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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
EMF24T2R	0.1035	RFQ	5362	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMF24		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50V	100mA，150mA	500NA	1 NPN预先偏见，1 NPN	300mv @ 500µA，10mA / 400mv @ 5mA，50mA	30 @ 5ma，5v / 180 @ 1mA，6v	250MHz，180MHz	10KOHMS	10KOHMS
2SD1864TV2R	-	RFQ	3502	Rohm半导体	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SD1864		1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													50 V	3 a	1µA（ICBO）	NPN	1V @ 200mA，2a	180 @ 500mA，3v	90MHz
BCX71HT116	0.1069	RFQ	2660	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCX71		350兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	200 ma	100NA	PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	140 @ 2mA，5V	180MHz
DTC343TKT146	0.5500	RFQ	715	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC343		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													15 v	600 MA	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	80mv @ 2.5mA，50mA	100 @ 50mA，5V	200 MHz	2.2 kohms
2SB1386T100Q	0.6100	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SB1386		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													20 v	5 a	500NA（ICBO）	PNP	1V @ 100mA，4a	120 @ 500mA，2V	120MHz
QS5Y2FSTR	0.6400	RFQ	19	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	QS5Y2		500MW	TSMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50V	3a	1µA（ICBO）	NPN，PNP （发射器耦合）	350mv @ 50mA，1a / 400mv @ 50mA，1a	180 @ 50mA，3v	320MHz，300MHz
SP8M7FU6TB	-	RFQ	2256	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8M7	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V	5a，7a		51MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	5.5nc @ 5V		230pf @ 10V	逻辑级别门
2SCRC41CHZGT116S	0.5300	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SCRC41		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													120 v	50 mA	500NA（ICBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	180 @ 2mA，6v	140MHz
R6011enxc7g	3.2800	RFQ	998	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6011	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6011enxc7g	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	11a（11a）	10V	390MOHM @ 3.8A，10V	4V @ 1mA	32 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	53W（TC）
RTR030P02HZGTL	0.9000	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RTR030	MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	75MOHM @ 3A，4.5V	2V @ 34µA	9.3 NC @ 4.5 V	±12V	840 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
R6530KNZ4C13	6.8600	RFQ	441	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	R6530	MOSFET （金属 o化物）		TO-247G	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6530KNZ4C13	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	30A（TC）	10V	140MOHM @ 14.5A，10V	5V @ 960µA	56 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 25 V	-	305W（TC）
2SB1238TV2P	-	RFQ	2217	Rohm半导体	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SB1238		1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													80 V	700 MA	500NA（ICBO）	PNP	400mv @ 50mA，500mA	82 @ 100mA，3v	100MHz
DTC143TEBTL	0.0366	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTC143		150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
2SAR533P5T100	0.4600	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SAR533		500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													50 V	3 a	1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 50mA，1a	180 @ 50mA，3v	300MHz
DTD113ECT116	0.3700	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTD113		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	500 MA	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	33 @ 50mA，5V	200 MHz	1 kohms	1 kohms
RUS100N02TB	2.1500	RFQ	238	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RUS100	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	10a（10a）	1.5V，4.5V	12mohm @ 10a，4.5V	1V @ 1mA	24 NC @ 4.5 V	±10V	2250 pf @ 10 V	-	2W（TA）
2SA1577T106Q	0.3300	RFQ	14	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SA1577		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													32 v	500 MA	1µA（ICBO）	PNP	600mv @ 30mA，300mA	120 @ 100mA，3v	200MHz
RSS100N03HZGTB	1.5800	RFQ	990	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS100	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	10a（10a）	4V，10V	13.3mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	20 nc @ 5 V	±20V	1070 pf @ 10 V	-	2W（TA）
QH8KC6TCR	1.2000	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QH8KC6	MOSFET （金属 o化物）	1.1W（TA）	TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	5.5A（ta）		30mohm @ 5.5A，10V	2.5V @ 1mA	7.6nc @ 10V		460pf @ 30V	-
BC858BWT106	0.3600	RFQ	3850	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC858		350兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	210 @ 2mA，5V	250MHz
2SD2704KT146	0.3800	RFQ	51	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SD2704		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													20 v	300 MA	100NA（ICBO）	NPN	100mv @ 3mA，30mA	820 @ 4mA，2V	35MHz
DTC114ECAT116	0.4400	RFQ	7546	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC114		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	50 mA	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
DTA115EUAT106	0.3000	RFQ	275	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-70，SOT-323	DTA115		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	20 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	82 @ 5mA，5V	250 MHz	100 kohms	100 kohms
R5009ANX	1.4461	RFQ	7756	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R5009	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R5009ANX	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	9A（TC）	10V	720MOHM @ 4.5A，10V	4.5V @ 1mA	21 NC @ 10 V	±30V	650 pf @ 25 V	-	50W（TC）
FMG8AT148	0.4600	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-74A，SOT-753	FMG8		300MW	SMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	4.7kohms	47kohms
EMB4T2R	0.1035	RFQ	3963	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMB4T2		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50V	100mA	-	2 PNP-）	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250MHz	10KOHMS	-
RRS075P03Z00TB1	-	RFQ	8989	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-RRS075P03Z00TB1TR	过时的		2,500				-
R8002knxc7g	2.0300	RFQ	960	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R8002	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	1.6a（ta）	10V	4.2OHM @ 800mA，10V	4.5V @ 150µA	7.5 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 100 V	-	28W（TC）
2SB1236TV2R	-	RFQ	1906年	Rohm半导体	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP			1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													120 v	1.5 a	1µA（ICBO）	PNP	2V @ 100mA，1a	180 @ 100mA，5V	50MHz
2SA1807TLP	-	RFQ	5253	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SA1807		1 w	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													600 v	1 a	10µA（ICBO）	PNP	1V @ 60mA，300mA	82 @ 100mA，5V	15MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²