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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RXH100N03TB1	1.5300	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RXH100		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	10a（10a）	4V，10V	13mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	11 NC @ 5 V	±20V	800 pf @ 10 V	-	2W（TA）
UT6J3TCR1	1.0700	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerudfn	UT6J3		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	DFN2020-8D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	3A（3A）		85MOHM @ 3A，4.5V	1V @ 1mA	8.5nc @ 4.5V		2000pf @ 10V	-
SCT4062KEC11	15.2400	RFQ	2	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT4062		sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT4062KEC11	Ear99	8541.29.0095	450		n通道		1200 v	26a（TC）	18V	81mohm @ 12a，18v	4.8V @ 6.45mA	64 NC @ 18 V	+21V，-4V	1498 PF @ 800 V	-	115W
UMH25NTN	0.3600	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UMH25			150MW	UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															50V	100mA						500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	4.7kohms	47kohms
SCT3017ALGC11	116.8400	RFQ	3059	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT3017		sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT3017ALGC11	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	118a（TC）	18V	22.1mohm @ 47a，18v	5.6V @ 23.5mA	172 NC @ 18 V	+22V，-4V	2884 pf @ 500 V	-	427W
R6077VNZ4C13	14.2100	RFQ	600	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	R6077		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6077VNZ4C13	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	77A（TC）	10V，15V	51MOHM @ 23A，15V	6.5V @ 1.9mA	108 NC @ 10 V	±30V	5200 PF @ 100 V	-	781W（TC）
RS6G120BGTB1	3.5000	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	RS6G		MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RS6G120BGTB1DKR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	120a（ta）	4.5V，10V	1.34MOHM @ 90A，10V	2.5V @ 1mA	67 NC @ 10 V	±20V	4240 pf @ 20 V	-	104W（ta）
RH6P040BHTB1	1.8400	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-hsmt（3.2x3）	下载		3（168））	到达不受影响	846-RH6P040BHTB1CT	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		100 v	40a（TC）	6V，10V	15.6mohm @ 40a，10v	4V @ 1mA	16.7 NC @ 10 V	±20V	1080 pf @ 50 V	-	59W（TC）
DTC114EE3HZGTL	0.4100	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTC114			150兆	EMT3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000															50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
BSS670T116	0.5000	RFQ	2	Rohm半导体	Optimos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SST3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	650mA（TA）	2.5V，10V	680MOHM @ 650mA，10V	2V @ 10µA		±20V	47 pf @ 30 V	-	200mw（ta）
SCT4013DEC11	37.7600	RFQ	14	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT4013DEC11	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		750 v	105A（TJ）	18V	16.9mohm @ 58a，18v	4.8V @ 30.8mA	170 NC @ 18 V	+21V，-4V	4580 pf @ 500 V	-	312W
SCT4018KEC11	38.7800	RFQ	457	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT4018KEC11	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	81A（TJ）	18V	23.4mohm @ 42a，18v	4.8V @ 22.2mA	170 NC @ 18 V	+21V，-4V	4532 PF @ 800 V	-	312W
SCT4026DRHRC15	22.9800	RFQ	20	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4			sicfet （碳化硅）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT4026DRHRC15	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		750 v	56A（TC）	18V	34mohm @ 29a，18v	4.8V @ 15.4mA	94 NC @ 18 V	+21V，-4V	2320 PF @ 500 V	-	176W
RS6L120BGTB1	3.5900	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	120a（ta）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 90A，10V	2.5V @ 1mA	51 NC @ 10 V	±20V	3520 PF @ 30 V	-	104W（TJ）
RS6R035BHTB1	2.4900	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载		（1 （无限）		846-RS6R035BHTB1TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		150 v	35A（TC）	6V，10V	41MOHM @ 35A，10V	4V @ 1mA	25 NC @ 10 V	±20V	1470 pf @ 75 V	-	3W（3W），73W（tc）（TC）
RS6P060BHTB1	2.4200	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	RS6P060		MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	60a（TC）	6V，10V	10.6mohm @ 60a，10v	4V @ 1mA	25 NC @ 10 V	±20V	1560 pf @ 50 V	-	3W（3W），73W（tc）（TC）
R6013VND3TL1	3.0200	RFQ	90	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6013vn		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载		（1 （无限）		846-R6013VND3TL1TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		600 v	13A（TC）	10V，15V	300mohm @ 3a，15v	6.5V @ 500µA	21 NC @ 10 V	±30V	900 PF @ 100 V	-	131W（TC）
RS1P090ATTB1	2.9100	RFQ	1024	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	RS1P090		MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载		（1 （无限）					2,500		P通道		100 v	（9A）（ta），33a（tc）	4.5V，10V	34mohm @ 9a，10v	2.5V @ 1mA	125 NC @ 10 V	±20V	5650 pf @ 50 V	-	（3W）（40W）（40W）TC）
R6020YNZ4C13	6.5700	RFQ	600	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	R6020		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-R6020YNZ4C13			30		n通道		600 v	20A（TC）	10V，12V	185mohm @ 6a，12v	6V @ 1.65mA	28 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 100 V	-	182W（TC）
UT6KE5TCR	0.6800	RFQ	3681	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	UT6KE5		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	HUML2020L8	-		（1 （无限）					3,000	2 n通道			100V	2A（TA）		207MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 1mA	2.8NC @ 10V		90pf @ 50V	标准
R6027ynxc7g	5.5800	RFQ	1	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载		（1 （无限）		846-R6027ynxc7g	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	14A（TC）	10V，12V	135mohm @ 7a，12v	6V @ 2mA	40 NC @ 10 V	±30V	1670 pf @ 100 V	-	70W（TC）
R6009KND3TL1	0.9200	RFQ	3599	Rohm半导体	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-		（1 （无限）					2,500
RGTVX6TS65GC11	7.1000	RFQ	319	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGTVX6	标准		404 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，80a，10ohm，15V											沟渠场停止	650 v	144 a	320 a	1.9V @ 15V，80a	（2.65mj）（在），1.8MJ OFF）	171 NC	45NS/201NS
R6520ENZC17	6.1700	RFQ	300	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6520		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6520ENZC17	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	20A（TC）	10V	205mohm @ 9.5A，10V	4V @ 630µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	68W（TC）
R6515knzc17	4.9800	RFQ	300	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6515		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6515KNZC17	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	15A（TC）	10V	315MOHM @ 6.5A，10V	5V @ 430µA	27.5 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	60W（TC）
R6030ENZM12C8	-	RFQ	1373	Rohm半导体	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6030		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	846-R6030ENZM12C8	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	30A（TC）	10V	130MOHM @ 14.5A，10V	4V @ 1mA	85 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	120W（TC）
R6520ENZC8	-	RFQ	9518	Rohm半导体	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6520		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	846-R6520ENZC8	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	20A（TC）	10V	205mohm @ 9.5A，10V	4V @ 630µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	68W（TC）
RE1L002SNTL	0.4000	RFQ	52	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	RE1L002		MOSFET （金属 o化物）		EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	250mA（ta）	10V	2.4OHM @ 250mA，10V	2.3V @ 1mA		±20V	15 pf @ 25 V	-	150MW（TA）
RF6E045AJTCR	0.6300	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RF6E045		MOSFET （金属 o化物）		Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	4.5A（ta）	4.5V	23.7MOHM @ 4.5A，4.5V	1.5V @ 1mA	8.1 NC @ 4.5 V	±12V	900 pf @ 15 V	-	1W（TC）
SCT3080ARC15	11.8400	RFQ	9965	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	SCT3080		SIC （硅碳化物交界晶体管）		TO-247-4L	下载		3（168））	到达不受影响	846-SCT3080ARC15	Ear99	8541.29.0095	450		n通道		650 v	30A（TJ）	18V	104mohm @ 10a，18v	5.6V @ 5mA	48 NC @ 18 V	+22V，-4V	571 PF @ 500 V	-	134W

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²