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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RQ5E025ATTCL	0.5100	RFQ	16	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RQ5E025	MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	2.5a（ta）	10V	91MOHM @ 2.5A，10V	2.5V @ 1mA	2.7 NC @ 4.5 V	±20V	220 pf @ 15 V	-	1W（TC）
RV4E031RPTCR1	-	RFQ	9855	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	6 PowerWFDFN	RV4E031	MOSFET （金属 o化物）		DFN1616-6W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RV4E031RPTCR1TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	3.1a（ta）	4.5V，10V	105MOHM @ 3.1A，10V	2.5V @ 1mA	4.8 NC @ 5 V	±20V	460 pf @ 10 V	-	1.5W
DTC114TMT2L	0.4400	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	DTC114		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
2SA1776TV2Q	-	RFQ	7190	Rohm半导体	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SA1776		1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													400 v	500 MA	1µA（ICBO）	PNP	1V @ 10mA，100mA	120 @ 50mA，5V	12MHz
R6006JND3TL1	2.4200	RFQ	32	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6006	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	6A（TC）	15V	936mohm @ 3A，15V	7V @ 800µA	15.5 NC @ 15 V	±30V	410 pf @ 100 V	-	86W（TC）
R6006anx	1.5214	RFQ	6491	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6006	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	6A（TC）	10V	1.2OHM @ 3A，10V	4.5V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±30V	520 pf @ 25 V	-	40W（TC）
EMB11T2R	0.3900	RFQ	26	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	Emb11		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50V	100mA	500NA	2 PNP-）	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，5V	250MHz	10KOHMS	10KOHMS
RSS040P03FU6TB	-	RFQ	3947	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS040	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	4A（ta）	4V，10V	58mohm @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	8 nc @ 5 V	±20V	800 pf @ 10 V	-	2W（TA）
DTB113ZSTP	-	RFQ	4932	Rohm半导体	-	（TB）	过时的		通过洞	SC-72形成铅	DTB113		300兆	spt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													50 V	500 MA	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	56 @ 50mA，5V	200 MHz	1 kohms	10 kohms
RSF014N03TL	0.6500	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	RSF014	MOSFET （金属 o化物）		Tumt3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	1.4a（ta）	4V，10V	240MOHM @ 1.4A，10V	2.5V @ 1mA	2 NC @ 5 V	20V	70 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
uml4ntr	0.1504	RFQ	5632	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	UML4		120兆	UMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													12 v	500 MA	100NA（ICBO）	PNP +二极管（隔离）	250mv @ 10mA，200mA	270 @ 10mA，2V	260MHz
DTA114EUAT106	0.2600	RFQ	18	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-70，SOT-323	DTA114		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	50 mA	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
2SD1757KT146Q	0.5100	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SD1757		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													15 v	500 MA	500NA（ICBO）	NPN	400mv @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，3v	150MHz
DTA143TKAT146	0.3100	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTA143		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
R8008anjgtl	5.8200	RFQ	978	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R8008	MOSFET （金属 o化物）		TO-263S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R8008anjgtltr	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	8A（TC）	10V	1.03OHM @ 4A，10V	5V @ 1mA	38 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	（195W）（TC）
2SD1857TV2R	-	RFQ	7791	Rohm半导体	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SD1857		1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													120 v	2 a	1µA（ICBO）	NPN	2V @ 100mA，1a	180 @ 100mA，5V	80MHz
DTA114EUBTL	-	RFQ	8649	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-85	DTA114		200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	50 mA	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
IMT4T108	0.3800	RFQ	27	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	MT4		300MW	SMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													120V	50mA	500NA（ICBO）	2 PNP （双）	500mv @ 1mA，10mA	180 @ 2mA，6v	140MHz
BSM600D12P3G001	1.0000	RFQ	1	Rohm半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM600	（SIC）	2450W（TC）	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-BSM600D12P3G001	Ear99	8541.29.0095	4	2 n 通道（半桥）		1200V（1.2kV）	600A（TC）		-	5.6V @ 182mA	-		31000pf @ 10V	-
DTD123TKT146	0.5400	RFQ	37	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTD123		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	500 MA	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	100 @ 50mA，5V	200 MHz	2.2 kohms
2SD2211T100R	0.3833	RFQ	5938	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SD2211		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													160 v	1.5 a	1µA（ICBO）	NPN	2V @ 100mA，1a	180 @ 100mA，5V	80MHz
2SB1326TV2R	-	RFQ	4720	Rohm半导体	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SB1326		1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													20 v	5 a	500NA（ICBO）	PNP	1V @ 100mA，4a	180 @ 500mA，2V	120MHz
DTC115EE3TL	0.3700	RFQ	3	Rohm半导体	DTA113E	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTC115		150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 5mA，5V	250 MHz	1 kohms	10 kohms
2SD1864TV2R	-	RFQ	3502	Rohm半导体	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SD1864		1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													50 V	3 a	1µA（ICBO）	NPN	1V @ 200mA，2a	180 @ 500mA，3v	90MHz
DTC143XEBTL	0.0488	RFQ	3792	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTC143		150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
EMZ8T2R	0.1383	RFQ	9251	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	EMZ8T2		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													50V，12V	150mA，500mA	100NA（ICBO）	NPN，PNP	400mv @ 5mA，50mA / 250mv @ 10mA，200mA	120 @ 1MA，6V / 270 @ 10mA，2V	180MHz，260MHz
2SB1705TL	0.2120	RFQ	6634	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	2SB1705		500兆	TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													12 v	3 a	100NA（ICBO）	PNP	250mv @ 30mA，1.5a	270 @ 500mA，2V	280MHz
R6520ENZ4C13	5.7900	RFQ	1	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	R6520	MOSFET （金属 o化物）		TO-247G	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6520ENZ4C13	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	20A（TC）	10V	205mohm @ 9.5A，10V	4V @ 630µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	231W（TC）
2SC5658T2LR	0.4000	RFQ	5307	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	2SC5658		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													50 V	150 ma	100µA（ICBO）	NPN	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
IMH1AT110	0.4400	RFQ	4855	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-74，SOT-457	IMH1		300MW	SMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250MHz	22KOHMS	22KOHMS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²