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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
RX3P07CBHC16 Rohm Semiconductor RX3P07CBHC16 5.6500
RFQ
 ECAD 9794 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 RX3P07 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 3（168）） 到达不受影响 846-RX3P07CBHC16 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 120A（120A），70A （TC） 6V，10V 5.2MOHM @ 70A，10V 4V @ 1mA 73 NC @ 10 V ±20V 4650 pf @ 50 V - 135W（TC）
SCT3060ARHRC15 Rohm Semiconductor SCT3060ARHRC15 2000年年1月15日
RFQ
 ECAD 6091 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 SCT3060 MOSFET （金属 o化物） TO-247-4L 下载 3（168）） 到达不受影响 846-SCT3060ARHRC15 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 650 v 39A（TC） 18V 78mohm @ 13a，18v 5.6V @ 6.67mA 58 NC @ 18 V +22V，-4V 852 PF @ 500 V - 165W
RH6R025BHTB1 Rohm Semiconductor RH6R025BHTB1 1.8900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RH6R025 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 150 v 25A（TA） 6V，10V 60mohm @ 25a，10v 4V @ 1mA 16.7 NC @ 10 V ±20V 1010 PF @ 75 V - 2W（TA），59w（tc）
2SA1038STPR Rohm Semiconductor 2SA1038STPR -
RFQ
 ECAD 6789 0.00000000 Rohm半导体 - （TB） 积极的 150°C（TJ） 通过洞 SC-72形成铅 2SA1038 300兆 spt - rohs3符合条件 到达不受影响 846-2SA1038STPRTB 5,000 120 v 50 mA 500NA（ICBO） PNP 350mv @ 50mA，1a 120 @ 500mA，2V
EMF33T2R Rohm Semiconductor EMF33T2R -
RFQ
 ECAD 6432 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 12V PNP，30V n通道 通用目的 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMF33 EMT6 - rohs3符合条件 到达不受影响 846-EMF33T2RTR 8,000 500mA PNP，100mA n通道 PNP，N通道
SP8M4TB Rohm Semiconductor SP8M4TB 1.1385
RFQ
 ECAD 7853 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M4 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 846-SP8M4TBTR Ear99 8541.29.0095 2,500 - 30V 9a，7a 18mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA 21nc @ 5V 1190pf @ 10V 标准
R6004RND3TL1 Rohm Semiconductor R6004RND3TL1 1.1900
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R6004 MOSFET （金属 o化物） TO-252 - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 4A（TC） 15V 1.73OHM @ 2A，15V 7V @ 450µA 10.5 NC @ 15 V ±30V 230 pf @ 100 V - 60W（TC）
R6007RND3TL1 Rohm Semiconductor R6007RND3TL1 1.5800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R6007 MOSFET （金属 o化物） TO-252 - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 7A（TC） 15V 940MOHM @ 3.5A，15V 7V @ 1mA 17.5 NC @ 15 V ±30V 460 pf @ 100 V - 96W（TC）
2SD1963T100Q Rohm Semiconductor 2SD1963T100Q -
RFQ
 ECAD 7702 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SD1963 500兆 MPT3 - rohs3符合条件 846-2SD1963T100QTR 1,000 20 v 3 a 500NA（ICBO） PNP 300mv @ 2.5mA，25mA 180 @ 2mA，6v
DTC114YE3TL Rohm Semiconductor DTC114YE3TL 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 DTA144E 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC114 150兆 EMT3 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） pnp- +二极管 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 47科姆斯 47科姆斯
RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor RD3H160SPTL1 1.7300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RD3H160 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 45 v 16A（TA） 4V，10V 50mohm @ 16a，10v 3V @ 1mA 16 NC @ 5 V ±20V 2000 pf @ 10 V - 20W（TC）
RQ3E120BNTB Rohm Semiconductor RQ3E120BNTB 0.6300
RFQ
 ECAD 2281 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RQ3E120 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 12a（12a） 4.5V，10V 9.3MOHM @ 12A，10V 2.5V @ 1mA 29 NC @ 10 V ±20V 1500 pf @ 15 V - 2W（TA）
R6511ENJTL Rohm Semiconductor R6511enjtl 4.0600
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB R6511 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 650 v 11A（TC） 10V 400MOHM @ 3.8A，10V 4V @ 320µA 32 NC @ 10 V ±20V 670 pf @ 25 V - 124W（TC）
2SAR586D3FRATL Rohm Semiconductor 2SAR586D3FRATL 1.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SAR586 10 W TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 80 V 5 a 1µA（ICBO） 320mv @ 100mA，2a 120 @ 500mA，3v
DTB123EKFRAT146 Rohm Semiconductor DTB123EKFRAT146 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTB123 200兆 SMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 500 MA - pnp-预先偏见 300mv @ 2.5mA，50mA 39 @ 50mA，5V 200 MHz 2.2 kohms 2.2 kohms
HS8K11TB Rohm Semiconductor HS8K11TB 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 HS8K11 MOSFET （金属 o化物） 2W HSML3030L10 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 7a，11a 17.9mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 11.1nc @ 10V 500pf @ 15V 逻辑级别门
R6004ENXC7G Rohm Semiconductor R6004enxc7g 2.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6004 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6004ENXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 4A（TC） 10V 980MOHM @ 1.5A，10V 4V @ 1mA 15 NC @ 10 V ±20V 250 pf @ 25 V - 40W（TC）
RGS80TSX2DHRC11 Rohm Semiconductor RGS80TSX2DHRC11 12.7400
RFQ
 ECAD 856 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGS80 标准 555 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGS80TSX2DHRC11 Ear99 8541.29.0095 30 600V，40a，10ohm，15V 198 ns 沟渠场停止 1200 v 80 a 120 a 2.1V @ 15V，40a 3MJ（在）上，3.1MJ（3.1MJ） 104 NC 49NS/199N
DTD523YE3TL Rohm Semiconductor DTD523YE3TL 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTD523 150兆 EMT3 下载 （1 （无限） 846-DTD523YE3TLTR Ear99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 MA 500NA npn- +二极管 300mv @ 5mA，100mA 140 @ 100mA，2V 260 MHz 2.2 kohms 10 kohms
RGT8BM65DTL Rohm Semiconductor RGT8BM65DTL 2.3300
RFQ
 ECAD 1357 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RGT8BM65 标准 62 W TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 400V，4A，50OHM，15V 40 ns 沟渠场停止 650 v 8 a 12 a 2.1V @ 15V，4A - 13.5 NC 17ns/69ns
RGPZ10BM40FHTL Rohm Semiconductor RGPZ10BM40FHTL 1.0665
RFQ
 ECAD 1008 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RGPZ10 标准 107 w TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 300V，8A，100OHM，5V - 460 v 20 a 2.0V @ 5V，10a - 14 NC 500NS/4µs
RS1L145GNTB Rohm Semiconductor RS1L145GNTB 2.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS1L MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 14.5A（TA），47A （TC） 4.5V，10V 9.7MOHM @ 14.5A，10V 2.7V @ 200µA 37 NC @ 10 V ±20V 1880 pf @ 30 V - （3W）（TA）
RGW40TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGW40TS65DGC11 5.4500
RFQ
 ECAD 445 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 标准 136 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，20a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 40 a 80 a 1.9V @ 15V，20A （330µJ）（在300µJ上） 59 NC 33NS/76NS
SH8M3TB1 Rohm Semiconductor SH8M3TB1 1.0500
RFQ
 ECAD 594 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8M3 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 5A，4.5A 51MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 3.9nc @ 5V 230pf @ 10V 逻辑级别门
RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor rv1c002unt2cl 0.4000
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 ECAD 831 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 RV1C002 MOSFET （金属 o化物） VML0806 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 n通道 20 v 150mA（ta） 1.2V，4.5V 2ohm @ 150mA，4.5V 1V @ 100µA ±8V 12 pf @ 10 V - 100mW（TA）
DTC123JE3TL Rohm Semiconductor DTC123JE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 DTA143Z 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC123 150兆 EMT3 - rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） pnp- +二极管 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
VT6T2T2R Rohm Semiconductor VT6T2T2R 0.5000
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 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 VT6T2 150MW VMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP （双） 400mv @ 5mA，50mA 120 @ 1mA，6v 300MHz
RGW00TK65DGVC11 Rohm Semiconductor RGW00TK65DGVC11 7.2700
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 ECAD 4787 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3PFM，SC-93-3 RGW00 标准 89 w to-3pfm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，50a，10ohm，15V 95 ns 沟渠场停止 650 v 45 a 200 a 1.9V @ 15V，50a （1.18mj）（在），960µJ（OFF）上） 141 NC 52NS/180NS
RGPR20NS43HRTL Rohm Semiconductor RGPR20NS43HRTL 1.8900
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RGPR20 标准 107 w LPD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 300V，8A，100OHM，5V - 460 v 20 a 2.0V @ 5V，10a - 14 NC 500NS/4µs
RV4C020ZPHZGTCR1 Rohm Semiconductor RV4C020ZPHZGTCR1 0.7200
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 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 6 PowerWFDFN RV4C020 MOSFET （金属 o化物） DFN1616-6W 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 2A（TA） 1.5V，4.5V 260MOHM @ 2A，4.5V 1.3V @ 1mA 2 NC @ 4.5 V ±8V 80 pf @ 10 V - 1.5W（TA）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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