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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
R6004JND3TL1	1.8700	RFQ	2048	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6004		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			600 v	4A（TC）	15V	1.43OHM @ 2A，15V	7V @ 450µA	10.5 NC @ 15 V	±30V	260 pf @ 100 V	-	60W（TC）
RSQ015P10TR	0.3776	RFQ	3722	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）		表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RSQ015		MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道			100 v	1.5A（TA）	4V，10V	470MOHM @ 1.5A，10V	2.5V @ 1mA	17 NC @ 5 V	±20V	950 pf @ 25 V	-	600MW（TA）
US6K1TR	0.6000	RFQ	28	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	6-SMD，平坦的铅	US6K1		MOSFET （金属 o化物）	1W	Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）				30V	1.5a		240MOHM @ 1.5A，4.5V	1.5V @ 1mA	2.2nc @ 4.5V		80pf @ 10V	逻辑级别门
RGW00TS65DGC11	6.5400	RFQ	4307	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	RGW00	标准		254 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450				400V，50a，10ohm，15V											95 ns	沟渠场停止	650 v	96 a	200 a	1.9V @ 15V，50a	（1.18mj）（在），960µJ（OFF）上）	141 NC	52NS/180NS
BSS5130AT116	0.4400	RFQ	321	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS5130			200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	30 V	1 a						100NA（ICBO）	PNP	380mv @ 25mA，500mA	270 @ 100mA，2V	320MHz
IMH4AT110	0.1154	RFQ	6300	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SC-74，SOT-457	IMH4			300MW	SMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																	50V	100mA						500NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250MHz	10KOHMS	-
RS1G260MNTB	1.9900	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	8-POWERTDFN	RS1G		MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			40 V	26a（26a）	4.5V，10V	3.3mohm @ 26a，10v	2.5V @ 1mA	44 NC @ 10 V	±20V	2988 pf @ 20 V	-	（3W（ta），35W（tc）
umf9ntr	0.1495	RFQ	2604	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	12v npn，30v n通道		通用目的	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UMF9				UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			500mA npn，100mA n通道																						npn，n通道
DTC143ECAHZGT116	0.1900	RFQ	6	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC143			350兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		100 ma						-	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
DTA143ZU3HZGT106	0.3800	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323	DTA143			200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	50 V	100 ma						500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
RDX100N60FU6	-	RFQ	2763	Rohm半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	RDX100		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			600 v	10a（10a）	10V	650MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	45 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	45W（TC）
R6530knxc7g	6.6700	RFQ	894	Rohm半导体	-	管子	积极的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	R6530		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6530knxc7g	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			650 v	30a（TA）	10V	140MOHM @ 14.5A，10V	5V @ 960µA	56 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 25 V	-	86W（TC）
RRS075P03FD5TB1	-	RFQ	8191	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-RRS075P03FD5TB1TR	过时的		2,500						-
RF4C100BCTCR	0.8500	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	8-Powerudfn	RF4C100		MOSFET （金属 o化物）		HUML2020L8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道			20 v	10a（10a）	1.8V，4.5V	15.6mohm @ 10a，4.5V	1.2V @ 1mA	23.5 NC @ 4.5 V	±8V	1660 pf @ 10 V	-	2W（TA）
R6004enx	1.6400	RFQ	109	Rohm半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	R6004		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			600 v	4A（TC）	10V	980MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	40W（TC）
ES6U1T2R	0.4000	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	6-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		6-Wemt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		P通道			12 v	1.3a（ta）	1.5V，4.5V	260MOHM @ 1.3A，4.5V	1V @ 1mA	2.4 NC @ 4.5 V	±10V	290 pf @ 6 V	Schottky 二极管（孤立）	700MW（TA）
IMB2AT110	0.1277	RFQ	1308	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SC-74，SOT-457	IMB2			300MW	SMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																	50V	100mA						500NA	2 PNP-）	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250MHz	47kohms	47kohms
RK7002AT116	-	RFQ	1406	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RK7002		MOSFET （金属 o化物）		SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道			60 V	300mA（TA）	4V，10V	1欧姆 @ 300mA，10V	2.5V @ 1mA	6 NC @ 10 V	±20V	33 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
SP8K33FRATB	1.1700	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8K33		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）				60V	5A（5A）		48mohm @ 5a，10v	2.5V @ 1mA	12nc @ 5V		620pf @ 10V	-
IMX1T108	0.1469	RFQ	7697	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）		表面安装	SC-74，SOT-457	IMX1			300MW	SMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																	50V	150mA						100NA（ICBO）	2 NPN （双）	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
dtc114yubhzgtl	-	RFQ	4018	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计				表面安装	SC-85	DTC114			200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		100 ma						-	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
BSM450D12P4G102	1.0000	RFQ	6512	Rohm半导体	-	盒子	积极的		175°C（TJ）		底盘安装	模块	BSM450		（SIC）	1.45kW（TC）	模块	下载		（1 （无限）		846-BSM450D12P4G102			4	2 n通道				1200V	447a（TC）		-	4.8V @ 218.4mA	-		44000pf @ 10V	标准
2SCR513P5T100	0.5200	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-243AA	2SCR513			500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																	50 V	1 a						1µA（ICBO）	NPN	350mv @ 25mA，500mA	180 @ 50mA，2V	360MHz
SCT3080ALHRC11	21.0800	RFQ	8	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	SCT3080		sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			650 v	30A（TC）	18V	104mohm @ 10a，18v	5.6V @ 5mA	48 NC @ 18 V	+22V，-4V	571 PF @ 500 V	-	134W
dta114ymfhat2l	0.2600	RFQ	7	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SOT-723	DTA114			150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																		100 ma						-	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
EMF32T2R	0.1084	RFQ	4954	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	50V PNP，30V n通道		通用目的	表面安装	SOT-563，SOT-666	EMF32				EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000			100mA PNP，100mA n通道																						pnp预先偏向n通道
DTB543EETL	0.4600	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SC-75，SOT-416	DTB543			150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	12 v	500 MA						500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 5mA，100mA	115 @ 100mA，2V	260 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
RGTV00TK65GVC11	6.8700	RFQ	440	Rohm半导体	-	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-3PFM，SC-93-3	RGTV00	标准		94 W	to-3pfm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，50a，10ohm，15V												沟渠场停止	650 v	45 a	200 a	1.9V @ 15V，50a	（1.17MJ）（在），940µJ降低）	104 NC	41NS/142NS
RGTH40TS65DGC11	1.8792	RFQ	9340	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	RGTH40	标准		144 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，20a，10ohm，15V											58 ns	沟渠场停止	650 v	40 a	80 a	2.1V @ 15V，20A	-	40 NC	22NS/73NS
DTC115TCAT116	0.3500	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC115			200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	50 V	100 ma						500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 100µA，1mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	100 kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²