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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
MMST6428T146	0.1069	RFQ	9908	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMST6428		200兆	SMD3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	200 ma	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	250 @ 1mA，5V	700MHz
SH8M51GZETB	1.7100	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8M51	MOSFET （金属 o化物）	1.4W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		100V	3A（3A），2.5A（2.5A）		170MOHM @ 3A，10V，290MOHM @ 2.5A，10V	2.5V @ 1mA	8.5nc @ 5v，12.5nc @ 5v		610pf @ 25V，1550pf @ 25V	-
2SB1326TV2Q	-	RFQ	8352	Rohm半导体	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SB1326		1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													20 v	5 a	500NA（ICBO）	PNP	1V @ 100mA，4a	120 @ 500mA，2V	120MHz
DTA143EUBTL	0.2000	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-85	DTA143		200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
RHU003N03T106	0.0964	RFQ	8166	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-	表面安装	SC-70，SOT-323	Rhu003	MOSFET （金属 o化物）		UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	300mA（TA）	4V，10V	1.2OHM @ 300mA，10V	-		±20V	20 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
SH8K26GZ0TB	0.8400	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8K26	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	6a（6a）		38mohm @ 6a，10v	2.5V @ 1mA	2.9nc @ 5V		280pf @ 10V	-
2SC5866TLQ	0.4700	RFQ	11	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	2SC5866		500兆	TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													60 V	2 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，1a	120 @ 100mA，2V	200MHz
FMG9AT248	-	RFQ	6436	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-74A，SOT-753	FMG9		300MW	SMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000													50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250MHz	10KOHMS	10KOHMS
umg1ntr	0.4300	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	UMG1		300MW	UMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250MHz	22KOHMS	22KOHMS
2SD2537T100V	0.8400	RFQ	9919	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SD2537		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													25 v	1.2 a	300NA（ICBO）	NPN	300mv @ 10mA，500mA	820 @ 500mA，5V	200MHz
RV4E031RPTCR1	-	RFQ	9855	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	6 PowerWFDFN	RV4E031	MOSFET （金属 o化物）		DFN1616-6W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RV4E031RPTCR1TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	3.1a（ta）	4.5V，10V	105MOHM @ 3.1A，10V	2.5V @ 1mA	4.8 NC @ 5 V	±20V	460 pf @ 10 V	-	1.5W
DTC043ZMT2L	0.3100	RFQ	143	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	DTC043		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	80 @ 5mA，10v	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
2SA1776TV2Q	-	RFQ	7190	Rohm半导体	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SA1776		1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													400 v	500 MA	1µA（ICBO）	PNP	1V @ 10mA，100mA	120 @ 50mA，5V	12MHz
R6006JND3TL1	2.4200	RFQ	32	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6006	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	6A（TC）	15V	936mohm @ 3A，15V	7V @ 800µA	15.5 NC @ 15 V	±30V	410 pf @ 100 V	-	86W（TC）
R6530knzc17	6.5000	RFQ	300	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6530	MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6530knzc17	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	30A（TC）	10V	140MOHM @ 14.5A，10V	5V @ 960µA	56 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 25 V	-	86W（TC）
RQ6E050AJTCR	0.6100	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RQ6E050	MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	5A（5A）	2.5V，4.5V	35mohm @ 5A，4.5V	1.5V @ 1mA	4.7 NC @ 4.5 V	±12V	520 pf @ 15 V	-	950MW（TA）
RSS040P03FU6TB	-	RFQ	3947	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS040	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	4A（ta）	4V，10V	58mohm @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	8 nc @ 5 V	±20V	800 pf @ 10 V	-	2W（TA）
R6006anx	1.5214	RFQ	6491	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6006	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	6A（TC）	10V	1.2OHM @ 3A，10V	4.5V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±30V	520 pf @ 25 V	-	40W（TC）
DTD723YETL	0.1126	RFQ	7232	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-75，SOT-416	DTD723		150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	200 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	140 @ 100mA，2V	260 MHz	2.2 kohms	10 kohms
2SD2607FU6	-	RFQ	3685	Rohm半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			2 w	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500													100 v	8 a	10µA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 6mA，3a	1000 @ 2a，3v	40MHz
RQ5E025ATTCL	0.5100	RFQ	16	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RQ5E025	MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	2.5a（ta）	10V	91MOHM @ 2.5A，10V	2.5V @ 1mA	2.7 NC @ 4.5 V	±20V	220 pf @ 15 V	-	1W（TC）
UM5K1NTR	-	RFQ	8604	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	UM5K1	MOSFET （金属 o化物）	150MW	UMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）公共来源		30V	100mA		8ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	-		13pf @ 5V	逻辑级别门
R8003knxc7g	2.4900	RFQ	477	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R8003	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	3A（3A）	10V	1.8OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 2mA	11.5 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 100 V	-	36W（TC）
SCT3030ALGC11	31.1300	RFQ	8	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT3030	sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	70A（TC）	18V	39mohm @ 27a，18v	5.6V @ 13.3mA	104 NC @ 18 V	+22V，-4V	1526 pf @ 500 V	-	262W（TC）
DTA114CAHZGT116	0.1900	RFQ	11	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTA114		350兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														100 ma	-	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
EMB11T2R	0.3900	RFQ	26	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	Emb11		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50V	100mA	500NA	2 PNP-）	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，5V	250MHz	10KOHMS	10KOHMS
DTA124XCAHZGT116	0.2100	RFQ	615	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTA124		350兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														100 ma	-	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
RSS050P03TB	0.4572	RFQ	2115	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS050	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	5A（5A）	4V，10V	42MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	13 NC @ 5 V	±20V	1200 pf @ 10 V	-	2W（TA）
2SAR583D3TL1	1.5300	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			10 W	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													50 V	7 a	1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 150mA，3a	180 @ 1A，3V	230MHz
RRH100P03GZETB	1.6800	RFQ	7	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RRH100	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道	30 V	10a（10a）	4V，10V	12.6mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	68 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 10 V	-	650MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²