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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
SP8M6FU6TB Rohm Semiconductor SP8M6FU6TB -
RFQ
 ECAD 5999 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M6 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 5a，3.5a 51MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 3.9nc @ 5V 230pf @ 10V 逻辑级别门
DTA023EMT2L Rohm Semiconductor DTA023EMT2L 0.0382
RFQ
 ECAD 5745 0.00000000 Rohm半导体 DTA023E 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 DTA023 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp- +二极管 250mv @ 1mA，10mA 20 @ 20mA，10v 250 MHz 2.2 kohms 2.2 kohms
DTB123EKFRAT146 Rohm Semiconductor DTB123EKFRAT146 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTB123 200兆 SMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 500 MA - pnp-预先偏见 300mv @ 2.5mA，50mA 39 @ 50mA，5V 200 MHz 2.2 kohms 2.2 kohms
EMZ2T2R Rohm Semiconductor EMZ2T2R 0.1084
RFQ
 ECAD 9358 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMZ2T2 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50V 150mA 100NA（ICBO） NPN，PNP 400mv @ 5mA，50mA / 500mv @ 5mA，50mA 120 @ 1mA，6v 180MHz，140MHz
2SAR513P5T100 Rohm Semiconductor 2SAR513P5T100 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SAR513 500兆 MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 50 V 1 a 1µA（ICBO） PNP 400mv @ 25mA，500mA 180 @ 50mA，2V 400MHz
DTA143ZETL Rohm Semiconductor DTA143ZETL 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTA143 150兆 EMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
2SA1727TLP Rohm Semiconductor 2SA1727TLP 0.3765
RFQ
 ECAD 6604 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SA1727 1 w CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 400 v 500 MA 1µA（ICBO） PNP 1V @ 10mA，100mA 82 @ 50mA，5V 12MHz
EMA3T2R Rohm Semiconductor EMA3T2R 0.0801
RFQ
 ECAD 6851 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 EMA3T2 150MW EMT5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500NA（ICBO） 2（PNP- 预偏（双重）（） 300mv @ 250µA，5mA 100 @ 1mA，5V 250MHz 4.7kohms -
EMH10FHAT2R Rohm Semiconductor EMH10FHAT2R 0.3400
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMH10 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 - 100mA - 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
RW1A020ZPT2R Rohm Semiconductor RW1A020ZPT2R -
RFQ
 ECAD 5174 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 RW1A020 MOSFET （金属 o化物） 6-Wemt 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 P通道 12 v 2A（TA） 1.5V，4.5V 105MOHM @ 2A，4.5V 1V @ 1mA 6.5 NC @ 4.5 V ±10V 770 pf @ 6 V - 400MW（TA）
DTB523YETL Rohm Semiconductor DTB523YETL 0.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTB523 150兆 EMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 MA 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 5mA，100mA 140 @ 100mA，2V 260 MHz 2.2 kohms 10 kohms
RQ5A030APTL Rohm Semiconductor RQ5A030APTL 0.4400
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RQ5A030 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 12 v 3A（3A） 1.5V，4.5V 62MOHM @ 3A，4.5V 1V @ 1mA 16 NC @ 4.5 V -8V 2000 pf @ 6 V - 1W（ta）
DTC124XE3TL Rohm Semiconductor DTC124XE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 DTC124X 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC124 150兆 EMT3 - rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 47科姆斯
RRH040P03TB1 Rohm Semiconductor RRH040P03TB1 0.9800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RRH040 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 P通道 30 V 4A（ta） 4V，10V 75MOHM @ 4A，10V 2.5V @ 1mA 5.2 NC @ 5 V ±20V 480 pf @ 10 V - 650MW（TA）
DTA113ZU3T106 Rohm Semiconductor DTA113ZU3T106 0.2000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 DTA113 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma - pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 33 @ 5mA，5V 250 MHz 1 kohms 10 kohms
RGWS80TS65GC13 Rohm Semiconductor RGWS80TS65GC13 5.6000
RFQ
 ECAD 9493 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGWS80 标准 202 w TO-247G 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGWS80TS65GC13 Ear99 8541.29.0095 30 400V，40a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 71 a 120 a 2V @ 15V，40a （700µJ）（在660µJ上） 83 NC 40NS/114NS
R6030KNZ1C9 Rohm Semiconductor R6030knz1c9 -
RFQ
 ECAD 9483 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 R6030 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 30A（TC） 10V 130MOHM @ 14.5A，10V 5V @ 1mA 56 NC @ 10 V ±20V 2350 pf @ 25 V - 305W（TC）
2SAR542PT100 Rohm Semiconductor 2SAR542PT100 0.7100
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SAR542 2 w MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 30 V 5 a 1µA（ICBO） PNP 400mv @ 100mA，5a 200 @ 500mA，2V 240MHz
DTC044TUBTL Rohm Semiconductor DTC044TUBTL 0.0536
RFQ
 ECAD 1470 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-85 DTC044 200兆 UMT3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 60 ma 500NA（ICBO） npn-预先偏见 150MV @ 500µA，5mA 100 @ 5mA，10v 250 MHz 47科姆斯
RQ3C150BCTB Rohm Semiconductor RQ3C150BCTB 1.1900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RQ3C150 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 30A（TC） 4.5V 6.7MOHM @ 15a，4.5V 1.2V @ 1mA 60 NC @ 4.5 V ±8V 4800 pf @ 10 V - 20W（TC）
RJ1L08CGNTLL Rohm Semiconductor rj1l08cgntll 2.5800
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RJ1L08 MOSFET （金属 o化物） lptl 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 80a（ta） 4.5V，10V 7.7MOHM @ 80A，10V 2.5V @ 50µA 55 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 30 V - 96w（ta）
US6J11TR Rohm Semiconductor US6J11TR 0.6700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 US6J11 MOSFET （金属 o化物） 320MW Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 1.3a 260MOHM @ 1.3A，4.5V 1V @ 1mA 2.4NC @ 4.5V 290pf @ 6V 逻辑级别门
RTR040N03TL Rohm Semiconductor RTR040N03TL 0.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RTR040 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 4A（ta） 2.5V，4.5V 48mohm @ 4A，4.5V 1.5V @ 1mA 8.3 NC @ 4.5 V ±12V 475 PF @ 10 V - 1W（ta）
RSJ400N10FRATL Rohm Semiconductor RSJ400N10FRATL 2.9000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RSJ400 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 40a（TC） 4V，10V 27mohm @ 40a，10v 2.5V @ 1mA 90 NC @ 10 V ±20V 3600 PF @ 25 V - 1.35W（TA），50W（TC）
RGCL80TS60DGC11 Rohm Semiconductor RGCL80TS60DGC11 5.2400
RFQ
 ECAD 9242 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGCL80 标准 148 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 400V，40a，10ohm，15V 58 ns 沟渠场停止 600 v 65 a 160 a 1.8V @ 15V，40a 1.11mj（在）上，1.68mj off） 98 NC 53NS/227NS
RQ5E040TNTL Rohm Semiconductor RQ5E040TNTL 0.6400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RQ5E040 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 4A（ta） 2.5V，4.5V 48mohm @ 4A，4.5V 1.5V @ 1mA 8.3 NC @ 4.5 V ±12V 475 PF @ 10 V - 700MW（TA）
2SCR372PT100Q Rohm Semiconductor 2SCR372PT100Q 0.3426
RFQ
 ECAD 9583 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SCR372 2 w MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 120 v 700 MA 1µA（ICBO） NPN 300mv @ 50mA，500mA 120 @ 100mA，5V 220MHz
RGSX5TS65DHRC11 Rohm Semiconductor RGSX5TS65DHRC11 10.9100
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGSX5TS65 标准 404 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGSX5TS65DHRC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，75A，10欧姆，15V 114 ns 沟渠场停止 650 v 114 a 225 a 2.15V @ 15V，75a 3.32MJ（在）上，1.9MJ off） 79 NC 43ns/113ns
IMH6AT108 Rohm Semiconductor IMH6AT108 0.1627
RFQ
 ECAD 2623 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SC-74，SOT-457 IMH6 300MW SMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 250MHz 47kohms 47kohms
SCT3030AW7TL Rohm Semiconductor SCT3030AW7TL 39.5900
RFQ
 ECAD 437 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA SCT3030 sicfet （碳化硅） TO-263-7 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 650 v 70A（TC） 39mohm @ 27a，18v 5.6V @ 13.3mA 104 NC @ 18 V +22V，-4V 1526 pf @ 500 V - 267W
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    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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