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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
R6025ANZFL1C8 Rohm Semiconductor R6025ANZFL1C8 -
RFQ
 ECAD 8796 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6025 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 846-R6025ANZFL1C8 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 25A（TC） 10V 150MOHM @ 12.5a，10V 4.5V @ 1mA 88 NC @ 10 V ±30V 3250 pf @ 10 V - 150W（TC）
RSD100N10TL Rohm Semiconductor RSD100N10TL 0.6086
RFQ
 ECAD 2238 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RSD100 MOSFET （金属 o化物） CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 10a（10a） 4V，10V 133mohm @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 18 nc @ 10 V ±20V 700 pf @ 25 V - 20W（TC）
US6U37TR Rohm Semiconductor US6U37TR 0.2938
RFQ
 ECAD 6394 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 US6U37 MOSFET （金属 o化物） Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 1.5A（TA） 2.5V，4.5V 240MOHM @ 1.5A，4.5V 1.5V @ 1mA 2.2 NC @ 4.5 V ±12V 80 pf @ 10 V - 700MW（TA）
EMH10FHAT2R Rohm Semiconductor EMH10FHAT2R 0.3400
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMH10 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 - 100mA - 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
DTD113ZCT116 Rohm Semiconductor DTD113ZCT116 0.3800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTD113 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 500 MA 500NA npn-预先偏见 300mv @ 2.5mA，50mA 82 @ 50mA，5V 200 MHz 1 kohms 10 kohms
SP8J66FRATB Rohm Semiconductor SP8J66FRATB 1.2240
RFQ
 ECAD 1793年 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8J66 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 9a（9a） 18.5mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA -
RGW60TS65DHRC11 Rohm Semiconductor RGW60TS65DHRC11 6.7700
RFQ
 ECAD 6850 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGW60 标准 178 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGW60TS65DHRC11 Ear99 8541.29.0095 450 400V，15a，10ohm，15V 87 ns 沟渠场停止 650 v 64 a 120 a 1.9V @ 15V，30a 84 NC 36NS/107NS
RGW80TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGW80TS65EHRC11 8.0200
RFQ
 ECAD 8016 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGW80 标准 214 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGW80TS65EHRC11 Ear99 8541.29.0095 450 400V，20a，10ohm，15V 86 ns 沟渠场停止 650 v 80 a 160 a 1.9V @ 15V，40a 110 NC 43ns/148ns
R6507KND3TL1 Rohm Semiconductor R6507KND3TL1 1.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R6507 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 7A（TC） 10V 665mohm @ 2.4a，10v 5V @ 200µA 14.5 NC @ 10 V ±20V 470 pf @ 25 V - 78W（TC）
SP8M24FRATB Rohm Semiconductor SP8M24FRATB 1.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M24 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 45V 4.5A（ta），3.5a（ta） 46mohm @ 4.5a，10v，63mohm @ 3.5a，10v 2.5V @ 1mA 9.6nc @ 5v，18.2nc @ 5v 550pf @ 10V，1700pf @ 10V -
2SB1443TV2Q Rohm Semiconductor 2SB1443TV2Q -
RFQ
 ECAD 8547 0.00000000 Rohm半导体 - （TB） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 3-SIP 1 w ATV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,500 50 V 2 a 100NA（ICBO） PNP 350mv @ 50mA，1a 120 @ 500mA，2V 200MHz
RGPR10BM40FHTL Rohm Semiconductor RGPR10BM40FHTL 0.9330
RFQ
 ECAD 2948 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜75°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RGPR10 标准 107 w TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 300V，8A，100OHM，5V - 460 v 20 a 2.0V @ 5V，10a - 14 NC 500NS/4µs
QST7TR Rohm Semiconductor QST7TR 0.2415
RFQ
 ECAD 5899 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 QST7 500兆 TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 1.5 a 100NA（ICBO） PNP 370mv @ 50mA，1a 270 @ 100mA，2V 280MHz
RGSX5TS65DHRC11 Rohm Semiconductor RGSX5TS65DHRC11 10.9100
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGSX5TS65 标准 404 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGSX5TS65DHRC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，75A，10欧姆，15V 114 ns 沟渠场停止 650 v 114 a 225 a 2.15V @ 15V，75a 3.32MJ（在）上，1.9MJ off） 79 NC 43ns/113ns
TT8J13TCR Rohm Semiconductor TT8J13TCR 0.2165
RFQ
 ECAD 3914 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TT8J13 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-TSST 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 2.5a 62MOHM @ 2.5A，4.5V 1V @ 1mA 16nc @ 4.5V 2000pf @ 6V 逻辑级别门，1.5V
RRH100P03TB1 Rohm Semiconductor RRH100P03TB1 0.7669
RFQ
 ECAD 3569 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RRH100 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 P通道 30 V 10a（10a） 4V，10V 12.6mohm @ 10a，10v 2.5V @ 1mA 39 NC @ 5 V ±20V 3600 PF @ 10 V - 650MW（TA）
2SC4081U3T106Q Rohm Semiconductor 2SC4081U3T106Q 0.2400
RFQ
 ECAD 184 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SC4081 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） NPN 400mv @ 5mA，50mA 120 @ 1mA，6v 180MHz
SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor SH8KC6TB1 0.9900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8KC6 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 6.5A（TA） 32mohm @ 6.5a，10v 2.5V @ 1mA 7.6nc @ 10V 460pf @ 30V -
RCX300N20 Rohm Semiconductor RCX300N20 1.9000
RFQ
 ECAD 305 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 RCX300 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 200 v 30A（TC） 10V 80Mohm @ 15a，10v 5V @ 1mA 60 NC @ 10 V ±30V 3200 PF @ 25 V - 2.23W（ta），40W（TC）
SCT3160KLGC11 Rohm Semiconductor SCT3160KLGC11 10.4900
RFQ
 ECAD 623 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SCT3160 sicfet （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 17a（TC） 18V 208MOHM @ 5A，18V 5.6V @ 2.5mA 42 NC @ 18 V +22V，-4V 398 PF @ 800 V - 103W（TC）
DTC115ECAT116 Rohm Semiconductor DTC115ECAT116 0.2800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTC115 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 82 @ 5mA，5V 250 MHz 100 kohms 100 kohms
DTA144EUBTL Rohm Semiconductor DTA144EUBTL 0.0355
RFQ
 ECAD 9067 0.00000000 Rohm半导体 DTA144E 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-85 DTA144 200兆 UMT3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 47科姆斯 47科姆斯
RD3R05BBHTL1 Rohm Semiconductor RD3R05BBHTL1 3.1000
RFQ
 ECAD 8073 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RD3R05 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 150 v 50a（ta） 6V，10V 29mohm @ 25a，10v 4V @ 1mA 37 NC @ 10 V ±20V 2150 pf @ 75 V - 89w（ta）
RTR030N05TL Rohm Semiconductor RTR030N05TL 0.6000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RTR030 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 45 v 3A（3A） 2.5V，4.5V 67MOHM @ 3A，4.5V 1.5V @ 1mA 6.2 NC @ 4.5 V ±12V 510 pf @ 10 V - 1W（ta）
HS8MA2TCR1 Rohm Semiconductor HS8MA2TCR1 1.0600
RFQ
 ECAD 750 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn HS8MA2 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） DFN3333-9DC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n和p通道 30V （5A）（ta），7a（ta） 80mohm @ 5.5a，10v，35mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 7.8NC @ 10V，8.4NC @ 10V 320pf @ 10V，365pf @ 10V -
SH8J31GZETB Rohm Semiconductor SH8J31GZETB 1.7600
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8J31 - 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 60V 4.5a 70MOHM @ 4.5A，10V 3V @ 1mA 40NC @ 10V 2500pf @ 10V -
RSM002P03T2L Rohm Semiconductor RSM002P03T2L 0.4800
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-723 RSM002 MOSFET （金属 o化物） VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 P通道 30 V 200ma（ta） 4V，10V 1.4OHM @ 200mA，10v 2.5V @ 1mA ±20V 30 pf @ 10 V - 150MW（TA）
SH8K32TB1 Rohm Semiconductor SH8K32TB1 1.7000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8K32 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOP（5.0x6.0） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 4.5a 65mohm @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 10NC @ 5V 500pf @ 10V 逻辑级别门
EMB3FHAT2R Rohm Semiconductor EMB3FHAT2R 0.3600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMB3FHAT2 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 100 @ 1mA，5V 250MHz 4.7kohms -
SP8K41HZGTB Rohm Semiconductor SP8K41HZGTB 2.0600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K41 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SP8K41HZGTBTR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 80V 3.4a（ta） 130MOHM @ 3.4A，10V 2.5V @ 1mA 6.6nc @ 5V 600pf @ 10V -
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196-LFBGA裸露的垫子

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