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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
EMG5T2R Rohm Semiconductor EMG5T2R 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 EMG5T2 150MW EMT5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 68 @ 5mA，5V 250MHz 10KOHMS 47kohms
SP8M6FU6TB Rohm Semiconductor SP8M6FU6TB -
RFQ
 ECAD 5999 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M6 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 5a，3.5a 51MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 3.9nc @ 5V 230pf @ 10V 逻辑级别门
RP1E090XNTCR Rohm Semiconductor RP1E090XNTCR -
RFQ
 ECAD 8243 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 RP1E090 MOSFET （金属 o化物） MPT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 30 V 9a（9a） 4V，10V 17mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA 6.8 NC @ 5 V ±20V 440 pf @ 10 V - 2W（TA）
DTA015EEBTL Rohm Semiconductor DTA015EEBTL 0.0351
RFQ
 ECAD 1768年 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-89，SOT-490 DTA015 150兆 EMT3F（SOT-416FL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 20 ma - pnp-预先偏见 150MV @ 500µA，5mA 80 @ 5mA，10v 250 MHz 100 kohms 100 kohms
RTF015P02TL Rohm Semiconductor RTF015P02TL 0.7500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 RTF015 MOSFET （金属 o化物） Tumt3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 1.5A（TA） 2.5V，4.5V 135mohm @ 1.5A，4.5V 2V @ 1mA 5.2 NC @ 4.5 V ±12V 560 pf @ 10 V - 800MW（TA）
SP8J2TB Rohm Semiconductor SP8J2TB 1.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 * （CT） 积极的 SP8J2 - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 -
RTQ035N03TR Rohm Semiconductor RTQ035N03TR 0.6500
RFQ
 ECAD 659 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RTQ035 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 3.5A（ta） 2.5V，4.5V 54mohm @ 3.5A，4.5V 1.5V @ 1mA 6.4 NC @ 4.5 V ±12V 285 pf @ 10 V - 1.25W（TA）
RCD075N20TL Rohm Semiconductor RCD075N20TL 0.6045
RFQ
 ECAD 4169 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RCD075 MOSFET （金属 o化物） CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 200 v 7.5A（TC） 10V 325MOHM @ 3.75A，10V 5.25V @ 1mA 15 NC @ 10 V ±30V 755 pf @ 25 V - 850MW（TA），20W（tc）
DTC123JE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC123JE3HZGTL 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC123 150兆 EMT3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 47科姆斯
RGT00TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGT00TS65DGC11 5.8000
RFQ
 ECAD 385 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGT00 标准 277 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，50a，10ohm，15V 54 ns 沟渠场停止 650 v 85 a 150 a 2.1V @ 15V，50a - 94 NC 42NS/137NS
2SK2713 Rohm Semiconductor 2SK2713 -
RFQ
 ECAD 3673 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SK27 MOSFET （金属 o化物） TO-220FN 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 450 v 5A（5A） 10V 1.4OHM @ 2.5A，10V 4V @ 1mA ±30V 600 pf @ 10 V - 30W（TC）
R6015KNZC8 Rohm Semiconductor R6015knzc8 -
RFQ
 ECAD 8623 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6015 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 15A（TC） 10V 290MOHM @ 6.5A，10V 5V @ 1mA 27.5 NC @ 10 V ±20V 1050 pf @ 25 V - 60W（TC）
DTA143ZE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA143ZE3HZGTL 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTA143 150兆 EMT3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
DTA114ECAT116 Rohm Semiconductor DTA114ECAT116 0.1049
RFQ
 ECAD 2230 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTA114 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 50 mA 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 30 @ 5mA，5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
R6030KNXC7G Rohm Semiconductor R6030knxc7g 6.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6030 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6030knxc7g Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 30a（TA） 10V 130MOHM @ 14.5A，10V 5V @ 1mA 56 NC @ 10 V ±20V 2350 pf @ 25 V - 86W（TC）
RS3L045GNGZETB Rohm Semiconductor RS3L045GNGZETB 0.8600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RS3L MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 4.5A（ta） 4.5V，10V 59MOHM @ 4.5A，10V 2.7V @ 50µA 5.6 NC @ 10 V ±20V 285 pf @ 30 V - 2W（TA）
2SD1767T100Q Rohm Semiconductor 2SD1767T100Q 0.6700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SD1767 500兆 MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 80 V 700 MA 500NA（ICBO） NPN 400mv @ 50mA，500mA 120 @ 100mA，3v 120MHz
UMT1NFHATN Rohm Semiconductor umt1nfhatn 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMT1 150MW UMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100NA（ICBO） 2 PNP （双） 500mv @ 5mA，50mA 120 @ 1mA，6v 140MHz
RSD080P05TL Rohm Semiconductor RSD080P05TL 0.5924
RFQ
 ECAD 3678 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RSD080 MOSFET （金属 o化物） CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 45 v 8a（8a） 4V，10V 91MOHM @ 8A，10V 3V @ 1mA 93.4 NC @ 5 V ±20V 11000 PF @ 10 V - 15W（TC）
TT8J13TCR Rohm Semiconductor TT8J13TCR 0.2165
RFQ
 ECAD 3914 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TT8J13 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-TSST 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 2.5a 62MOHM @ 2.5A，4.5V 1V @ 1mA 16nc @ 4.5V 2000pf @ 6V 逻辑级别门，1.5V
2SC4081U3T106Q Rohm Semiconductor 2SC4081U3T106Q 0.2400
RFQ
 ECAD 184 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SC4081 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） NPN 400mv @ 5mA，50mA 120 @ 1mA，6v 180MHz
SCT3160KLGC11 Rohm Semiconductor SCT3160KLGC11 10.4900
RFQ
 ECAD 623 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SCT3160 sicfet （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 17a（TC） 18V 208MOHM @ 5A，18V 5.6V @ 2.5mA 42 NC @ 18 V +22V，-4V 398 PF @ 800 V - 103W（TC）
SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor SH8KC6TB1 0.9900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8KC6 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 6.5A（TA） 32mohm @ 6.5a，10v 2.5V @ 1mA 7.6nc @ 10V 460pf @ 30V -
2SD2657TL Rohm Semiconductor 2SD2657TL 0.4700
RFQ
 ECAD 511 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 2SD2657 1 w TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 3,000 30 V 1.5 a 100NA（ICBO） NPN 350mv @ 50mA，1a 270 @ 100mA，2V 300MHz
RGSX5TS65DHRC11 Rohm Semiconductor RGSX5TS65DHRC11 10.9100
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGSX5TS65 标准 404 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGSX5TS65DHRC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，75A，10欧姆，15V 114 ns 沟渠场停止 650 v 114 a 225 a 2.15V @ 15V，75a 3.32MJ（在）上，1.9MJ off） 79 NC 43ns/113ns
RRH100P03TB1 Rohm Semiconductor RRH100P03TB1 0.7669
RFQ
 ECAD 3569 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RRH100 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 P通道 30 V 10a（10a） 4V，10V 12.6mohm @ 10a，10v 2.5V @ 1mA 39 NC @ 5 V ±20V 3600 PF @ 10 V - 650MW（TA）
DTA114EE3TL Rohm Semiconductor DTA114EE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 DTA114E 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTA114 150兆 EMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 20 @ 20mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 2.2 kohms
DTA143ZMT2L Rohm Semiconductor DTA143ZMT2L 0.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 DTA143 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
RSS070N05HZGTB Rohm Semiconductor RSS070N05HZGTB 1.9900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RSS070 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RSS070N05HZGTBCT Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 45 v 7a（ta） 4V，10V 25mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 16.8 NC @ 5 V ±20V 1000 pf @ 10 V - 1.4W（TA）
DTA144EUBTL Rohm Semiconductor DTA144EUBTL 0.0355
RFQ
 ECAD 9067 0.00000000 Rohm半导体 DTA144E 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-85 DTA144 200兆 UMT3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 47科姆斯 47科姆斯
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    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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