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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SD1484KT146R	0.4100	RFQ	716	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SD1484		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	500 MA	500NA（ICBO）	NPN	400mv @ 15mA，150mA	180 @ 10mA，3v	250MHz
RSS100N03HZGTB	1.5800	RFQ	990	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS100	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	10a（10a）	4V，10V	13.3mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	20 nc @ 5 V	±20V	1070 pf @ 10 V	-	2W（TA）
RD3H200SNTL1	1.5700	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3H200	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	45 v	20A（TA）	4V，10V	28mohm @ 20a，10v	2.5V @ 1mA	12 nc @ 5 V	±20V	950 pf @ 10 V	-	20W（TC）
2SAR502EBTL	0.3000	RFQ	8349	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	2SAR502		150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	500 MA	200NA（ICBO）	PNP	400mv @ 10mA，200mA	200 @ 100mA，2V	520MHz
2sar502ubtl	0.3000	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-85	2SAR502		200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	500 MA	200NA（ICBO）	PNP	400mv @ 10mA，200mA	200 @ 100mA，2V	520MHz
2SD1858TV2R	-	RFQ	2624	Rohm半导体	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP			1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													32 v	1 a	500NA（ICBO）	NPN	400mv @ 50mA，500mA	180 @ 100mA，3v	150MHz
SP8M5TB	-	RFQ	8928	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8M5	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V	6a，7a		30mohm @ 6a，10v	2.5V @ 1mA	7.2nc @ 5V		520pf @ 10V	逻辑级别门
RCD100N20TL	0.7590	RFQ	4074	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RCD100	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	10A（TC）	10V	182MOHM @ 5A，10V	5.25V @ 1mA	25 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	850MW（TA），20W（tc）
EMZ51T2R	0.4700	RFQ	8999	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	EMZ51		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													20V	200mA	100NA（ICBO）	NPN，PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	400MHz，350MHz
DTC143ZETL	0.3500	RFQ	77	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTC143		150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
2SB1580T100	0.4223	RFQ	5047	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SB1580		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													100 v	2 a	10µA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 1mA，1a	1000 @ 1A，2V	50MHz
2SB1238TV2P	-	RFQ	2217	Rohm半导体	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SB1238		1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													80 V	700 MA	500NA（ICBO）	PNP	400mv @ 50mA，500mA	82 @ 100mA，3v	100MHz
R5009ANX	1.4461	RFQ	7756	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R5009	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R5009ANX	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	9A（TC）	10V	720MOHM @ 4.5A，10V	4.5V @ 1mA	21 NC @ 10 V	±30V	650 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SST6838T216	0.0487	RFQ	5647	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SST6838		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000													40 V	200 ma	500NA（ICBO）	NPN	400mv @ 5mA，50mA	150 @ 10mA，5V	180MHz
DTB123EKT146	0.4500	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTB123		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	500 MA	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	39 @ 50mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
R6509knxc7g	2.7900	RFQ	4	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6509	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6509knxc7g	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	9a（9a）	10V	585MOHM @ 2.8A，10V	5V @ 230µA	16.5 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 25 V	-	48W（TC）
BSS63AT116	0.3500	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS63		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													100 v	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，100mA	30 @ 25mA，1V	200MHz
EMF24T2R	0.1035	RFQ	5362	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMF24		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50V	100mA，150mA	500NA	1 NPN预先偏见，1 NPN	300mv @ 500µA，10mA / 400mv @ 5mA，50mA	30 @ 5ma，5v / 180 @ 1mA，6v	250MHz，180MHz	10KOHMS	10KOHMS
SST2222AHZGT116	0.2100	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SST2222		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	600 MA	100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
2SD2687STP	-	RFQ	1143	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	通过洞	SC-72形成铅	2SD2687		400兆	spt	-	rohs3符合条件		到达不受影响	846-2SD2687STPTR			5,000													12 v	5 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	180 @ 2mA，6v
2SD1664T100Q	0.1694	RFQ	6906	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SD1664		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													32 v	1 a	500NA（ICBO）	NPN	400mv @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，3v	150MHz
2SD2674TL	0.4300	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	2SD2674		1 w	TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000													12 v	1.5 a	100NA（ICBO）	NPN	200mv @ 25mA，500mA	270 @ 200ma，2V	400MHz
QS5U12TR	0.6700	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	QS5U12	MOSFET （金属 o化物）		TSMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	2A（TA）	2.5V，4.5V	100mohm @ 2A，4.5V	1.5V @ 1mA	3.9 NC @ 4.5 V	±12V	175 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
umc2ntr	0.1107	RFQ	5421	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	UMC2		150MW	UMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	30mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250MHz	22KOHMS	22KOHMS
DTC023EMT2L	0.2400	RFQ	7	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	DTC023		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													50 V	100 ma	-	npn-预先偏见	200mv @ 1mA，10mA	20 @ 20mA，10v	250 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
RX3L07BBGC16	3.7200	RFQ	345	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	RX3L07	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-RX3L07BBGC16	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	105A（ta），70a（tc）	4.5V，10V	4.6mohm @ 70a，10v	2.5V @ 1mA	47 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 30 V	-	89w（ta）
2SD2701TL	0.5700	RFQ	6	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	2SD2701		800兆	Tumt3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													12 v	2 a	100NA（ICBO）	NPN	350mv @ 50mA，1a	270 @ 100mA，2V	300MHz
RDD020N60TL	0.6600	RFQ	2007	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RDD020	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	2A（TA）	10V	-	-		±30V		-	20W（TC）
2SCR543DTL	0.4515	RFQ	9913	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SCR543		10 W	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													50 V	4 a	1µA（ICBO）	NPN	350mv @ 100mA，2a	180 @ 100mA，3v	300MHz
FMA3AT148	0.1312	RFQ	6177	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-74A，SOT-753	FMA3		300MW	SMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA（ICBO）	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250MHz	4.7kohms	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²