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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RD3R05BBHTL1	3.1000	RFQ	8073	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3R05		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		150 v	50a（ta）	6V，10V	29mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	37 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 75 V	-	89w（ta）
RSQ015P10TR	0.3776	RFQ	3722	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RSQ015		MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		100 v	1.5A（TA）	4V，10V	470MOHM @ 1.5A，10V	2.5V @ 1mA	17 NC @ 5 V	±20V	950 pf @ 25 V	-	600MW（TA）
RGW50TK65DGVC11	6.3100	RFQ	450	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3PFM，SC-93-3		标准		67 W	to-3pfm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，25a，10ohm，15V											92 ns	沟渠场停止	650 v	30 a	100 a	1.9V @ 15V，25a	（390µJ）（在430µJ上）	73 NC	35NS/102NS
RQ5H030TNTL	0.6700	RFQ	13	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RQ5H030		MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		45 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	67MOHM @ 3A，4.5V	1.5V @ 1mA	6.2 NC @ 4.5 V	±12V	510 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
RGT50TS65DGC11	2.5127	RFQ	8936	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGT50	标准		174 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGT50TS65DGC11	Ear99	8541.29.0095	30			400V，25a，10ohm，15V											58 ns	沟渠场停止	650 v	48 a	75 a	2.1V @ 15V，25a	-	49 NC	27NS/88NS
RSS070N05FRATB	0.7825	RFQ	7586	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS070		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		45 v	7a（ta）	4V，10V	25mohm @ 7a，10v	2.5V @ 1mA	16.8 NC @ 5 V	±20V	1000 pf @ 10 V	-	2W（TA）
RQ5L030SNTL	0.6800	RFQ	9	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RQ5L030		MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	3A（3A）	4V，10V	85mohm @ 3a，10v	2.5V @ 1mA	5 nc @ 5 V	±20V	380 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
RGTH80TS65DGC13	6.5100	RFQ	1273	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGTH80	标准		234 w	TO-247G	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGTH80TS65DGC13	Ear99	8541.29.0095	600			400V，40a，10ohm，15V											236 ns	沟渠场停止	650 v	70 a	160 a	2.1V @ 15V，40a	-	79 NC	34NS/120NS
RX3P07CBHC16	5.6500	RFQ	9794	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	RX3P07		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		3（168））	到达不受影响	846-RX3P07CBHC16	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	120A（120A），70A （TC）	6V，10V	5.2MOHM @ 70A，10V	4V @ 1mA	73 NC @ 10 V	±20V	4650 pf @ 50 V	-	135W（TC）
DTA124XMFHAT2L	0.0668	RFQ	1035	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SOT-723	DTA124			150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																50 V	100 ma						500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
DTC124EU3HZGT106	0.0683	RFQ	5543	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTC124			200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
DTA113ZE3HZGTL	0.4300	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTA113			150兆	EMT3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-DTA113ZE3HZGTLCT	Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 5mA，5V	250 MHz	1 kohms	10 kohms
RS1E170GNTB	0.6300	RFQ	6593	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	RS1E		MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		n通道		30 V	（17a）（TA），40A （TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 17A，10V	2.5V @ 1mA	12 nc @ 10 V	±20V	720 PF @ 15 V	-	（3W）（23W）（23W）TC）
DTA123EEBTL	0.2600	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-89，SOT-490	DTA123			150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 20mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
RGT40NL65DGTL	3.1400	RFQ	5306	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RGT40	标准		161 w	LPD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			400V，20a，10ohm，15V											58 ns	沟渠场停止	650 v	40 a	60 a	2.1V @ 15V，20A	-	40 NC	22NS/75NS
DTA123YCAT116	0.2700	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTA123			200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	22 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	10 kohms
RS1E350BNTB	1.7400	RFQ	920	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	RS1E		MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	35A（TA）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 1mA	185 NC @ 10 V	±20V	7900 PF @ 15 V	-	35W（TC）
BC857BU3HZGT106	0.3700	RFQ	5	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC857			200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																45 v	100 ma						15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	210 @ 2mA，5V	250MHz
BSM400D12P3G002	1.0000	RFQ	4	Rohm半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM400		（SIC）	1570W（TC）	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-BSM400D12P3G002	Ear99	8541.29.0095	4	2 n 通道（半桥）			1200V（1.2kV）	400A（TC）		-	5.6V @ 109.2mA	-		17000pf @ 10V	-
ZDX050N50	1.1600	RFQ	185	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	ZDX050		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		500 v	5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	4.4V @ 1mA	14 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	40W（TC）
RX3G07BBGC16	3.7100	RFQ	1334	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	RX3G07		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	3（168））		846-RX3G07BBGC16	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	130a（TA），70A （TC）	4.5V，10V	3mohm @ 70a，10v	2.5V @ 1mA	56 NC @ 10 V	±20V	3540 pf @ 20 V	-	89W（TC）
SCT4045DEHRC11	15.2900	RFQ	460	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT4045DEHRC11	Ear99	8541.29.0095	450		n通道		750 v	34A（TC）	18V	59mohm @ 17a，18v	4.8V @ 8.89mA	63 NC @ 18 V	+21V，-4V	1460 pf @ 500 V	-	115W
R6524ENZC8	-	RFQ	1704年	Rohm半导体	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6524		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	846-R6524ENZC8	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	24A（TC）	10V	185mohm @ 11.3a，10v	4V @ 750µA	70 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	74W（TC）
RSS075P03FU6TB	-	RFQ	9184	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS075		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	7.5A（ta）	4V，10V	21MOHM @ 7.5A，10V	2.5V @ 1mA	30 NC @ 5 V	±20V	2900 PF @ 10 V	-	2W（TA）
RH6R025BHTB1	1.8900	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	RH6R025		MOSFET （金属 o化物）		8-hsmt（3.2x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		150 v	25A（TA）	6V，10V	60mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	16.7 NC @ 10 V	±20V	1010 PF @ 75 V	-	2W（TA），59w（tc）
RXH100N03TB1	1.5300	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RXH100		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	10a（10a）	4V，10V	13mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	11 NC @ 5 V	±20V	800 pf @ 10 V	-	2W（TA）
RRS100P03TB1	-	RFQ	7588	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	10a（10a）		-	-				-	-
2SD1963T100Q	-	RFQ	7702	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SD1963			500兆	MPT3	-	rohs3符合条件			846-2SD1963T100QTR			1,000																20 v	3 a						500NA（ICBO）	PNP	300mv @ 2.5mA，25mA	180 @ 2mA，6v
R6520ENJTL	6.2900	RFQ	100	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R6520		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		650 v	20A（TC）	10V	205mohm @ 9.5A，10V	4V @ 630µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	231W（TC）
RGCL60TS60DGC13	6.2500	RFQ	9655	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGCL60	标准		111 w	TO-247G	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGCL60TS60DGC13	Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V											58 ns	沟渠场停止	600 v	48 a	120 a	1.8V @ 15V，30a	（770µJ）（在），1.11mj（）	68 NC	44NS/186NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²