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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
TT8M2TR Rohm Semiconductor tt8m2tr 0.3578
RFQ
 ECAD 4924 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TT8M2 MOSFET （金属 o化物） 1.25W 8-TSST 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V，20V 2.5a 90MOHM @ 2.5A，4.5V 1.5V @ 1mA 3.2nc @ 4.5V 180pf @ 10V 逻辑级别门
RS6G120BGTB1 Rohm Semiconductor RS6G120BGTB1 3.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS6G MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RS6G120BGTB1DKR Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 120a（ta） 4.5V，10V 1.34MOHM @ 90A，10V 2.5V @ 1mA 67 NC @ 10 V ±20V 4240 pf @ 20 V - 104W（ta）
SP8K52FRATB Rohm Semiconductor SP8K52FRATB 1.0800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K52 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 100V 3A（3A） 170MOHM @ 3A，10V 2.5V @ 1mA 8.5nc @ 5V 610pf @ 25V -
RGT30NL65DGTL Rohm Semiconductor RGT30NL65DGTL 2.7400
RFQ
 ECAD 4694 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RGT30 标准 133 w LPD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 400V，15a，10ohm，15V 55 ns 沟渠场停止 650 v 30 a 45 a 2.1V @ 15V，15a - 32 NC 18NS/64NS
SCT2H12NZGC11 Rohm Semiconductor SCT2H12NZGC11 7.5000
RFQ
 ECAD 1654年 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-3PFM，SC-93-3 SCT2H12 sicfet （碳化硅） to-3pfm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1700 v 3.7A（TC） 18V 1.5OHM @ 1.1A，18V 4V @ 900µA 14 NC @ 18 V +22V，-6V 184 PF @ 800 V - 35W（TC）
DTA015EEBTL Rohm Semiconductor DTA015EEBTL 0.0351
RFQ
 ECAD 1768年 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-89，SOT-490 DTA015 150兆 EMT3F（SOT-416FL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 20 ma - pnp-预先偏见 150MV @ 500µA，5mA 80 @ 5mA，10v 250 MHz 100 kohms 100 kohms
RGTH80TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTH80TS65GC11 4.3500
RFQ
 ECAD 153 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGTH80 标准 234 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 400V，40a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 70 a 160 a 2.1V @ 15V，40a - 79 NC 34NS/120NS
RGT8BM65DTL Rohm Semiconductor RGT8BM65DTL 2.3300
RFQ
 ECAD 1357 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RGT8BM65 标准 62 W TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 400V，4A，50OHM，15V 40 ns 沟渠场停止 650 v 8 a 12 a 2.1V @ 15V，4A - 13.5 NC 17ns/69ns
R6004PND3FRATL Rohm Semiconductor R6004PND3FRATL 2.9200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R6004 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6004PND3FRATLTR Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 4A（TC） 10V 1.8Ohm @ 2a，10v 4.5V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±25V 280 pf @ 25 V - 65W（TC）
R6004JND3TL1 Rohm Semiconductor R6004JND3TL1 1.8700
RFQ
 ECAD 2048 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R6004 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 4A（TC） 15V 1.43OHM @ 2A，15V 7V @ 450µA 10.5 NC @ 15 V ±30V 260 pf @ 100 V - 60W（TC）
RTR030N05TL Rohm Semiconductor RTR030N05TL 0.6000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RTR030 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 45 v 3A（3A） 2.5V，4.5V 67MOHM @ 3A，4.5V 1.5V @ 1mA 6.2 NC @ 4.5 V ±12V 510 pf @ 10 V - 1W（ta）
UMG5NTR Rohm Semiconductor umg5ntr 0.3800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 UMG5 150MW UMT5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 68 @ 5mA，5V 250MHz 10KOHMS 47kohms
US6K4TR Rohm Semiconductor US6K4TR 0.6300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 US6K4 MOSFET （金属 o化物） 1W Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 1.5a 180MOHM @ 1.5A，4.5V 1V @ 1mA 2.5NC @ 4.5V 110pf @ 10V 逻辑级别门
US6M1TR Rohm Semiconductor US6M1TR 0.6700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 US6M1 MOSFET （金属 o化物） 1W Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V，20V 1.4a，1a 240MOHM @ 1.4A，10V 2.5V @ 1mA 2NC @ 5V 70pf @ 10V 逻辑级别门
EMF7T2R Rohm Semiconductor EMF7T2R -
RFQ
 ECAD 5744 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMF7 150MW EMT6 - rohs3符合条件 到达不受影响 846-EMF7T2RTR 8,000 50V，12V 100mA，500mA 500NA，100NA（ICBO） 1 NPN预先偏见，1 NPN 300mv @ 500µA，10mA / 250mv @ 10mA，200ma 20 @ 20mA，5v / 270 @ 10mA，2V 250MHz，320MHz 2.2kohms 2.2kohms
RD3P01BATTL1 Rohm Semiconductor RD3P01BATTL1 1.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RD3P01 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 100 v 10a（10a） 6V，10V 240MOHM @ 5A，10V 4V @ 1mA 19.4 NC @ 10 V ±20V 660 pf @ 50 V - 25W（TA）
SCT4018KEC11 Rohm Semiconductor SCT4018KEC11 38.7800
RFQ
 ECAD 457 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 sicfet （碳化硅） TO-247N 下载 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCT4018KEC11 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 81A（TJ） 18V 23.4mohm @ 42a，18v 4.8V @ 22.2mA 170 NC @ 18 V +21V，-4V 4532 PF @ 800 V - 312W
RSR020P05HZGTL Rohm Semiconductor RSR020P05HZGTL 0.6500
RFQ
 ECAD 4719 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RSR020 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 45 v 2A（TA） 4V，10V 190mohm @ 2a，10v 3V @ 1mA 4.5 NC @ 4.5 V ±20V 500 pf @ 10 V - 700MW（TA）
RS1E220ATTB1 Rohm Semiconductor RS1E220ATTB1 2.7700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS1E MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 22a（22A），76a （TC） 4.5V，10V 4.1MOHM @ 22A，10V 2.5V @ 2mA 130 NC @ 10 V ±20V 5850 pf @ 15 V - （3W）（TA）
RQ6E040XNTCR Rohm Semiconductor RQ6E040XNTCR 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RQ6E040 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 4A（ta） 4V，10V 50MOHM @ 4A，10V 2.5V @ 1mA 3.3 NC @ 5 V ±20V 180 pf @ 10 V - 950MW（TA）
MP6K14TCR Rohm Semiconductor mp6k14tcr -
RFQ
 ECAD 8299 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 MP6K14 MOSFET （金属 o化物） 2W MPT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2 n 通道（双） 30V 8a 25mohm @ 8a，10v 2.5V @ 1mA 7.3nc @ 5V 470pf @ 10V 逻辑级别门
RS1L145GNTB Rohm Semiconductor RS1L145GNTB 2.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS1L MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 14.5A（TA），47A （TC） 4.5V，10V 9.7MOHM @ 14.5A，10V 2.7V @ 200µA 37 NC @ 10 V ±20V 1880 pf @ 30 V - （3W）（TA）
DTA114YE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA114YE3HZGTL 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTA114 150兆 EMT3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 846-DTA114YE3HZGTLTR Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 10 kohms 47科姆斯
DTA114YMFHAT2L Rohm Semiconductor dta114ymfhat2l 0.2600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 DTA114 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 100 ma - pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 10 kohms 47科姆斯
RSD050N06TL Rohm Semiconductor RSD050N06TL 0.2999
RFQ
 ECAD 6469 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RSD050 MOSFET （金属 o化物） CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 5A（5A） 4V，10V 109MOHM @ 5A，10V 3V @ 1mA 8 nc @ 10 V ±20V 290 pf @ 10 V - 15W（TC）
RUC002N05T116 Rohm Semiconductor RUC002N05T116 0.3200
RFQ
 ECAD 672 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RUC002 MOSFET （金属 o化物） SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 50 V 200ma（ta） 1.2V，4.5V 2.2OHM @ 200mA，4.5V 1V @ 1mA ±8V 25 pf @ 10 V - 200mw（ta）
RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor RUM001L02T2CL 0.4000
RFQ
 ECAD 842 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-723 Rum001 MOSFET （金属 o化物） VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 n通道 20 v （100mA）（TA） 1.2V，4.5V 3.5OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 100µA ±8V 7.1 pf @ 10 V - 150MW（TA）
QS8J2TR Rohm Semiconductor QS8J2TR 0.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QS8J2 MOSFET （金属 o化物） 550MW TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 4a 36mohm @ 4A，4.5V 1V @ 1mA 20NC @ 4.5V 1940pf @ 6V 逻辑级别门，1.5V
RSD200N05TL Rohm Semiconductor RSD200N05TL 0.4542
RFQ
 ECAD 9711 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RSD200 MOSFET （金属 o化物） CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 45 v 20A（TA） 4V，10V 28mohm @ 20a，10v 2.5V @ 1mA 12 nc @ 5 V ±20V 950 pf @ 10 V - 20W（TC）
US6M2GTR Rohm Semiconductor US6M2GTR 0.6700
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 US6M2 MOSFET （金属 o化物） 1W Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V，20V 1.5a，1a 240MOHM @ 1.5A，4.5V，390MOHM @ 1A，4.5V 1.5V @ 1MA，2V @ 1MA 2.2nc @ 4.5V，2.1nc @ 4.5V 80pf @ 10V，150pf @ 10V -
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196-LFBGA裸露的垫子

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