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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
DTC143TE3TL	0.3700	RFQ	3	Rohm半导体	DTA123J	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTC143		150兆	EMT3	-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	pnp- +二极管	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
2SCR346PT100Q	0.6200	RFQ	16	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SCR346		500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000													400 v	100 ma	10µA（ICBO）	NPN	300mv @ 2mA，20mA	82 @ 10mA，10v	-
VT6X1T2R	0.4800	RFQ	9449	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD	VT6X1		150MW	VMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													20V	200mA	100NA（ICBO）	2 NPN （双）	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，2V	400MHz
DTC115GU3HZGT106	0.3700	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-70，SOT-323	DTC115		200兆	UMT3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	82 @ 5mA，5V	250 MHz		100 kohms
DTC023EEBTL	0.1900	RFQ	28	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-89，SOT-490	DTC023		150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	-	npn-预先偏见	200mv @ 1mA，10mA	20 @ 20mA，10v	250 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
SCT3105KRHRC15	12.5400	RFQ	1715年	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	SCT3105	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4L	下载		3（168））	到达不受影响	846-SCT3105KRHRC15	Ear99	8541.29.0095	450		n通道	1200 v	24A（TC）	18V	137MOHM @ 7.6A，18V	5.6V @ 3.81mA	51 NC @ 18 V	+22V，-4V	574 PF @ 800 V	-	134W
RQ6E035ATTCR	0.4000	RFQ	5609	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RQ6E035	MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	3.5A（ta）	4.5V，10V	50mohm @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	10 NC @ 10 V	±20V	475 PF @ 15 V	-	1.25W（TA）
SH8K12TB1	0.4204	RFQ	7019	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8K12	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	5a		42MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	4NC @ 5V		250pf @ 10V	逻辑级别门
2SB1181TLQ	0.9300	RFQ	6732	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SB1181		10 W	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													80 V	1 a	1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，3v	100MHz
SCT2280KeGC11	13.0500	RFQ	3081	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-247-3	SCT2280	sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT2280KeGC11	Ear99	8541.29.0095	450		n通道	1200 v	14A（TC）	18V	364mohm @ 4a，18v	4V @ 1.4mA	36 NC @ 18 V	+22V，-6V	667 PF @ 800 V	-	108W（TC）
DTA143EUBTL	0.2000	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-85	DTA143		200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
RS6R060BHTB1	3.3200	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	60a（ta）	6V，10V	21.8mohm @ 60a，10v	4V @ 1mA	46 NC @ 10 V	±20V	2750 pf @ 75 V	-	104W（TC）
SSTA56T116	0.4400	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSTA56		350兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													80 V	500 MA	1µA	PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
2SD1898T100Q	0.5100	RFQ	143	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SD1898		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													80 V	1 a	1µA（ICBO）	NPN	400mv @ 20mA，500mA	120 @ 500mA，3v	100MHz
DTA123JU3T106	0.2000	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTA123		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														100 ma	-	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
RD3P100SNTL1	1.5100	RFQ	17	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3P100	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	10a（10a）	4V，10V	133mohm @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	18 nc @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	20W（TC）
SH8K26GZ0TB	0.8400	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8K26	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	6a（6a）		38mohm @ 6a，10v	2.5V @ 1mA	2.9nc @ 5V		280pf @ 10V	-
RHU003N03T106	0.0964	RFQ	8166	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-	表面安装	SC-70，SOT-323	Rhu003	MOSFET （金属 o化物）		UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	300mA（TA）	4V，10V	1.2OHM @ 300mA，10V	-		±20V	20 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
DTC343TKT146	0.5500	RFQ	715	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC343		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													15 v	600 MA	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	80mv @ 2.5mA，50mA	100 @ 50mA，5V	200 MHz	2.2 kohms
2SCR574D3TL1	0.8500	RFQ	5511	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SCR574		10 W	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													80 V	2 a	1µA（ICBO）	NPN	300mv @ 50mA，1a	120 @ 100mA，3v	280MHz
2SCR572D3TL1	0.8500	RFQ	14	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SCR572		10 W	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													30 V	5 a	1µA（ICBO）	NPN	400mv @ 100mA，2a	200 @ 500mA，3V	300MHz
2SAR502E3TL	0.3900	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	2SAR502		150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	500 MA	200NA（ICBO）	PNP	400mv @ 10mA，200mA	200 @ 100mA，2V	520MHz
FMA10AT148	0.1119	RFQ	5817	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-74A，SOT-753	FMA10		300MW	SMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	2 PNP-）	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 5mA，5V	250MHz	1KOHMS	10KOHMS
2SB1427T100U	-	RFQ	3042	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SB1427		2 w	MPT3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	846-2SB1427T100UTR			1,000													20 v	2 a	500NA（ICBO）	NPN	450mv @ 150mA，1.5a	180 @ 500mA，2V
RV3CA01ZPT2CL	0.5500	RFQ	16	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	RV3CA01	MOSFET （金属 o化物）		VML0604	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		P通道	20 v	（100mA）（TA）	1.5V，4.5V	3.8OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 100µA		±10V	7.5 pf @ 10 V	-	100mW（TA）
BSS4130AHZGT116	0.5300	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS4130		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	1 a	100NA（ICBO）	NPN	340mv @ 50mA，500mA	270 @ 100mA，2V	400MHz
DTB743ZETL	0.1049	RFQ	8172	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-75，SOT-416	DTB743		150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	200 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	140 @ 100mA，2V	260 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
umh2ntn	0.4700	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UMH2		150MW	UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250MHz	47kohms	47kohms
EMD4T2R	0.3900	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMD4T2		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA / 300mv @ 250µA，5mA	68 @ 5mA，5V	250MHz	47KOHM，10KOHM	47kohms
DTC144VUAT106	-	RFQ	4517	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-70，SOT-323	DTC144		200兆	UMT3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	30 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	10 kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²