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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
RGS50TSX2GC11 Rohm Semiconductor RGS50TSX2GC11 8.1700
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGS50 标准 395 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGS50TSX2GC11 Ear99 8541.29.0095 30 600V，25a，10ohm，15V 沟渠场停止 1200 v 50 a 75 a 2.1V @ 15V，25a 1.4MJ（在）上，1.65MJ OFF） 67 NC 37NS/140NS
RGW50TS65GC11 Rohm Semiconductor RGW50TS65GC11 4.7400
RFQ
 ECAD 8799 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 标准 156 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 400V，25a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 50 a 100 a 1.9V @ 15V，25a （390µJ）（在430µJ上） 73 NC 35NS/102NS
RGW50TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGW50TK65GVC11 5.5100
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3PFM，SC-93-3 标准 67 W to-3pfm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 400V，25a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 30 a 100 a 1.9V @ 15V，25a （390µJ）（在430µJ上） 73 NC 35NS/102NS
2SCR554PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SCR554PHZGT100 0.6900
RFQ
 ECAD 175 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 500兆 SOT-89 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 80 V 1.5 a 1µA（ICBO） NPN 300mv @ 25mA，500mA 120 @ 100mA，3v 300MHz
EMB52T2R Rohm Semiconductor EMB52T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMB52 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500NA 2（PNP 预偏（双重） 150MV @ 500µA，5mA 80 @ 5mA，10v 250MHz 47kohms 47kohms
DTA124ECAHZGT116 Rohm Semiconductor DTA124ECAHZGT116 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTA124 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 56 @ 5mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
DTC123JCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTC123JCAHZGT116 0.3700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTC123 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 47科姆斯
QH8KB6TCR Rohm Semiconductor QH8KB6TCR 1.1100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QH8KB6 MOSFET （金属 o化物） 1.1W（TA） TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 8a（8a） 17.7MOHM @ 8A，10V 2.5V @ 1mA 10.6nc @ 10V 530pf @ 20V -
RGSX5TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGSX5TS65HRC11 8.9300
RFQ
 ECAD 395 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGSX5TS65 标准 404 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGSX5TS65HRC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，75A，10欧姆，15V 沟渠场停止 650 v 114 a 225 a 2.15V @ 15V，75a 3.32MJ（在）上，1.9MJ off） 79 NC 43ns/113ns
2SCR563F3TR Rohm Semiconductor 2SCR563F3TR 0.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-udfn裸露的垫子 1 w HUML2020L3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 3,000 50 V 6 a 1µA（ICBO） NPN 350mv @ 150mA，3a 180 @ 500mA，3v 200MHz
RGSX5TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGSX5TS65EHRC11 11.7500
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGSX5TS65 标准 404 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGSX5TS65EHRC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，75A，10欧姆，15V 116 ns 沟渠场停止 650 v 114 a 225 a 2.15V @ 15V，75a 3.44MJ（在）上，1.9MJ off） 79 NC 43ns/113ns
RRS090P03HZGTB Rohm Semiconductor RRS090P03HZGTB 1.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RRS090 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 9a（9a） 4V，10V 15.4mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA 30 NC @ 5 V ±20V 3000 pf @ 10 V - 2W（TA）
SCT2280KEHRC11 Rohm Semiconductor SCT2280KeHRC11 15.1500
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SCT2280 sicfet （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCT2280KEHRC11 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 14A（TC） 18V 364mohm @ 4a，18v 4V @ 1.4mA 36 NC @ 400 V +22V，-6V 667 PF @ 800 V - 108W（TC）
RGW80TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGW80TS65HRC11 6.9900
RFQ
 ECAD 5388 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGW80 标准 214 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGW80TS65HRC11 Ear99 8541.29.0095 450 400V，20a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 80 a 160 a 1.9V @ 15V，40a 110 NC 42NS/148NS
RQ3G110ATTB Rohm Semiconductor RQ3G110ATTB 1.6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RQ3G110 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 40 V （11a）（ta），35a（tc） 4.5V，10V 12.4mohm @ 11a，10v 2.5V @ 1mA 46 NC @ 10 V ±20V 2750 pf @ 20 V - 2W（TA）
R6511KND3TL1 Rohm Semiconductor R6511knd3tl1 2.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R6511 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 11A（TC） 10V 400MOHM @ 3.8A，10V 5V @ 320µA 22 NC @ 10 V ±20V 760 pf @ 25 V - 124W（TC）
R6520ENXC7G Rohm Semiconductor R6520ENXC7G 5.3400
RFQ
 ECAD 987 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6520 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6520ENXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 20A（TA） 10V 205mohm @ 9.5A，10V 4V @ 630µA 61 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 25 V - 68W（TC）
R6020KNXC7G Rohm Semiconductor R6020knxc7g 4.9000
RFQ
 ECAD 775 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6020 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6020knxc7g Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 20A（TA） 10V 196mohm @ 9.5a，10V 5V @ 1mA 40 NC @ 10 V ±20V 1550 pf @ 25 V - 68W（TC）
R6524KNXC7G Rohm Semiconductor R6524knxc7g 5.5800
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6524 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6524KNXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 24A（24A） 10V 185mohm @ 11.3a，10v 5V @ 750µA 45 NC @ 10 V ±20V 1850 pf @ 25 V - 74W（TC）
R6002ENHTB1 Rohm Semiconductor R6002ENHTB1 1.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） R6002 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 1.7A（TA） 10V 3.4ohm @ 500mA，10v 4V @ 1mA 6.5 NC @ 10 V ±20V 65 pf @ 25 V - 2W（TA）
BSS138BKT116 Rohm Semiconductor BSS138BKT116 0.4200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BSS138 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 400mA（TA） 2.5V，10V 680MOHM @ 400mA，10V 2V @ 10µA ±20V 47 pf @ 30 V - 200mw（ta）
RS3E130ATTB1 Rohm Semiconductor RS3E130ATTB1 2.0500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RS3E MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 13A（TA） 4.5V，10V 8.5MOHM @ 13A，10V 2.5V @ 2mA 83 NC @ 10 V ±20V 3730 PF @ 15 V - 1.4W（TA）
RGS00TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGS00TS65EHRC11 9.6400
RFQ
 ECAD 7821 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGS00 标准 326 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGS00TS65EHRC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，50a，10ohm，15V 113 ns 沟渠场停止 650 v 88 a 150 a 2.1V @ 15V，50a - 58 NC 36NS/115NS
RQ3E100BNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E100BNTB1 1.0700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RQ3E100 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 10a（10A），21a （TC） 4.5V，10V 10.4mohm @ 10a，10v 2.5V @ 1mA 22 NC @ 10 V ±20V 1100 pf @ 15 V - 2W（TA），15W（TC）
RXL035N03TCR Rohm Semiconductor RXL035N03TCR 0.7800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 RXL035 MOSFET （金属 o化物） Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 3.5A（ta） 4V，10V 50mohm @ 3.5A，10V 2.5V @ 1mA 3.3 NC @ 5 V ±20V 180 pf @ 10 V - 910MW（TA）
RQ3E070BNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E070BNTB1 0.9300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RQ3E070 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V （7A）（TA），15a （TC） 4.5V，10V 27mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 8.9 NC @ 10 V ±20V 410 pf @ 15 V - 2W（TA），13W（tc）
RGW40TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGW40TK65GVC11 5.4100
RFQ
 ECAD 1287 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3PFM，SC-93-3 RGW40 标准 61 w to-3pfm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGW40TK65GVC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，20a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 27 a 80 a 1.9V @ 15V，20A （330µJ）（在300µJ上） 59 NC 33NS/76NS
RGTH60TS65GC13 Rohm Semiconductor RGTH60TS65GC13 5.2100
RFQ
 ECAD 8180 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGTH60 标准 194 w TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGTH60TS65GC13 Ear99 8541.29.0095 30 400V，30a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 58 a 120 a 2.1V @ 15V，30a - 58 NC 27NS/105NS
RGW40TK65DGVC11 Rohm Semiconductor RGW40TK65DGVC11 6.3500
RFQ
 ECAD 3728 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3PFM，SC-93-3 RGW40 标准 61 w to-3pfm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGW40TK65DGVC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，20a，10ohm，15V 92 ns 沟渠场停止 650 v 27 a 80 a 1.9V @ 15V，20A - 59 NC 33NS/76NS
RXH090N03TB1 Rohm Semiconductor RXH090N03TB1 1.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RXH090 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 9a（9a） 4V，10V 17mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA 6.8 NC @ 5 V ±20V 440 pf @ 10 V - 2W（TA）
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    2000+

    每日平均RFQ量

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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