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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SH8JB5TB1	2.3400	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8JB5	MOSFET （金属 o化物）	1.4W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SH8JB5TB1TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		40V	8.5a（ta）		15.3mohm @ 8.5a，10v	2.5V @ 1mA	51NC @ 10V		2870pf @ 20V	-
DTC113ZCAT116	0.2800	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC113		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 5mA，5V	250 MHz	1 kohms	10 kohms
R6015enx	3.8100	RFQ	23	Rohm半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6015	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	15A（TC）	10V	290MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	910 PF @ 25 V	-	40W（TC）
SCT3160KLHRC11	15.8100	RFQ	900	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	不适合新设计	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT3160	sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	1200 v	17a（TC）	18V	208MOHM @ 5A，18V	5.6V @ 2.5mA	42 NC @ 18 V	+22V，-4V	398 PF @ 800 V	-	103W
R6030ENZC17	6.9600	RFQ	300	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6030	MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6030NZC17	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	30A（TC）	10V	130MOHM @ 14.5A，10V	4V @ 1mA	85 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	120W（TC）
RW1C026ZPT2CR	0.4900	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RW1C026	MOSFET （金属 o化物）		6-Wemt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		P通道	20 v	2.5a（ta）	1.5V，4.5V	70MOHM @ 2.5a，4.5V	1V @ 1mA	10 NC @ 4.5 V	±10V	1250 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
R6076MNZ1C9	-	RFQ	2188	Rohm半导体	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	R6076	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		n通道	600 v	76A（TC）	10V	55mohm @ 38a，10v	5V @ 1mA	115 NC @ 10 V	±30V	7000 PF @ 25 V	-	740W（TC）
2SAR372P5T100R	0.6300	RFQ	975	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SAR372		500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													120 v	700 MA	1µA（ICBO）	PNP	360mv @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，5V	300MHz
SCT3022ALHRC11	73.6000	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT3022	sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	93A（TC）	18V	28.6mohm @ 36a，18v	5.6V @ 18.2mA	133 NC @ 18 V	+22V，-4V	2208 PF @ 500 V	-	339W
RTR025N03HZGTL	0.6500	RFQ	4	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RTR025	MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	92MOHM @ 2.5A，4.5V	1.5V @ 1mA	4.6 NC @ 4.5 V	±12V	220 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
R6055VNXC7G	8.6000	RFQ	1	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6055VN	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载		（1 （无限）		846-R6055VNXC7G	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	23A（TC）	10V，15V	71mohm @ 16a，15v	6.5V @ 1.5mA	80 NC @ 10 V	±30V	3700 PF @ 100 V	-	100W（TC）
RHK003N06T146	0.5200	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RHK003	MOSFET （金属 o化物）		SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	300mA（TA）	4V，10V	1欧姆 @ 300mA，10V	2.5V @ 1mA	6 NC @ 10 V	±20V	33 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
2SD1468STPQ	-	RFQ	5982	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	通过洞	SC-72形成铅	2SD1468		300兆	spt	-	rohs3符合条件		到达不受影响	846-2SD1468STPQTR			5,000													15 v	1 a	500NA	NPN	500mv @ 1mA，10mA	180 @ 2mA，6v
DTA015EUBTL	0.0536	RFQ	3872	Rohm半导体	DTA015E	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-85	DTA015		200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	80 @ 5mA，10v	250 MHz	100 kohms	100 kohms
DTB143TKT146	0.1312	RFQ	8849	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTB143		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	500 MA	500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	100 @ 50mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯
SST6839T116	0.0973	RFQ	1778年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SST6839		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	200 ma	500NA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，100mA	100 @ 1mA，5V	140MHz
RS3E180ATTB1	2.7700	RFQ	2172	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RS3E	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	18A（18A）	4.5V，10V	5.4mohm @ 18a，10v	2.5V @ 5mA	160 NC @ 10 V	±20V	7200 PF @ 15 V	-	1.4W（TA）
2SC4132T100P	0.3748	RFQ	5659	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SC4132		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													120 v	2 a	1µA（ICBO）	NPN	2V @ 100mA，1a	82 @ 100mA，5V	80MHz
DTD543XMT2L	0.1035	RFQ	3661	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	DTD543		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													12 v	500 MA	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 5mA，100mA	140 @ 100mA，2V	260 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
2SAR542F3TR	0.5700	RFQ	980	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子	2SAR542		2.1 w	HUML2020L3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000													30 V	3 a	100NA（ICBO）	PNP	200mv @ 50mA，1a	200 @ 500mA，2V	240MHz
RF6C055BCTCR	0.7500	RFQ	2580	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RF6C055	MOSFET （金属 o化物）		Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5.5A（ta）	4.5V	25.8mohm @ 5.5A，4.5V	1.2V @ 1mA	15.2 NC @ 4.5 V	±8V	1080 pf @ 10 V	-	1W（TC）
SH8M70TB1	-	RFQ	6862	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8M70	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		250V	3a，2.5a		1.63OHM @ 1.5A，10V	4V @ 1mA	5.2nc @ 10V		180pf @ 25V	-
RDX050N50FU6	-	RFQ	1179	Rohm半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RDX050	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	5A（5A）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	4V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	35W（TC）
DTC023EUBTL	0.2900	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-85	DTC023		200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	-	npn-预先偏见	200mv @ 1mA，10mA	20 @ 20mA，10v	250 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
R6012anjtl	2.3167	RFQ	6973	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R6012	MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	12a（12a）	10V	420MOHM @ 6A，10V	4.5V @ 1mA	35 NC @ 10 V	±30V	1300 pf @ 25 V	-	100W（TC）
RT1A040ZPTR	0.3749	RFQ	5670	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C	表面安装	8-SMD，平坦的铅	RT1A040	MOSFET （金属 o化物）		8-TSST	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	4A（ta）	1.5V，4.5V	30mohm @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	30 NC @ 4.5 V	±10V	2350 pf @ 6 V	-	1.25W（TA）
EMH53T2R	0.3900	RFQ	7	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMH53		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													50V	100mA	500NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	150MV @ 500µA，5mA	100 @ 5mA，10v	250MHz	4.7kohms	-
DTA013ZEBTL	0.2600	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-89，SOT-490	DTA013		150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	30 @ 5mA，10v	250 MHz	1 kohms	10 kohms
EMD29T2R	0.4500	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMD29		120MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50V，12V	100mA，500mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA / 300mv @ 5mA，100mA	30 @ 5mA，5v / 140 @ 100mA，2V	250MHz，260MHz	1KOHMS，10KOHMS	10KOHMS
DTC114TCAHZGT116	0.2100	RFQ	6011	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC114		350兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²