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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RQ5E050ATTCL	0.6900	RFQ	14	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RQ5E050		MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		30 V	5A（5A）	4.5V，10V	26mohm @ 5a，10v	2.5V @ 1mA	19.4 NC @ 10 V	±20V	880 pf @ 15 V	-	760MW（TA）
DTC024EEBTL	0.1900	RFQ	122	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-89，SOT-490	DTC024			150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	30 ma						-	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	60 @ 5mA，10v	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
DTA115EEBTL	0.0536	RFQ	5348	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTA115			150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	20 ma						500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	82 @ 5mA，5V	250 MHz	100 kohms	100 kohms
DTA124EKAT146	0.2700	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTA124			200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	30 ma						500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
2SB1239TV2	-	RFQ	4784	Rohm半导体	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP				1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500															40 V	2 a						1µA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 1.2mA，600mA	1000 @ 500mA，2V	-
DTC043TUBTL	0.3000	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-85	DTC043			200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	100 ma						500NA（ICBO）	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	100 @ 5mA，10v	250 MHz	4.7科姆斯
2SB1181TLR	0.9000	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SB1181			10 W	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	2,500															80 V	1 a						1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，3v	100MHz
2SCR522EBTL	0.1900	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	2SCR522			150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000															20 v	200 ma						100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，2V	400MHz
QS8K21TR	0.9400	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QS8K21		MOSFET （金属 o化物）	550MW	TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			45V	4a		53MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	5.4NC @ 5V		460pf @ 10V	逻辑级别门
HP8K24TB	1.6600	RFQ	10	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	HP8K24		MOSFET （金属 o化物）	（3W）（TA）	8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			30V	（15a）（27a tc）（27a tc），26a（）		8.8mohm @ 15a，10v，3mohm @ 26a，10v	2.5V @ 1mA	10NC @ 10V，36NC @ 10V		590pf @ 15V，2410pf @ 15V	-
2SD1857TV2Q	-	RFQ	4454	Rohm半导体	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SD1857			1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	2,500															120 v	2 a						1µA（ICBO）	NPN	2V @ 100mA，1a	120 @ 100mA，5V	80MHz
DTC143ZETL	0.3500	RFQ	77	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTC143			150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
RSR030N06TL	0.4700	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RSR030		MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	3A（3A）	4V，10V	85mohm @ 3a，10v	2.5V @ 1mA		±20V	380 pf @ 10 V	-	540MW（TA）
BC858BWT106	0.3600	RFQ	3850	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC858			350兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000															30 V	100 ma						100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	210 @ 2mA，5V	250MHz
2SK3541T2L	0.4700	RFQ	92	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	2SK3541		MOSFET （金属 o化物）		VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	8,000		n通道		30 V	（100mA）（TA）	2.5V，4V	8ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA		±20V	13 pf @ 5 V	-	150MW（TA）
2SA2029T2LQ	0.4000	RFQ	49	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	2SA2029			150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	8,000															50 V	150 ma						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	140MHz
DTA144WUAT106	0.3000	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTA144			200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	30 ma						500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
RGW40TS65GC11	4.5300	RFQ	5672	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		136 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	450			400V，20a，10ohm，15V											沟渠场停止	650 v	40 a	80 a	1.9V @ 15V，20A	（330µJ）（在300µJ上）	59 NC	33NS/76NS
RSJ10HN06TL	-	RFQ	3100	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RSJ10		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	100A（TA）	4V，10V	4.2MOHM @ 50a，10v	2.5V @ 1mA	202 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 10 V	-	100W（TC）
VT6Z1T2R	0.5000	RFQ	15	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD	VT6Z1			150MW	VMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	8,000															20V	200mA						100µA（ICBO）	NPN，PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，2V	400MHz
2SCR514P5T100	0.5000	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SCR514			500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	1,000															80 V	700 MA						1µA（ICBO）	NPN	300mv @ 15mA，300mA	120 @ 100mA，3v	320MHz
RSS090N03FU6TB	-	RFQ	2530	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS090		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	9a（9a）	4V，10V	15mohm @ 9a，10v	2.5V @ 1mA	15 NC @ 5 V	±20V	810 pf @ 10 V	-	2W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²