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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
R6006JNJGTL Rohm Semiconductor r6006jnjgtl 2.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB R6006 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 6A（TC） 15V 936mohm @ 3A，15V 7V @ 800µA 15.5 NC @ 15 V ±30V 410 pf @ 100 V - 86W（TC）
DTC143XE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC143XE3HZGTL 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC143 150兆 EMT3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 10 kohms
MP6K14TCR Rohm Semiconductor mp6k14tcr -
RFQ
 ECAD 8299 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 MP6K14 MOSFET （金属 o化物） 2W MPT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2 n 通道（双） 30V 8a 25mohm @ 8a，10v 2.5V @ 1mA 7.3nc @ 5V 470pf @ 10V 逻辑级别门
DTA124XE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA124XE3HZGTL 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTA124 150兆 EMT3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 846-DTA124XE3HZGTLCT Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 47科姆斯
2SAR293PT100 Rohm Semiconductor 2SAR293PT100 0.1856
RFQ
 ECAD 1254 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SAR293 2 w MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 30 V 1 a 100NA（ICBO） PNP 350mv @ 25mA，500mA 270 @ 100mA，2V 320MHz
RTR020N05TL Rohm Semiconductor RTR020N05TL 0.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RTR020 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 45 v 2A（TA） 2.5V，4.5V 180MOHM @ 2A，4.5V 1.5V @ 1mA 4.1 NC @ 4.5 V ±12V 200 pf @ 10 V - 1W（ta）
RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor re1c002untcl 0.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-89，SOT-490 RE1C002 MOSFET （金属 o化物） EMT3F（SOT-416FL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 200ma（ta） 1.2V，2.5V 1.2OHM @ 100mA，2.5V 1V @ 1mA ±8V 25 pf @ 10 V - 150MW（TA）
DTA123EU3T106 Rohm Semiconductor DTA123EU3T106 0.2000
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 DTA123 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma - pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 20 @ 20mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 2.2 kohms
RQ1A070APTR Rohm Semiconductor RQ1A070APTR 0.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 RQ1A070 MOSFET （金属 o化物） TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 12 v 7a（ta） 1.5V，4.5V 14mohm @ 7A，4.5V 1V @ 1mA 80 NC @ 4.5 V -8V 7800 PF @ 6 V - 550MW（TA）
RDX045N60FU6 Rohm Semiconductor RDX045N60FU6 -
RFQ
 ECAD 7226 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 RDX045 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 600 v 4.5A（ta） 10V 2.1OHM @ 2.25a，10V 4V @ 1mA 16 NC @ 10 V ±30V 500 pf @ 25 V - 35W（TC）
SST4401HZGT116 Rohm Semiconductor SST4401HZGT116 0.2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SST4401 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 40 V 600 MA 100NA（ICBO） NPN 750mv @ 50mA，500mA 100 @ 150mA，1V 250MHz
R6003KND3TL1 Rohm Semiconductor R6003KND3TL1 1.6800
RFQ
 ECAD 117 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R6003 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 3A（TC） 10V 1.5OHM @ 1A，10V 5.5V @ 1mA 8 nc @ 10 V ±20V 185 pf @ 25 V - 44W（TC）
2SA2029FHAT2LR Rohm Semiconductor 2SA2029FHAT2LR 0.3900
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-723 2SA2029 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-2SA2029FHAT2LRTR Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） PNP 500mv @ 5mA，50mA 180 @ 1mA，6v 140MHz
DTC143EE3TL Rohm Semiconductor DTC143EE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 DTC143E 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC143 150兆 EMT3 - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 33 @ 5mA，5V 250 MHz 1 kohms 10 kohms
RSQ045N03HZGTR Rohm Semiconductor RSQ045N03HZGTR 0.7800
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RSQ045 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 4.5A（ta） 4V，10V 38mohm @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 9.5 NC @ 5 V ±20V 520 pf @ 10 V - 950MW（TA）
DTA114TMT2L Rohm Semiconductor DTA114TMT2L 0.0615
RFQ
 ECAD 2429 0.00000000 Rohm半导体 DTA114T 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 DTA114 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 1mA，10mA 100 @ 1mA，5V 250 MHz 10 kohms
EM6K7T2R Rohm Semiconductor EM6K7T2R 0.5400
RFQ
 ECAD 589 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 EM6K7 MOSFET （金属 o化物） 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 2 n 通道（双） 20V 200mA 1.2OHM @ 200mA，2.5V 1V @ 1mA - 25pf @ 10V 逻辑级别门
RTQ025P02TR Rohm Semiconductor RTQ025P02TR 0.2451
RFQ
 ECAD 1205 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RTQ025 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 2.5a（ta） 2.5V，4.5V 100mohm @ 2.5a，4.5V 2V @ 1mA 6.4 NC @ 4.5 V ±12V 580 pf @ 10 V - 1.25W（TA）
R6530KNZC8 Rohm Semiconductor R6530knzc8 -
RFQ
 ECAD 6614 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6530 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 846-R6530knzc8 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 30A（TC） 10V 140MOHM @ 14.5A，10V 5V @ 960µA 56 NC @ 10 V ±20V 2350 pf @ 25 V - 86W（TC）
R6504ENXC7G Rohm Semiconductor R6504enxc7g 2.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6504 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6504ENXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 4A（ta） 10V 1.05OHM @ 1.5A，10V 4V @ 130µA 15 NC @ 10 V ±20V 220 pf @ 25 V - 40W（TC）
RGW60TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGW60TS65HRC11 6.3700
RFQ
 ECAD 4916 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGW60 标准 178 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGW60TS65HRC11 Ear99 8541.29.0095 450 400V，15a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 64 a 120 a 1.9V @ 15V，30a 84 NC 36NS/107NS
2SCR642PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SCR642PHZGT100 0.8800
RFQ
 ECAD 917 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 500兆 SOT-89 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 30 V 3 a 1µA（ICBO） NPN 400mv @ 100mA，2a 200 @ 500mA，2V 250MHz
2SCR372PT100Q Rohm Semiconductor 2SCR372PT100Q 0.3426
RFQ
 ECAD 9583 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SCR372 2 w MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 120 v 700 MA 1µA（ICBO） NPN 300mv @ 50mA，500mA 120 @ 100mA，5V 220MHz
RT1C060UNTR Rohm Semiconductor RT1C060UNTR 0.2213
RFQ
 ECAD 7445 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 RT1C060 MOSFET （金属 o化物） 8-TSST 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 6a（6a） 1.5V，4.5V 28mohm @ 6a，4.5V 1V @ 1mA 11 NC @ 4.5 V ±10V 870 pf @ 10 V - 650MW（TA）
R6530ENZC8 Rohm Semiconductor R6530ENZC8 -
RFQ
 ECAD 7267 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6530 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 846-R6530ENZC8 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 30A（TC） 10V 140MOHM @ 14.5A，10V 4V @ 960µA 90 NC @ 10 V ±20V 2100 PF @ 25 V - 86W（TC）
R6035ENZC17 Rohm Semiconductor R6035ENZC17 7.8500
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6035 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6035ENZC17 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 35A（TC） 10V 102MOHM @ 18.1a，10V 4V @ 1mA 110 NC @ 10 V ±20V 2720 PF @ 25 V - 120W（TC）
SCT3040KLHRC11 Rohm Semiconductor SCT3040KLHRC11 56.3400
RFQ
 ECAD 886 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SCT3040 sicfet （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 55A（ta） 18V 52Mohm @ 20a，18v 5.6V @ 10mA 107 NC @ 18 V +22V，-4V 1337 PF @ 800 V - 262W
RUF025N02FRATL Rohm Semiconductor RUF025N02FRATL 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 RUF025 MOSFET （金属 o化物） Tumt3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 2.5a（ta） 1.5V，4.5V 54mohm @ 2.5a，4.5V 1.3V @ 1mA 5 NC @ 4.5 V ±10V 370 pf @ 10 V - 800MW（TA）
RGT50TM65DGC9 Rohm Semiconductor RGT50TM65DGC9 3.5200
RFQ
 ECAD 9904 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 RGT50 标准 47 W TO-220NFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V，25a，10ohm，15V 58 ns 沟渠场停止 650 v 21 a 75 a 2.1V @ 15V，25a - 49 NC 27NS/88NS
RGTH40TK65DGC11 Rohm Semiconductor RGTH40TK65DGC11 5.9600
RFQ
 ECAD 4329 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3PFM，SC-93-3 RGTH40 标准 56 w to-3pfm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，20a，10ohm，15V 58 ns 沟渠场停止 650 v 23 a 80 a 2.1V @ 15V，20A - 40 NC 22NS/73NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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