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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
SH8M5TB1 Rohm Semiconductor SH8M5TB1 1.8500
RFQ
 ECAD 163 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8M5 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 6a，7a 30mohm @ 6a，10v 2.5V @ 1mA 7.2nc @ 5V 520pf @ 10V 逻辑级别门
QS6M3TR Rohm Semiconductor QS6M3Tr 0.6200
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 QS6M3 MOSFET （金属 o化物） 1.25W TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V，20V 1.5a 230MOHM @ 1.5A，4.5V 1.5V @ 1mA 1.6NC @ 4.5V 80pf @ 10V 逻辑级别门
MMST4403T146 Rohm Semiconductor MMST4403T146 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MMST4403 200兆 SMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 40 V 600 MA 100NA（ICBO） PNP 750mv @ 50mA，500mA 100 @ 150mA，1V 200MHz
2SB1561T100Q Rohm Semiconductor 2SB1561T100Q 0.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SB1561 2 w MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 60 V 2 a 100NA（ICBO） PNP 350mv @ 50mA，1a 120 @ 500mA，2V 200MHz
2SA1037AKT146R Rohm Semiconductor 2SA1037AKT146R 0.2800
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SA1037 200兆 SMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） PNP 500mv @ 5mA，50mA 180 @ 1mA，6v 140MHz
DTC144EETL Rohm Semiconductor DTC144Eetl 0.3500
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC144 150兆 EMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 47科姆斯 47科姆斯
R6015ANZFU7C8 Rohm Semiconductor R6015anzfu7c8 -
RFQ
 ECAD 5471 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6015 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 846-R6015ANZFU7C8 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 15A（TC） 10V 300MOHM @ 7.5A，10V 4.15V @ 1mA 50 NC @ 10 V ±30V 1700 PF @ 25 V - 110W（TC）
DTC143ZUBHZGTL Rohm Semiconductor dtc143zubhzgtl 0.0415
RFQ
 ECAD 9953 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SC-85 DTC143 200兆 UMT3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 100 ma - npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
FMA2AT148 Rohm Semiconductor FMA2AT148 0.4700
RFQ
 ECAD 510 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74A，SOT-753 FMA2 300MW SMT5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 250MHz 47kohms 47kohms
2SC5663T2L Rohm Semiconductor 2SC5663T2L 0.5300
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-723 2SC5663 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 12 v 500 MA 100NA（ICBO） NPN 250mv @ 10mA，200mA 270 @ 10mA，2V 320MHz
RGW60TK65DGVC11 Rohm Semiconductor RGW60TK65DGVC11 6.6900
RFQ
 ECAD 5259 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3PFM，SC-93-3 RGW60 标准 72 w to-3pfm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 400V，30a，10ohm，15V 92 ns 沟渠场停止 650 v 33 a 120 a 1.9V @ 15V，30a 480µJ（在）上，490µj（） 84 NC 37NS/114NS
R5205CNDTL Rohm Semiconductor R5205CNDTL 0.9710
RFQ
 ECAD 8123 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R5205 MOSFET （金属 o化物） CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 525 v 5A（5A） 10V 1.6OHM @ 2.5A，10V 4.5V @ 1mA 10.8 NC @ 10 V ±30V 320 pf @ 25 V - 40W（TC）
RS3E075ATTB Rohm Semiconductor RS3E075ATTB 0.9100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RS3E MOSFET （金属 o化物） 8-SOP-J 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V - 4.5V，10V 23.5MOHM @ 7.5A，10V 2.5V @ 1mA 25 NC @ 10 V ±20V 1250 pf @ 15 V - 2W（TA）
R6030JNZC8 Rohm Semiconductor R6030JNZC8 9.0800
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6030 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 360 n通道 600 v 30A（TC） 15V 143mohm @ 15a，15v 7V @ 5.5mA 74 NC @ 15 V ±30V 2500 PF @ 100 V - 93W（TC）
RQ6E055BNTCR Rohm Semiconductor RQ6E055BNTCR 0.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RQ6E055 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 5.5A（ta） 4.5V，10V 25mohm @ 5.5a，10v 2.5V @ 1mA 8.6 NC @ 10 V ±20V 355 pf @ 15 V - 1.25W（TA）
2SD1857ATV2P Rohm Semiconductor 2SD1857ATV2P -
RFQ
 ECAD 6693 0.00000000 Rohm半导体 - （TB） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 3-SIP 2SD1857 1 w ATV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,500 160 v 1.5 a 1µA（ICBO） NPN 2V @ 100mA，1a 82 @ 100mA，5V 80MHz
DTA143TMT2L Rohm Semiconductor DTA143TMT2L 0.0615
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 DTA143 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 100 @ 1mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯
2SD1760TLP Rohm Semiconductor 2SD1760TLP 0.3412
RFQ
 ECAD 9097 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SD1760 15 W CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,500 50 V 3 a 1µA（ICBO） NPN 1V @ 200mA，2a 82 @ 500mA，3v 90MHz
DTA114EEBTL Rohm Semiconductor DTA114EEBTL 0.0488
RFQ
 ECAD 4102 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTA114 150兆 EMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 50 mA 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 20 @ 5mA，5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
BCX71HT216 Rohm Semiconductor BCX71HT216 0.0822
RFQ
 ECAD 8299 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BCX71 350兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000 45 v 200 ma 100NA PNP 550mv @ 1.25mA，50mA 140 @ 2mA，5V 180MHz
2SCR513PFRAT100 Rohm Semiconductor 2SCR513PFRAT100 0.4900
RFQ
 ECAD 999 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SCR513 500兆 MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 50 V 1 a 1µA（ICBO） NPN 350mv @ 25mA，500mA 180 @ 50mA，2V 360MHz
R5021ANX Rohm Semiconductor R5021ANX 3.3797
RFQ
 ECAD 4461 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 不适合新设计 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R5021 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 500 v 21a（TC） 10V 210mohm @ 10.5a，10v 4.5V @ 1mA 64 NC @ 10 V ±30V 2300 PF @ 25 V - 50W（TC）
R6076ENZ1C9 Rohm Semiconductor R6076ENZ1C9 -
RFQ
 ECAD 5068 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 600 v 76A（TC） 10V 42MOHM @ 44.4a，10V 4V @ 1mA 260 NC @ 10 V ±20V 6500 PF @ 25 V - 120W（TC）
2SA1952TLQ Rohm Semiconductor 2SA1952TLQ -
RFQ
 ECAD 4527 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SA1952 1 w CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,500 60 V 5 a 10µA（ICBO） PNP 500mv @ 200mA，4a 120 @ 1A，2V 80MHz
2SA2029T2LQ Rohm Semiconductor 2SA2029T2LQ 0.4000
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-723 2SA2029 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） PNP 500mv @ 5mA，50mA 120 @ 1mA，6v 140MHz
SCT3080KW7TL Rohm Semiconductor SCT3080KW7TL 19.9900
RFQ
 ECAD 792 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA SCT3080 sicfet （碳化硅） TO-263-7 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCT3080KW7TLTR Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 1200 v 30A（TC） 104mohm @ 10a，18v 5.6V @ 5mA 60 NC @ 18 V +22V，-4V 785 PF @ 800 V - 159W
DTC143EEBTL Rohm Semiconductor DTC143EEBTL 0.2700
RFQ
 ECAD 744 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-89，SOT-490 DTC143 150兆 EMT3F（SOT-416FL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
2SK3065T100 Rohm Semiconductor 2SK3065T100 0.7600
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SK3065 MOSFET （金属 o化物） MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 n通道 60 V 2A（TA） 2.5V，4V 320MOHM @ 1A，4V 1.5V @ 1mA ±20V 160 pf @ 10 V - 500MW（TA）
IMH23T110 Rohm Semiconductor IMH23T110 0.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 IMH23 300MW SMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 20V 600mA - 2 NPN- 预偏（双重） 150mv @ 2.5mA，50mA 820 @ 50mA，5V 150MHz 4.7kohms -
2SA2030T2L Rohm Semiconductor 2SA2030T2L 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-723 2SA2030 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 12 v 500 MA 100NA（ICBO） PNP 250mv @ 10mA，200mA 270 @ 10mA，2V 260MHz
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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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