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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | R6511knjtl | 4.0600 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | R6511 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 11A(TC) | 10V | 400MOHM @ 3.8A,10V | 5V @ 320µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 760 pf @ 25 V | - | 124W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | RTR025N05HZGTL | 0.6900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RTR025 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 45 v | 2.5a(ta) | 2.5V,4.5V | 130mohm @ 2.5a,4.5V | 1.5V @ 1mA | 3.2 NC @ 4.5 V | ±12V | 250 pf @ 10 V | - | 700MW(TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | RQ5C025TPTL | 0.6300 | ![]() | 5947 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RQ5C025 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 2.5a(ta) | 2.5V,4.5V | 95MOHM @ 2.5a,4.5V | 2V @ 1mA | 7 NC @ 4.5 V | ±12V | 630 pf @ 10 V | - | 700MW(TA) | |||||||||||||||||||||
RS3G160ATTB1 | 2.4800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RS3G | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RS3G160ATTB1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 40 V | 16A(TA) | 4.5V,10V | 6.2MOHM @ 16a,10v | 2.5V @ 1mA | 120 NC @ 10 V | ±20V | 6250 pf @ 20 V | - | 1.4W(TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | DTC143ZEBTL | 0.2700 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | DTC143 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1468STPQ | - | ![]() | 5982 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | SC-72形成铅 | 2SD1468 | 300兆 | spt | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 846-2SD1468STPQTR | 5,000 | 15 v | 1 a | 500NA | NPN | 500mv @ 1mA,10mA | 180 @ 2mA,6v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VT6T11T2R | 0.4200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | VT6T11 | 150MW | VMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 20V | 200mA | 100NA(ICBO) | 2 PNP (双) | 300mv @ 10mA,100mA | 120 @ 1mA,2V | 350MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RCJ050N25TL | 0.4772 | ![]() | 9153 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RCJ050 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 250 v | 5A(TC) | 10V | 1.36ohm @ 2.5a,10v | 5.5V @ 1mA | 8.5 NC @ 10 V | ±30V | 350 pf @ 25 V | - | 1.56W(ta),30W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | ES6U42FU7T2CR | - | ![]() | 3891 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-ES6U42FU7T2CRTR | 过时的 | 8,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSQ015N06HZGTR | 0.6600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | RSQ015 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT6(SC-95) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 1.5A(TA) | 4V,10V | 290MOHM @ 1.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 2 NC @ 5 V | ±20V | 110 pf @ 10 V | - | 950MW(TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | EMH1T2R | 0.1084 | ![]() | 6183 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EMH1T2 | 150MW | EMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 500µA,10mA | 56 @ 5mA,5V | 250MHz | 22KOHMS | 22KOHMS | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR587D3TL1 | 1.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 10 W | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-2SCR587D3TL1CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 120 v | 3 a | 1µA(ICBO) | NPN | 120mv @ 100mA,1a | 120 @ 100mA,5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RX3P12BATC16 | 6.8300 | ![]() | 1682年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | RX3P12 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | 846-RX3P12BATC16 | 50 | P通道 | 100 v | 120a(ta) | 6V,10V | 12.3mohm @ 60a,10v | 4V @ 1mA | 385 NC @ 10 V | ±20V | 16600 PF @ 50 V | - | 201W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4617EBTLP | 0.0463 | ![]() | 4915 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | 2SC4617 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 150 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 400mv @ 5mA,50mA | 120 @ 1mA,6v | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA125TKAT146 | 0.0561 | ![]() | 2584 | 0.00000000 | Rohm半导体 | DTA125T | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA125 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 300mv @ 50µA,500µA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 200 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1807TLP | - | ![]() | 5253 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 2SA1807 | 1 w | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 600 v | 1 a | 10µA(ICBO) | PNP | 1V @ 60mA,300mA | 82 @ 100mA,5V | 15MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1857TV2R | - | ![]() | 7791 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | 3-SIP | 2SD1857 | 1 w | ATV | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 120 v | 2 a | 1µA(ICBO) | NPN | 2V @ 100mA,1a | 180 @ 100mA,5V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HP8S36TB | 0.7100 | ![]() | 5783 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | HP8S36 | - | 29W | 8-hsop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(半桥) | 30V | 27a,80a | 2.4mohm @ 32a,10v | 2.5V @ 1mA | 47NC @ 4.5V | 6100pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | RX3L07BGNC16 | 3.0400 | ![]() | 342 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | RX3L07 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 60 V | 70a(ta) | 4.5V,10V | 7.2MOHM @ 70A,10V | 2.5V @ 50µA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 2600 PF @ 30 V | - | 96w(ta) | |||||||||||||||||||||
SP8K5TB | - | ![]() | 4828 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SP8K5 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 3.5a | 83mohm @ 3.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 3.5nc @ 5V | 140pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | dta124eubhzgtl | 0.2200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-85 | DTA124 | 200兆 | UMT3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 56 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3040KRC15 | 27.1400 | ![]() | 2661 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-4 | SCT3040 | SIC (硅碳化物交界晶体管) | TO-247-4L | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 846-SCT3040KRC15 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | n通道 | 1200 v | 55A(TJ) | 18V | 52Mohm @ 20a,18v | 5.6V @ 10mA | 107 NC @ 18 V | +22V,-4V | 1337 PF @ 800 V | - | 262W | |||||||||||||||||||||
![]() | RQ1E075XNTCR | 0.8400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | RQ1E075 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 7.5A(ta) | 4V,10V | 17mohm @ 7.5a,10v | 2.5V @ 1mA | 6.8 NC @ 5 V | ±20V | 440 pf @ 10 V | - | 1.1W(TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | RGTH00TS65GC13 | 6.2300 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | rgth00 | 标准 | 277 w | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGTH00TS65GC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,50a,10ohm,15V | 沟渠场停止 | 650 v | 85 a | 200 a | 2.1V @ 15V,50a | - | 94 NC | 39NS/143NS | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1774EBTLP | 0.0683 | ![]() | 3769 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | 2SA1774 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 150 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 5mA,50mA | 120 @ 1mA,6v | 140MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1858TV2R | - | ![]() | 2624 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | 3-SIP | 1 w | ATV | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 32 v | 1 a | 500NA(ICBO) | NPN | 400mv @ 50mA,500mA | 180 @ 100mA,3v | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR514RHZGTL | 0.7900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | 500兆 | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-2SCR514RHZGTLTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 80 V | 700 MA | 1µA(ICBO) | NPN | 300mv @ 15mA,300mA | 120 @ 100mA,3v | 320MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | US6X7TR | 0.5800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | US6X7 | 400MW | Tumt6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12V | 1.5a | 100NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 200mv @ 25mA,500mA | 270 @ 200ma,2V | 400MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TT8U2TCR | - | ![]() | 3621 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | TT8U2 | MOSFET (金属 o化物) | 8-TSST | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 2.4A(TA) | 1.5V,4.5V | 105mohm @ 2.4a,4.5V | 1V @ 1mA | 6.7 NC @ 4.5 V | ±10V | 850 pf @ 10 V | Schottky 二极管(孤立) | 1.25W(TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | DTA123JMT2L | 0.3500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTA123 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47科姆斯 |
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