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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
2SC5865TLQ Rohm Semiconductor 2SC5865TLQ 0.1102
RFQ
 ECAD 9188 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 2SC5865 500兆 TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 60 V 1 a 1µA（ICBO） NPN 500mv @ 50mA，500mA 120 @ 100mA，2V 250MHz
2SC4672T100P Rohm Semiconductor 2SC4672T100P 0.6200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SC4672 500兆 MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 50 V 2 a 100NA（ICBO） NPN 350mv @ 50mA，1a 82 @ 500mA，2V 210MHz
R6524ENZC17 Rohm Semiconductor R6524ENZC17 6.3700
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6524 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6524ENZC17 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 24A（TC） 10V 185mohm @ 11.3a，10v 4V @ 750µA 70 NC @ 10 V ±20V 1650 pf @ 25 V - 74W（TC）
DTA114TETL Rohm Semiconductor DTA114TETL 0.0678
RFQ
 ECAD 4855 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTA114 150兆 EMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 1mA，10mA 100 @ 1mA，5V 250 MHz 10 kohms
2SCR554PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SCR554PHZGT100 0.6900
RFQ
 ECAD 175 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 500兆 SOT-89 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 80 V 1.5 a 1µA（ICBO） NPN 300mv @ 25mA，500mA 120 @ 100mA，3v 300MHz
R6530KNXC7G Rohm Semiconductor R6530knxc7g 6.6700
RFQ
 ECAD 894 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6530 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6530knxc7g Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 30a（TA） 10V 140MOHM @ 14.5A，10V 5V @ 960µA 56 NC @ 10 V ±20V 2350 pf @ 25 V - 86W（TC）
R6004RND3TL1 Rohm Semiconductor R6004RND3TL1 1.1900
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R6004 MOSFET （金属 o化物） TO-252 - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 4A（TC） 15V 1.73OHM @ 2A，15V 7V @ 450µA 10.5 NC @ 15 V ±30V 230 pf @ 100 V - 60W（TC）
RW4E045ATTCL1 Rohm Semiconductor RW4E045ATTCL1 0.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-Powerufdfn RW4E045 MOSFET （金属 o化物） DFN1616-7T 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 4.5A（ta） 4.5V，10V 48mohm @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±20V 485 pf @ 15 V - 1.5W（TA）
RF4L070BGTCR Rohm Semiconductor RF4L070BGTCR 1.0900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powerudfn RF4L070 MOSFET （金属 o化物） DFN2020-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 7a（ta） 4.5V，10V 27mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 7.6 NC @ 10 V ±20V 460 pf @ 30 V - 2W（TA）
RCX510N25 Rohm Semiconductor RCX510N25 3.0468
RFQ
 ECAD 1817年 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 不适合新设计 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 RCX510 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RCX510N25 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 250 v 51A（ta） 10V - - ±30V - 40W（TC）
RS1G300GNTB Rohm Semiconductor RS1G300GNTB 2.1000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS1G MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 30a（TA） 4.5V，10V 2.5MOHM @ 30a，10V 2.5V @ 1mA 56.8 NC @ 10 V ±20V 4230 PF @ 20 V - （3W（ta），35W（tc）
UMZ1NFHATR Rohm Semiconductor UMZ1NFHATR 0.4800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMZ1 150MW UMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100NA（ICBO） NPN，PNP 400mv @ 5mA，50mA / 500mv @ 5mA，50mA 120 @ 1mA，6v 180MHz，140MHz
R6006JNJGTL Rohm Semiconductor r6006jnjgtl 2.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB R6006 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 6A（TC） 15V 936mohm @ 3A，15V 7V @ 800µA 15.5 NC @ 15 V ±30V 410 pf @ 100 V - 86W（TC）
UMT4403U3T106 Rohm Semiconductor UMT4403U3T106 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 UMT4403 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 40 V 600 MA 100NA（ICBO） PNP 750mv @ 50mA，500mA 100 @ 150mA，1V 200MHz
DTB123TCT116 Rohm Semiconductor DTB123TCT116 0.0658
RFQ
 ECAD 6757 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTB123 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 40 V 500 MA 500NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 2.5mA，50mA 100 @ 50mA，5V 200 MHz 2.2 kohms
RQ5E025TNTL Rohm Semiconductor RQ5E025TNTL 0.5200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RQ5E025 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 2.5a（ta） 2.5V，4.5V 92MOHM @ 2.5A，4.5V 1.5V @ 1mA 4.6 NC @ 4.5 V ±12V 220 pf @ 10 V - 700MW（TA）
RSJ550N10TL Rohm Semiconductor RSJ550N10TL 4.3200
RFQ
 ECAD 958 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RSJ550 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 55A（ta） 4V，10V 16.8mohm @ 27.5A，10V 2.5V @ 1mA 143 NC @ 10 V ±20V 6150 pf @ 25 V - 100W（TC）
RSF010P05TL Rohm Semiconductor RSF010P05TL 0.4800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 RSF010 MOSFET （金属 o化物） Tumt3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 45 v 1A（1A） 4V，10V 460MOHM @ 1A，10V 2.5V @ 1mA 2.3 NC @ 5 V ±20V 160 pf @ 10 V - 800MW（TA）
RGS00TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGS00TS65EHRC11 9.6400
RFQ
 ECAD 7821 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGS00 标准 326 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGS00TS65EHRC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，50a，10ohm，15V 113 ns 沟渠场停止 650 v 88 a 150 a 2.1V @ 15V，50a - 58 NC 36NS/115NS
RSS110N03TB Rohm Semiconductor RSS110N03TB -
RFQ
 ECAD 2843 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RSS110 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 11a（11a） 4V，10V 10.7MOHM @ 11A，10V 2.5V @ 1mA 17 NC @ 5 V 20V 1300 pf @ 10 V - 2W（TA）
DTA015TUBTL Rohm Semiconductor DTA015TUBTL 0.0536
RFQ
 ECAD 5225 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-85 DTA015 200兆 UMT3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） pnp-预先偏见 250mv @ 250µA，5mA 100 @ 5mA，10v 250 MHz 100 kohms
SP8M51TB1 Rohm Semiconductor SP8M51TB1 -
RFQ
 ECAD 4080 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M51 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 100V 3a，2.5a - - - - -
2SCR564F3TR Rohm Semiconductor 2SCR564F3TR 0.9000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-udfn裸露的垫子 1 w HUML2020L3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 3,000 80 V 4 a 1µA（ICBO） NPN 300mv @ 100mA，2a 120 @ 500mA，3v 280MHz
SCT4026DRC15 Rohm Semiconductor SCT4026DRC15 22.1000
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 SCT4026 sicfet （碳化硅） TO-247-4L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCT4026DRC15 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 750 v 56A（TC） 18V 34mohm @ 29a，18v 4.8V @ 15.4mA 94 NC @ 18 V +21V，-4V 2320 PF @ 500 V - 176W
RRS075P03FD5TB1 Rohm Semiconductor RRS075P03FD5TB1 -
RFQ
 ECAD 8191 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - rohs3符合条件 （1 （无限） 846-RRS075P03FD5TB1TR 过时的 2,500 -
2SAR567F3TR Rohm Semiconductor 2SAR567F3TR 1.2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-udfn裸露的垫子 1 w HUML2020L3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-2SAR567F3TRCT Ear99 8541.29.0095 3,000 120 v 2.5 a 1µA（ICBO） PNP 200mv @ 80mA，800mA 120 @ 100mA，5V 220MHz
RGCL80TK60GC11 Rohm Semiconductor RGCL80TK60GC11 5.3700
RFQ
 ECAD 4129 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3PFM，SC-93-3 RGCL80 标准 57 W to-3pfm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 400V，40a，10ohm，15V 沟渠场停止 600 v 35 a 160 a 1.8V @ 15V，40a 1.11mj（在）上，1.68mj off） 98 NC 53NS/227NS
DTC123JCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTC123JCAHZGT116 0.3700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTC123 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 47科姆斯
SCT3080KRC15 Rohm Semiconductor SCT3080KRC15 2000年年1月15日
RFQ
 ECAD 7686 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 SCT3080 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247-4L 下载 3（168）） 到达不受影响 846-SCT3080KRC15 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 1200 v 31a（TJ） 18V 104mohm @ 10a，18v 5.6V @ 5mA 60 NC @ 18 V +22V，-4V 785 PF @ 800 V - 165W
2SC4102U3T106R Rohm Semiconductor 2SC4102U3T106R 0.1126
RFQ
 ECAD 4822 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SC4102 200兆 UMT3 - rohs3符合条件 到达不受影响 846-2SC4102U3T106RTR Ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 50 mA 500NA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 390 @ 500mA，6v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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