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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SCR586JGTLL	1.8700	RFQ	889	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			40 W	TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000													80 V	5 a	1µA（ICBO）	NPN	300mv @ 100mA，2a	120 @ 500mA，3v	200MHz
DTC143ZCAT116	0.2800	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC143		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
2SD1863TV2R	-	RFQ	9190	Rohm半导体	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SD1863		1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	2,500													80 V	1 a	1µA（ICBO）	NPN	400mv @ 20mA，500mA	180 @ 500mA，3v	100MHz
QS5U27TR	0.7400	RFQ	128	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	QS5U27	MOSFET （金属 o化物）		TSMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	200mohm @ 1.5A，4.5V	2V @ 1mA	4.2 NC @ 4.5 V	±12V	325 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
QS5K2TR	0.5900	RFQ	87	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	QS5K2	MOSFET （金属 o化物）	1.25W	TSMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共来源		30V	2a		100mohm @ 2A，4.5V	1.5V @ 1mA	3.9nc @ 4.5V		175pf @ 10V	逻辑级别门
DTB123YCT116	0.3700	RFQ	333	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTB123		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	500 MA	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	56 @ 50mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	10 kohms
2SAR340PT100P	0.6600	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SAR340		500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1,000													400 v	100 ma	10µA（ICBO）	PNP	400mv @ 2mA，20mA	82 @ 10mA，10v	-
MMST6428T146	0.1069	RFQ	9908	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMST6428		200兆	SMD3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	200 ma	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	250 @ 1mA，5V	700MHz
SH8M51GZETB	1.7100	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8M51	MOSFET （金属 o化物）	1.4W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		100V	3A（3A），2.5A（2.5A）		170MOHM @ 3A，10V，290MOHM @ 2.5A，10V	2.5V @ 1mA	8.5nc @ 5v，12.5nc @ 5v		610pf @ 25V，1550pf @ 25V	-
DTC124TUAT106	0.0463	RFQ	7800	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTC124		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	22 KOHMS
2SB1326TV2Q	-	RFQ	8352	Rohm半导体	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SB1326		1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	2,500													20 v	5 a	500NA（ICBO）	PNP	1V @ 100mA，4a	120 @ 500mA，2V	120MHz
2SD1759TL	0.5175	RFQ	5332	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SD1759		1 w	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	2,500													40 V	2 a	1µA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 1.2mA，600mA	1000 @ 500mA，3V	150MHz
SP8M21FRATB	1.6000	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8M21	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		45V	6a（6a），4a ta（4a ta）		25mohm @ 6a，10v，46mohm @ 4a，10v	2.5V @ 1mA	21.6nc @ 5v，28nc @ 5v		1400pf @ 10V，2400pf @ 10V	-
DTA143EUBTL	0.2000	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-85	DTA143		200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
RHU003N03T106	0.0964	RFQ	8166	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-	表面安装	SC-70，SOT-323	Rhu003	MOSFET （金属 o化物）		UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	300mA（TA）	4V，10V	1.2OHM @ 300mA，10V	-		±20V	20 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
SH8K26GZ0TB	0.8400	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8K26	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	6a（6a）		38mohm @ 6a，10v	2.5V @ 1mA	2.9nc @ 5V		280pf @ 10V	-
2SB1184TLQ	0.3795	RFQ	9833	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SB1184		1 w	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	2,500													60 V	3 a	1µA（ICBO）	PNP	1V @ 200mA，2a	120 @ 500mA，3v	70MHz
RSH070P05GZETB	2.1700	RFQ	10	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSH070	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	45 v	7a（ta）	4V，10V	27mohm @ 7a，10v	2.5V @ 1mA	47.6 NC @ 5 V	±20V	4100 PF @ 10 V	-	2W（TA）
RMW200N03TB	0.8400	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	RMW200	MOSFET （金属 o化物）		8-psop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	20A（TA）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 1mA	29 NC @ 10 V	±20V	1780 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
DTC114TCAT116	0.2800	RFQ	904	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC114		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
2SD1858TV2Q	-	RFQ	4432	Rohm半导体	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP			1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	2,500													32 v	1 a	500NA（ICBO）	NPN	400mv @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，3v	150MHz
RRL035P03FRATR	0.5200	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RRL035	MOSFET （金属 o化物）		Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	3.5A（ta）	4V，10V	50mohm @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	14 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 10 V	-	1W（ta）
RW1E014SNT2R	-	RFQ	2042	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RW1E014	MOSFET （金属 o化物）		6-Wemt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	8,000		n通道	30 V	1.4a（ta）	4V，10V	240MOHM @ 1.4A，10V	2.5V @ 1mA	1.4 NC @ 5 V	±20V	70 pf @ 10 V	-	400MW（TA）
R8001CND3FRATL	2.4400	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R8001	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	800 v	1A（TC）	10V	8.7ohm @ 500mA，10v	5.5V @ 1mA	7.2 NC @ 10 V	±30V	60 pf @ 25 V	-	36W（TC）
UM5K1NTR	-	RFQ	8604	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	UM5K1	MOSFET （金属 o化物）	150MW	UMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）公共来源		30V	100mA		8ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	-		13pf @ 5V	逻辑级别门
R8003knxc7g	2.4900	RFQ	477	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R8003	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	3A（3A）	10V	1.8OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 2mA	11.5 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 100 V	-	36W（TC）
SCT3030ALGC11	31.1300	RFQ	8	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT3030	sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	70A（TC）	18V	39mohm @ 27a，18v	5.6V @ 13.3mA	104 NC @ 18 V	+22V，-4V	1526 pf @ 500 V	-	262W（TC）
DTA114CAHZGT116	0.1900	RFQ	11	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTA114		350兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000														100 ma	-	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
EMB11T2R	0.3900	RFQ	26	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	Emb11		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	8,000													50V	100mA	500NA	2 PNP-）	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，5V	250MHz	10KOHMS	10KOHMS
DTA124XCAHZGT116	0.2100	RFQ	615	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTA124		350兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000														100 ma	-	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	47科姆斯

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²