 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 150MV @ 500µA，5mA 60 @ 5mA，10v 250MHz 22KOHMS 22KOHMS
RS1G300GNTB Rohm Semiconductor RS1G300GNTB 2.1000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS1G MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 30a（TA） 4.5V，10V 2.5MOHM @ 30a，10V 2.5V @ 1mA 56.8 NC @ 10 V ±20V 4230 PF @ 20 V - （3W（ta），35W（tc）
DTC143XE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC143XE3HZGTL 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC143 150兆 EMT3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 10 kohms
R6006JNJGTL Rohm Semiconductor r6006jnjgtl 2.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB R6006 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 6A（TC） 15V 936mohm @ 3A，15V 7V @ 800µA 15.5 NC @ 15 V ±30V 410 pf @ 100 V - 86W（TC）
US6K4TR Rohm Semiconductor US6K4TR 0.6300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 US6K4 MOSFET （金属 o化物） 1W Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 1.5a 180MOHM @ 1.5A，4.5V 1V @ 1mA 2.5NC @ 4.5V 110pf @ 10V 逻辑级别门
RGW60TS65CHRC11 Rohm Semiconductor RGW60TS65CHRC11 12.8100
RFQ
 ECAD 8029 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGW60 标准 178 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGW60TS65CHRC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，15a，10ohm，15V 34 ns - 650 v 64 a 120 a 1.9V @ 15V，30a （70µJ）（在），220µJ（（（（） 84 NC 37NS/91NS
DTA123EEBTL Rohm Semiconductor DTA123EEBTL 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SC-89，SOT-490 DTA123 150兆 EMT3F（SOT-416FL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 20 @ 20mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 2.2 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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