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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RTQ035N03HZGTR	0.7000	RFQ	1910	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RTQ035		MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		30 V	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	54mohm @ 3.5A，4.5V	1.5V @ 1mA	6.4 NC @ 4.5 V	±12V	285 pf @ 10 V	-	950MW（TA）
RSD200N10TL	-	RFQ	5729	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RSD200		MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	20A（TA）	4V，10V	52MOHM @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	48.5 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	20W（TC）
UT6MA3TCR	0.9600	RFQ	15	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	UT6MA3		-	2W	HUML2020L8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道			20V	5a，5.5a		59MOHM @ 5A，4.5V	1.5V @ 1mA	6.5nc @ 4.5V		460pf @ 10V	-
RGTV80TK65DGVC11	7.1000	RFQ	450	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3PFM，SC-93-3	RGTV80	标准		85 w	to-3pfm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGTV80TK65DGVC11	Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，10ohm，15V											101 ns	沟渠场停止	650 v	39 a	160 a	1.9V @ 15V，40a	1.02MJ（在）上（710µJ off）	81 NC	39NS/113NS
SH8K12TB1	0.4204	RFQ	7019	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8K12		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			30V	5a		42MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	4NC @ 5V		250pf @ 10V	逻辑级别门
EMH25T2R	0.4200	RFQ	345	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMH25			150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																50V	100mA						500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	4.7kohms	47kohms
ES6U42FU7T2R	-	RFQ	4455	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-ES6U42FU7T2RTR	过时的		8,000
DTA114TE3HZGTL	0.4100	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTA114			150兆	EMT3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-DTA114TE3HZGTLCT	Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
QH8KC6TCR	1.2000	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QH8KC6		MOSFET （金属 o化物）	1.1W（TA）	TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			60V	5.5A（ta）		30mohm @ 5.5A，10V	2.5V @ 1mA	7.6nc @ 10V		460pf @ 30V	-
R6024knxc7g	5.5800	RFQ	970	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6024		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6024KNXC7G	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	24A（24A）	10V	165mohm @ 11.3a，10v	5V @ 1mA	45 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	74W（TC）
RS1E281BNTB1	1.9300	RFQ	940	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	RS1E		MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	28a（28a）（80A）（80a tc）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 28A，10V	2.5V @ 1mA	94 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 15 V	-	（3W）（TA）
R6509enjtl	3.4100	RFQ	88	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R6509		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		650 v	9A（TC）	10V	585MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 230µA	24 NC @ 10 V	±20V	430 pf @ 25 V	-	94W（TC）
RA1C030LDT5CL	0.4800	RFQ	14	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN			MOSFET （金属 o化物）		DSN1006-3	下载		（1 （无限）		846-RA1C030LDT5CLCT	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道		20 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	140MOHM @ 3A，4.5V	1.5V @ 1mA	1.5 NC @ 4.5 V	+7V，-0.2V	150 pf @ 10 V	-	1W（ta）
2SCR552PT100	0.6000	RFQ	475	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SCR552			2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																30 V	3 a						1µA（ICBO）	NPN	400mv @ 50mA，1a	200 @ 500mA，2V	280MHz
RD3P08BBDTL	3.0500	RFQ	9	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3P08		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	80a（ta）	6V，10V	11.6mohm @ 80a，10v	4V @ 1mA	37 NC @ 10 V	±20V	1940 pf @ 50 V	-	119w（ta）
R6520KNX3C16	4.5300	RFQ	952	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	R6520		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6520KNX3C16	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	20A（TC）	10V	205mohm @9.5A，10V	5V @ 630µA	40 NC @ 10 V	±20V	1550 pf @ 25 V	-	220W（TC）
SH8M4TB1	0.8831	RFQ	5604	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8M4		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道			30V	9a，7a		18mohm @ 9a，10v	2.5V @ 1mA	15nc @ 5V		1190pf @ 10V	逻辑级别门
QH8KB5TCR	0.7400	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QH8KB5		MOSFET （金属 o化物）	1.1W（TA）	TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			40V	4.5A（ta）		44mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 1mA	3.5nc @ 10V		150pf @ 20V	-
RQ5A025ZPTL	0.6400	RFQ	2715	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RQ5A025		MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		12 v	2.5a（ta）	1.5V，4.5V	61MOHM @ 2.5a，4.5V	1V @ 1mA	13 NC @ 4.5 V	±10V	1350 pf @ 6 V	-	760MW（TA）
EMD62T2R	0.4700	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMD62			150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																50V	100mA						500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	150MV @ 500µA，5mA	80 @ 5mA，10v	250MHz	47kohms	47kohms
QST4TR	-	RFQ	8289	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	QST			1.25 w	TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																12 v	3 a						100NA（ICBO）	PNP	250mv @ 30mA，1.5a	270 @ 500mA，2V	280MHz
R6008FNX	2.5064	RFQ	7182	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6008		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6008FNX	Ear99	8541.29.0095	500		n通道		600 v	8A（TC）	10V	950MOHM @ 4A，10V	4V @ 1mA	20 nc @ 10 V	±30V	580 pf @ 25 V	-	50W（TC）
QH8M22TCR	1.2800	RFQ	20	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QH8M22		MOSFET （金属 o化物）	1.1W（TA）	TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道			40V	4.5a（ta），2a（ta）		46mohm @ 4.5a，10v，190mohm @ 2a，10v	2.5V @ 10µA，3V @ 1mA	2.6nc @ 10v，9.5nc @ 10v		193pf @ 20v，450pf @ 20V	-
RQ1A070ZPHZGTR	0.5900	RFQ	6467	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	8-SMD，平坦的铅					TSMT8	-		（1 （无限）					3,000
SH8MA3TB1	1.0100	RFQ	19	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8MA3		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道			30V	（7a ta），6a（ta）		28mohm @ 7a，10v，50mohm @ 6a，10v	2.5V @ 1mA	7.2nc @ 10V，10NC @ 10V		300pf @ 15V，480pf @ 15V	-
RHK003N06T146	0.5200	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RHK003		MOSFET （金属 o化物）		SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	300mA（TA）	4V，10V	1欧姆 @ 300mA，10V	2.5V @ 1mA	6 NC @ 10 V	±20V	33 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
RRS130N03TB1	-	RFQ	9588	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	13A（TA）		9.5MOHM @ 13A，10V	-	45 NC @ 5 V		2600 PF @ 10 V	-	-
SCT2280KEC	-	RFQ	9972	Rohm半导体	-	管子	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT2280		sicfet （碳化硅）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SCT2280KECU	Ear99	8541.29.0095	360		n通道		1200 v	14A（TC）	18V	364mohm @ 4a，18v	4V @ 1.4mA	36 NC @ 18 V	+22V，-6V	667 PF @ 800 V	-	108W（TC）
R6020JNZC8	7.0000	RFQ	30	Rohm半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360		n通道		600 v	20A（TC）	15V	234mohm @ 10a，15v	7V @ 3.5mA	45 NC @ 15 V	±30V	1500 pf @ 100 V	-	76W（TC）
R6006KND3TL1	2.1700	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6006		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		600 v	6A（TC）	10V	830mohm @ 3a，10v	5.5V @ 1mA	12 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	70W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²