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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BSM600D12P3G001	1.0000	RFQ	1	Rohm半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM600	（SIC）	2450W（TC）	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-BSM600D12P3G001	Ear99	8541.29.0095	4	2 n 通道（半桥）		1200V（1.2kV）	600A（TC）		-	5.6V @ 182mA	-		31000pf @ 10V	-
RQ6L035ATTCR	0.9400	RFQ	1021	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RQ6L035	MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	3.5A（ta）	4.5V，10V	78MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±20V	1190 pf @ 30 V	-	950MW（TA）
RAL045P01TCR	0.2801	RFQ	5146	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RAL045	MOSFET （金属 o化物）		Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	4.5A（ta）	1.5V，4.5V	30mohm @ 4.5A，4.5V	1V @ 1mA	40 NC @ 4.5 V	-8V	4200 PF @ 6 V	-	1W（ta）
SCT4036KRC15	22.4500	RFQ	1	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	SCT4036	sicfet （碳化硅）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT4036KRC15	Ear99	8541.29.0095	450		n通道	1200 v	43A（TC）	18V	47mohm @ 21a，18v	4.8V @ 11.1mA	91 NC @ 18 V	+21V，-4V	2335 PF @ 800 V	-	176W
DTA143XU3HZGT106	0.3800	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTA143		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
2SA2088T106Q	0.3800	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SA2088		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													60 V	500 MA	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，100mA	120 @ 50mA，2V	400MHz
DTA143EEBHZGTL	-	RFQ	6917	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-89，SOT-490	DTA143		150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														100 ma	-	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
DTA044EMT2L	0.2400	RFQ	74	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	DTA044		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													50 V	30 ma	-	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	80 @ 5mA，10v	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
RZM001P02T2CL	-	RFQ	1875年	Rohm半导体	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				RZM001	-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RZM001P02T2CLTR	Ear99	8541.21.0095	8,000											-
RJU003N03T106	0.4700	RFQ	176	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	RJU003	MOSFET （金属 o化物）		UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	300mA（TA）	2.5V，4.5V	1.1OHM @ 300mA，4.5V	1.5V @ 1mA		±12V	24 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
2SC4102T106R	0.4000	RFQ	19	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC4102		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													120 v	50 mA	500NA（ICBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	180 @ 2mA，6v	140MHz
DMC2640F0R	-	RFQ	2568	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-23-6	DMC2640		300MW	mini6-g4-b	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-DMC2640F0RTR	Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	10KOHMS
uml4ntr	0.1504	RFQ	5632	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	UML4		120兆	UMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													12 v	500 MA	100NA（ICBO）	PNP +二极管（隔离）	250mv @ 10mA，200mA	270 @ 10mA，2V	260MHz
2SB1705TL	0.2120	RFQ	6634	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	2SB1705		500兆	TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													12 v	3 a	100NA（ICBO）	PNP	250mv @ 30mA，1.5a	270 @ 500mA，2V	280MHz
2SB1326TV2R	-	RFQ	4720	Rohm半导体	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SB1326		1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													20 v	5 a	500NA（ICBO）	PNP	1V @ 100mA，4a	180 @ 500mA，2V	120MHz
R6015enxc7g	3.8300	RFQ	1	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6015	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6015ENXC7G	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	15A（TA）	10V	290MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	910 PF @ 25 V	-	60W（TC）
BCX17T116	0.3900	RFQ	5772	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCX17		425 MW	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	620mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	200MHz
EMB51T2R	0.4700	RFQ	4371	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMB51		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50V	30mA	500NA	2 PNP-）	150MV @ 500µA，5mA	60 @ 5mA，10v	250MHz	22KOHMS	22KOHMS
RJK005N03FRAT146	0.3900	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RJK005	MOSFET （金属 o化物）		SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	500mA（ta）	2.5V，4.5V	580MOHM @ 500mA，4.5V	1.5V @ 1mA	4 NC @ 4 V	±12V	60 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
DTC044EUBTL	0.3000	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-85	DTC044		200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	30 ma	-	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	80 @ 5mA，10v	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
2SA854STPR	-	RFQ	4915	Rohm半导体	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-72形成铅			300兆	spt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													32 v	500 MA	1µA（ICBO）	PNP	600mv @ 50mA，500mA	180 @ 100mA，3v	200MHz
RRS090P03TB1	-	RFQ	1552	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	9a（9a）		-	-				-	-
DTA124EMFHAT2L	0.0668	RFQ	9367	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SOT-723	DTA124		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
R6008anx	1.9208	RFQ	9730	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6008	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6008ANX	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	8A（TC）	10V	800MOHM @ 4A，10V	4.5V @ 1mA	21 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 25 V	-	50W（TC）
2SD1863TV2R	-	RFQ	9190	Rohm半导体	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SD1863		1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													80 V	1 a	1µA（ICBO）	NPN	400mv @ 20mA，500mA	180 @ 500mA，3v	100MHz
RSJ800N06TL	2.0801	RFQ	2576	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RSJ800	MOSFET （金属 o化物）		LPT	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	80a（ta）	-	-	-		-		-	-
SSTA14T116	-	RFQ	5226	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSTA14			SST3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	846-SSTA14T116TR			3,000													30 V	500 MA	100NA（ICBO）	-	-	20000 @ 100mA，5V	125MHz
rq1e100xntr	0.4572	RFQ	2461	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	RQ1E100	MOSFET （金属 o化物）		TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	10a（10a）	4V，10V	10.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	12.7 NC @ 5 V	±20V	1000 pf @ 10 V	-	550MW（TA）
R6002END3TL1	1.1000	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6002	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	1.7A（TC）	10V	3.4ohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	6.5 NC @ 10 V	±20V	65 pf @ 25 V	-	26W（TC）
FMG8AT148	0.4600	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-74A，SOT-753	FMG8		300MW	SMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	4.7kohms	47kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²