电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SAR542PFRAT100 | 0.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SAR542 | 500兆 | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 5 a | 1µA(ICBO) | PNP | 400mv @ 100mA,2a | 200 @ 500mA,2V | 240MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC124XE3HZGTL | 0.4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTC124 | 150兆 | EMT3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-DTC124XE3HZGTLCT | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA123EU3HZGT106 | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTA123 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 20 @ 20mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1949T106Q | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 2SD1949 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 500 MA | 500NA(ICBO) | NPN | 400mv @ 15mA,150mA | 120 @ 10mA,3v | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA115TETL | 0.0678 | ![]() | 6537 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA115 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 300mv @ 100µA,1mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1774TLQ | 0.3800 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | 2SA1774 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 150 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 5mA,50mA | 120 @ 1mA,6v | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | US6M2GTR | 0.6700 | ![]() | 3815 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | US6M2 | MOSFET (金属 o化物) | 1W | Tumt6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V,20V | 1.5a,1a | 240MOHM @ 1.5A,4.5V,390MOHM @ 1A,4.5V | 1.5V @ 1MA,2V @ 1MA | 2.2nc @ 4.5V,2.1nc @ 4.5V | 80pf @ 10V,150pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | R6018JNXC7G | 5.0700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6018 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 18A(TC) | 15V | 286mohm @ 9a,15v | 7V @ 4.2mA | 42 NC @ 15 V | ±30V | 1300 pf @ 100 V | - | 72W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGWSX2TS65DGC13 | 6.9700 | ![]() | 2566 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGWSX2 | 标准 | 288 w | TO-247G | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGWSX2TS65DGC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,60a,10ohm,15V | 88 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 104 a | 180 a | 2V @ 15V,60a | 1.43MJ(在)上,1.2MJ off) | 140 NC | 55NS/180NS | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR586D3TL1 | 1.0000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 2SCR586 | 10 W | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 80 V | 5 a | 1µA(ICBO) | NPN | 300mv @ 100mA,2a | 120 @ 500mA,3v | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | dtc114yebtl | 0.0488 | ![]() | 1526年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | DTC114 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 70 MA | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | um6j1ntn | 0.4800 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UM6J1 | MOSFET (金属 o化物) | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 30V | 200mA | 1.4OHM @ 200mA,10v | 2.5V @ 1mA | - | 30pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC124XUAT106 | 0.3000 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTC124 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 50 mA | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4018KRC15 | 42.7500 | ![]() | 5665 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-4 | SCT4018 | sicfet (碳化硅) | TO-247-4L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-SCT4018KRC15 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | n通道 | 1200 v | 81A(TC) | 18V | 23.4mohm @ 42a,18v | 4.8V @ 22.2mA | 170 NC @ 18 V | +21V,-4V | 4532 PF @ 800 V | - | 312W | |||||||||||||||||||||
![]() | RGW60TS65DGC11 | 5.9200 | ![]() | 8274 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGW60 | 标准 | 178 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,30a,10ohm,15V | 92 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 60 a | 120 a | 1.9V @ 15V,30a | 480µJ(在)上,490µj() | 84 NC | 37NS/114NS | ||||||||||||||||||||||
![]() | BC857BU3T106 | 0.3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BC857 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 210 @ 2mA,5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2088U3T106 | 0.3800 | ![]() | 3988 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 2SA2088 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 V | 500 MA | 1µA(ICBO) | PNP | 500mv @ 10mA,100mA | 120 @ 50mA,2V | 400MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMB6T2R | 0.0801 | ![]() | 6023 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EMB6T2 | 150MW | EMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 30mA | 500NA | 2 PNP-) | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250MHz | 47kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RSS065N06FW6TB1 | - | ![]() | 9949 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-RSS065N06FW6TB1TR | 过时的 | 2,500 | 6.5a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR544PFRAT100 | 0.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SCR544 | 500兆 | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 80 V | 2.5 a | 1µA(ICBO) | NPN | 300mv @ 50mA,1a | 120 @ 100mA,3v | 280MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMT2907AT106 | 0.3800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | UMT2907 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 V | 600 MA | 100NA | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSTA13T116 | 0.1434 | ![]() | 9957 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SSTA13 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 300 MA | 100NA(ICBO) | npn-达灵顿 | 1.5V @ 100µA,100mA | 10000 @ 100mA,5V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5161TLB | 0.4560 | ![]() | 8659 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 2SC5161 | 1 w | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400 v | 2 a | 10µA(ICBO) | NPN | 1V @ 200mA,1a | 25 @ 100mA,5v | 10MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6515knxc7g | 3.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6515 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6515KNXC7G | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 650 v | 15A(TA) | 10V | 315MOHM @ 6.5A,10V | 5V @ 430µA | 27.5 NC @ 10 V | ±20V | 1050 pf @ 25 V | - | 60W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | DTC124XMFHAT2L | 0.2600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTC124 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 100 ma | - | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC123TCAT116 | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTC123 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6520ENJTL | 6.2900 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | R6520 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 20A(TC) | 10V | 205mohm @ 9.5A,10V | 4V @ 630µA | 61 NC @ 10 V | ±20V | 1400 pf @ 25 V | - | 231W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR564F3TR | 0.9000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-udfn裸露的垫子 | 1 w | HUML2020L3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 80 V | 4 a | 1µA(ICBO) | NPN | 300mv @ 100mA,2a | 120 @ 500mA,3v | 280MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGTH80TS65DGC13 | 6.5100 | ![]() | 1273 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGTH80 | 标准 | 234 w | TO-247G | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGTH80TS65DGC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 600 | 400V,40a,10ohm,15V | 236 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 70 a | 160 a | 2.1V @ 15V,40a | - | 79 NC | 34NS/120NS | |||||||||||||||||||||
![]() | RS1E300GNTB | - | ![]() | 3054 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | RS1E | MOSFET (金属 o化物) | 8-hsop | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 30a(30a),80a tc(TC) | 4.5V,10V | 2.2MOHM @ 30a,10V | 2.5V @ 1mA | 39.8 NC @ 10 V | ±20V | 2500 pf @ 15 V | - | 3W(3W),33w(tc) |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库