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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
DTC114TMFHAT2L	0.0668	RFQ	7465	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SOT-723	DTC114		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
EMH2T2R	0.3900	RFQ	88	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMH2T2		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250MHz	47kohms	47kohms
2SC4620TV2Q	-	RFQ	6906	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SC4620		1 w	ATV	-	rohs3符合条件		到达不受影响	846-2SC4620TV2QTR			2,500													400 v	100 ma	10µA（ICBO）	PNP	500mv @ 1mA，10mA	180 @ 2mA，6v
2SD2143TL	0.9700	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SD2143		10 W	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													60 V	2 a	1µA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 1mA，1a	1000 @ 1A，2V	-
DTC114EKAT146	0.2600	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC114		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	50 mA	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
R6007knx	1.2054	RFQ	3213	Rohm半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6007	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	7A（TC）	10V	620MOHM @ 2.4a，10V	5V @ 1mA	14.5 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 25 V	-	46W（TC）
2SCR513PFRAT100	0.4900	RFQ	999	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SCR513		500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													50 V	1 a	1µA（ICBO）	NPN	350mv @ 25mA，500mA	180 @ 50mA，2V	360MHz
2SAR533P5T100	0.4600	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SAR533		500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													50 V	3 a	1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 50mA，1a	180 @ 50mA，3v	300MHz
DTD113ZSTP	-	RFQ	6632	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	SC-72形成铅	DTD113		300兆	spt	-	rohs3符合条件		到达不受影响	846-DTD113ZSTPTR			5,000													50 V	500 MA	500NA	npn- +二极管	300mv @ 2.5mA，50mA	82 @ 50mA，5V	200 MHz	1 kohms	10 kohms
BC848BHZGT116	0.1900	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	200MHz
RUQ050N02HZGTR	0.9300	RFQ	4	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RUQ050	MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	5A（5A）	1.5V，4.5V	30mohm @ 5A，4.5V	1V @ 1mA	12 nc @ 4.5 V	±10V	900 pf @ 10 V	-	950MW（TA）
DTA114EUAT106	0.2600	RFQ	18	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-70，SOT-323	DTA114		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	50 mA	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
RDX120N50FU6	-	RFQ	7814	Rohm半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RDX120	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	12a（12a）	10V	500mohm @ 6a，10v	4V @ 1mA	45 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	45W（TC）
UT6K30TCR	1.2100	RFQ	7	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	UT6K30	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	HUML2020L8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	3A（3A）		153MOHM @ 3A，10V	2.7V @ 50µA	2.1nc @ 10V		110pf @ 30V	-
QS5W2TR	0.6300	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	QS5W2		1.25W	TSMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000													50V	3a	1µA（ICBO）	2 NPN （双）常见发射极	350mv @ 50mA，1a	180 @ 50mA，3v	320MHz
2SD1759TL	0.5175	RFQ	5332	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SD1759		1 w	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													40 V	2 a	1µA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 1.2mA，600mA	1000 @ 500mA，3V	150MHz
DTC114TCAT116	0.2800	RFQ	904	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC114		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
2SC4115STP	-	RFQ	7788	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-72形成铅	2SC4115		400兆	spt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													20 v	2 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，2a	270 @ 100mA，2V	290MHz
FMA3AT148	0.1312	RFQ	6177	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-74A，SOT-753	FMA3		300MW	SMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA（ICBO）	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250MHz	4.7kohms	-
2SAR554P5T100	0.5100	RFQ	460	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SAR554		500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													80 V	1.5 a	1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 25mA，500mA	120 @ 100mA，3v	340MHz
DTC123EU3T106	0.2000	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTC123		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	-	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 20mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
2SD2391T100Q	0.7600	RFQ	548	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SD2391		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													60 V	2 a	100NA（ICBO）	NPN	350mv @ 50mA，1a	120 @ 500mA，2V	210MHz
2SCR542F3TR	0.6800	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子	2SCR542		1 w	HUML2020L3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000													30 V	3 a	100NA（ICBO）	NPN	200mv @ 50mA，1a	200 @ 500mA，2V	250MHz
RQ3E120ATTB	0.7700	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	RQ3E120	MOSFET （金属 o化物）		8-hsmt（3.2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	12a（12a）	4.5V，10V	8mohm @ 12a，10v	2.5V @ 1mA	62 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 15 V	-	2W（TA）
uma6ntr	0.0840	RFQ	1842年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	UMA6		150MW	UMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA（ICBO）	2 PNP-）	300mv @ 500µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250MHz	47kohms	-
2SD2211T100R	0.3833	RFQ	5938	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SD2211		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													160 v	1.5 a	1µA（ICBO）	NPN	2V @ 100mA，1a	180 @ 100mA，5V	80MHz
EMD12T2R	0.4000	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMD12		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250MHz	47kohms	47kohms
FMA2AT148	0.4700	RFQ	510	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-74A，SOT-753	FMA2		300MW	SMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	2 PNP-）	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250MHz	47kohms	47kohms
RSF015N06FRATL	0.4200	RFQ	7	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅	RSF015	MOSFET （金属 o化物）		Tumt3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	1.5A（TA）	4V，10V	290MOHM @ 1.5A，10V	2.5V @ 1mA	2 NC @ 5 V	±20V	110 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
RD3L220SNTL1	1.6700	RFQ	13	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3L220	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	22a（22a）	4V，10V	26mohm @ 22a，10v	3V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 10 V	-	20W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²