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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
QSL10TR	-	RFQ	7206	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	QSL10		900兆	TSMT5	-	rohs3符合条件		到达不受影响	846-QSL10TR			3,000													12 v	1.5 a	100NA（ICBO）	NPN	1.2V @ 375mA，3a	270 @ 200ma，2V
BC847BT116	0.3900	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847		350兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	-	200MHz
DTC114TE3TL	0.3700	RFQ	3	Rohm半导体	DTC143T	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTC114		150兆	EMT3	-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
UMH37NTN	0.5300	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UMH37		150MW	UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													20V	400mA	500NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	100mv @ 3mA，30mA	820 @ 10mA，5V	35MHz	10KOHMS	-
SCT4026DW7HRTL	22.7600	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA		sicfet （碳化硅）		TO-263-7L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	750 v	51A（TC）	18V	34mohm @ 29a，18v	4.8V @ 15.4mA	94 NC @ 18 V	+21V，-4V	2320 PF @ 500 V	-	150W
RUL035N02FRATR	0.5200	RFQ	300	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	Rul035	MOSFET （金属 o化物）		Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	3.5A（ta）	1.5V，4.5V	43mohm @ 3.5A，4.5V	1V @ 1mA	5.7 NC @ 4.5 V	±10V	460 pf @ 10 V	-	1W（ta）
DTC124XE3TL	0.3700	RFQ	3	Rohm半导体	DTC124X	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTC124		150兆	EMT3	-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
DTB114EKFRAT146	0.1329	RFQ	3579	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTB114		200兆	SMT3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	500 MA	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	56 @ 50mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
RCD075N19TL	1.0900	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RCD075	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	190 v	7.5A（TC）	4V，10V	336mohm @ 3.8A，10V	2.5V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	850MW（TA），20W（tc）
rej002yntcl	0.3600	RFQ	14	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	REJ002	MOSFET （金属 o化物）		EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	50 V	200ma（ta）	0.9V，4.5V	2.2OHM @ 200mA，4.5V	800mv @ 1mA		±8V	26 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
SP8J66TB1	-	RFQ	9570	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8J66	MOSFET （金属 o化物）	-	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		30V	9a		-	-	-		-	-
RSS110N03FU6TB	-	RFQ	5106	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS110	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	11a（11a）	4V，10V	10.7MOHM @ 11A，10V	2.5V @ 1mA	17 NC @ 5 V	20V	1300 pf @ 10 V	-	2W（TA）
2SAR573D3FRATL	1.7200	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SAR573		10 W	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													50 V	3 a	1µA（ICBO）		400mv @ 50mA，1a	180 @ 100mA，3v
RCJ120N20TL	1.3000	RFQ	33	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RCJ120	MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	12A（TC）	10V	325MOHM @ 6A，10V	5.25V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±30V	740 pf @ 25 V	-	1.56W（ta），40W（TC）
BC847BU3HZGT106	0.3700	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC847		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	200MHz
UM6K31NFHATCN	0.4900	RFQ	4516	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UM6K31	MOSFET （金属 o化物）	150MW	UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	250mA（ta）		2.4OHM @ 250mA，10V	2.3V @ 1mA	-		15pf @ 25V	-
UMB10NFHATN	0.3900	RFQ	6	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UMB10		150MW	UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													-	100mA	-	2（PNP 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz
RTQ040P02TR	0.2649	RFQ	3848	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RTQ040	MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	50mohm @ 4A，4.5V	2V @ 1mA	12.2 NC @ 4.5 V	±12V	1350 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
R5005CNJTL	1.1388	RFQ	1071	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R5005	MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	5A（5A）	10V	1.6OHM @ 2.5A，10V	4.5V @ 1mA	10.8 NC @ 10 V	±30V	320 pf @ 25 V	-	40W（TC）
QH8K26TR	0.9900	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QH8K26	MOSFET （金属 o化物）	1.1W（TA）	TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	7a（ta）		38mohm @ 7a，10v	2.5V @ 1mA	2.9nc @ 5V		275pf @ 20V	-
2SC5876U3T106	0.4100	RFQ	23	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC5876		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													60 V	500 MA	1µA（ICBO）	NPN	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 50mA，2V	300MHz
SP8K24FRATB	1.4300	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8K24	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		45V	6a（6a）		25mohm @ 6a，10v	2.5V @ 1mA	21.6nc @ 5V		1400pf @ 10V	-
RSS120N03TB	-	RFQ	1627年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS120	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	12a（12a）	4V，10V	10mohm @ 12a，10v	2.5V @ 1mA	25 NC @ 5 V	20V	1360 pf @ 10 V	-	2W（TA）
RYE002N05TCL	-	RFQ	3184	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	Rye002	MOSFET （金属 o化物）		EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	50 V	200ma（ta）	0.9V，4.5V	2.2OHM @ 200mA，4.5V	800mv @ 1mA		±8V	26 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
2SB1697T100	0.6700	RFQ	43	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SB1697		500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													12 v	2 a	100µA（ICBO）	PNP	180MV @ 50mA，1a	270 @ 200ma，2V	360MHz
R6009enx	3.5500	RFQ	397	Rohm半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6009	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	9A（TC）	10V	535MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 1mA	23 NC @ 10 V	±20V	430 pf @ 25 V	-	40W（TC）
DTC124XMT2L	0.4500	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	DTC124		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													50 V	50 mA	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
Sch2080kec	-	RFQ	3652	Rohm半导体	-	管子	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Sch2080	sicfet （碳化硅）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Sch2080Kecu	Ear99	8541.29.0095	360		n通道	1200 v	40a（TC）	18V	117mohm @ 10a，18v	4V @ 4.4mA	106 NC @ 18 V	+22V，-6V	1850 PF @ 800 V	-	262W（TC）
BSM180D12P2C101	527.2400	RFQ	1	Rohm半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）		模块	BSM180	（SIC）	1130W	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q7641253A	Ear99	8541.29.0095	12	2 n 通道（半桥）		1200V（1.2kV）	204a（TC）		-	4V @ 35.2mA	-		23000pf @ 10V	-
R6004JND3TL1	1.8700	RFQ	2048	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6004	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	4A（TC）	15V	1.43OHM @ 2A，15V	7V @ 450µA	10.5 NC @ 15 V	±30V	260 pf @ 100 V	-	60W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²