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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SC4726TLP	0.5000	RFQ	14	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	2SC4726		150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													11 V	50 mA	500NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，10mA	56 @ 5mA，10v	3.2GHz
RCJ120N20TL	1.3000	RFQ	33	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RCJ120	MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	12A（TC）	10V	325MOHM @ 6A，10V	5.25V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±30V	740 pf @ 25 V	-	1.56W（ta），40W（TC）
SCT4013DRC15	42.4300	RFQ	881	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	SCT4013	sicfet （碳化硅）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT4013DRC15	Ear99	8541.29.0095	450		n通道	750 v	105A（TC）	18V	16.9mohm @ 58a，18v	4.8V @ 30.8mA	170 NC @ 18 V	+21V，-4V	4580 pf @ 500 V	-	312W
EMX2T2R	0.3900	RFQ	3604	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	EMX2T2		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													50V	150mA	100NA（ICBO）	2 NPN （双）	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
DTD114ECHZGT116	0.2800	RFQ	4	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTD114		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														500 MA	-	npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	56 @ 50mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
FMS1AT148	0.1382	RFQ	6466	Rohm半导体	*	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计				FMS1AT148				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
RD3P100SNFRATL	1.6300	RFQ	617	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3P100	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	10a（10a）	4V，10V	133mohm @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	18 nc @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	20W（TC）
2SK2103T100	0.7700	RFQ	72	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SK2103	MOSFET （金属 o化物）		MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道	30 V	2A（TA）	4V，10V	400MOHM @ 1A，10V	2.5V @ 1mA		±20V	230 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
DTC323TKT146	0.4000	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC323		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													15 v	600 MA	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	80mv @ 2.5mA，50mA	100 @ 50mA，5V	200 MHz	2.2 kohms
R6007RND3TL1	1.5800	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6007	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	7A（TC）	15V	940MOHM @ 3.5A，15V	7V @ 1mA	17.5 NC @ 15 V	±30V	460 pf @ 100 V	-	96W（TC）
DTA043TUBTL	0.0536	RFQ	1772年	Rohm半导体	DTA043T	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-85	DTA043		200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	100 @ 5mA，10v	250 MHz	4.7科姆斯
UT6KE5TCR	0.6800	RFQ	3681	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	UT6KE5	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	HUML2020L8	-		（1 （无限）					3,000	2 n通道		100V	2A（TA）		207MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 1mA	2.8NC @ 10V		90pf @ 50V	标准
RD3U060CNTL1	1.5600	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3U060	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	250 v	6A（TC）	10V	530MOHM @ 3A，10V	5V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±30V	840 pf @ 25 V	-	52W（TC）
DTC123JKAT146	0.2600	RFQ	161	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC123		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
R6547KNZ4C13	15.3400	RFQ	7294	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	R6547	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6547KNZ4C13	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	47A（TC）	10V	80mohm @ 25.8a，10v	5V @ 1.72mA	100 nc @ 10 V	±20V	4100 PF @ 25 V	-	480W（TC）
VT6T12T2R	0.4200	RFQ	7	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	VT6T12		150MW	VMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													50V	100mA	100NA（ICBO）	2 PNP （双）	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
R8011knxc7g	5.0300	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R8011	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	11a（11a）	10V	450MOHM @ 5.5A，10V	4.5V @ 5.5mA	37 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 100 V	-	65W（TC）
DTC144EMT2L	0.4700	RFQ	15	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	DTC144		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													50 V	30 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
BSS5130AT116	0.4400	RFQ	321	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS5130		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	1 a	100NA（ICBO）	PNP	380mv @ 25mA，500mA	270 @ 100mA，2V	320MHz
RSQ035N03HZGTR	0.6900	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RSQ035	MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	3.5A（ta）	4V，10V	62MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	7.4 NC @ 5 V	±20V	290 pf @ 10 V	-	950MW（TA）
SH8MA4TB1	1.2200	RFQ	6	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8MA4	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V	9a（9A），8.5a ta（8.5a）		21.4mohm @ 9a，10v，29.6mohm @ 8.5a，10v	2.5V @ 1mA	15.5nc @ 10v，19.6nc @ 10V		640pf @ 15V，890pf @ 15V	-
R6530ENZC17	6.5000	RFQ	300	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6530	MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6530ENZC17	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	30A（TC）	10V	140MOHM @ 14.5A，10V	4V @ 960µA	90 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	86W（TC）
ES6U1T2R	0.4000	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		6-Wemt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		P通道	12 v	1.3a（ta）	1.5V，4.5V	260MOHM @ 1.3A，4.5V	1V @ 1mA	2.4 NC @ 4.5 V	±10V	290 pf @ 6 V	Schottky 二极管（孤立）	700MW（TA）
DTC114TE3TL	0.3700	RFQ	3	Rohm半导体	DTC143T	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTC114		150兆	EMT3	-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
SP8M24FRATB	1.8100	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8M24	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		45V	4.5A（ta），3.5a（ta）		46mohm @ 4.5a，10v，63mohm @ 3.5a，10v	2.5V @ 1mA	9.6nc @ 5v，18.2nc @ 5v		550pf @ 10V，1700pf @ 10V	-
RSD150N06TL	0.5924	RFQ	5921	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RSD150	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	15A（TA）	4V，10V	40mohm @ 15a，10v	3V @ 1mA	18 nc @ 10 V	±20V	930 PF @ 10 V	-	20W（TC）
2SAR523EBTL	0.1900	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	2SAR523		150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
UMT2907AT106	0.3800	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	UMT2907		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													60 V	600 MA	100NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
IMT1AT108	0.5000	RFQ	314	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	IMT1		300MW	SMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50V	150mA	100NA（ICBO）	2 PNP （双）	500mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	140MHz
2SCR372PFRAT100Q	0.3494	RFQ	5937	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SCR372		500兆	MPT3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													120 v	700 MA	1µA（ICBO）	NPN	300mv @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，5V	220MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²