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6028）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
DMP6250SFDF-7 Diodes Incorporated DMP6250SFDF-7 0.2741
RFQ
 ECAD 9652 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMP6250 MOSFET （金属 o化物） U-DFN2020-6（f型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 60 V 3.2A（ta） 4.5V，10V 155MOHM @ 2A，10V 3V @ 250µA 8.9 NC @ 10 V ±20V 612 PF @ 20 V - 800MW（TA）
DMN3009SFG-7 Diodes Incorporated DMN3009SFG-7 0.7700
RFQ
 ECAD 298 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMN3009 MOSFET （金属 o化物） PowerDI3333-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 n通道 30 V 16a（16A），45A（tc） 4.5V，10V 5.5MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±20V 2000 pf @ 15 V - 900MW（TA）
DMP3099LQ-13 Diodes Incorporated DMP3099LQ-13 0.0550
RFQ
 ECAD 8688 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DMP3099 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 P通道 30 V 3.8A（TA） 4.5V，10V 65mohm @ 3.8A，10V 2.1V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±20V 563 pf @ 25 V - 1.08W
BC857BTQ-7 Diodes Incorporated BC857BTQ-7 0.0439
RFQ
 ECAD 1994 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-523 BC857 150兆 SOT-523 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 ma 15NA（icbo） PNP 650mv @ 5mA，100mA 220 @ 2mA，5V 100MHz
DMN95H2D2HCTI Diodes Incorporated DMN95H2D2HCTI -
RFQ
 ECAD 9449 0.00000000 二极管合并 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 DMN95 MOSFET （金属 o化物） ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 950 v 6A（TC） 10V 2.2OHM @ 3A，10V 5V @ 250µA 20.3 NC @ 10 V ±30V 1487 PF @ 25 V - 40W（TC）
DMP45H4D9HJ3 Diodes Incorporated DMP45H4D9HJ3 0.7487
RFQ
 ECAD 1570年 0.00000000 二极管合并 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，短线索 DMP45 MOSFET （金属 o化物） TO-251 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 75 P通道 450 v 4.6A（TC） 10V 4.9Ohm @ 1.05a，10V 5V @ 250µA 13.7 NC @ 10 V ±30V 547 PF @ 25 V - 104W（TC）
DMP68D0LFB-7B Diodes Incorporated DMP68D0LFB-7B 0.0490
RFQ
 ECAD 9309 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 3-UFDFN MOSFET （金属 o化物） X1-DFN1006-3 下载 到达不受影响 31-DMP68D0LFB-7BTR Ear99 8541.29.0095 10,000 P通道 65 v 192ma（ta） 2.5V，5V 8ohm @ 100mA，5v 2.1V @ 250µA 4.1 NC @ 5 V ±20V 36 pf @ 30 V - 500MW
DMNH4011SK3-13 Diodes Incorporated DMNH4011SK3-13 -
RFQ
 ECAD 2844 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DMNH4011 MOSFET （金属 o化物） TO-252-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 DMNH4011SK3-13DI Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 50A（TC） 10V 10mohm @ 50a，10v 4V @ 250µA 25.5 NC @ 10 V ±20V 1405 pf @ 20 V - 2.6W（ta）
DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated DMN2014LHAB-7 0.5200
RFQ
 ECAD 9650 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-UFDFN暴露垫 DMN2014 MOSFET （金属 o化物） 800MW U-DFN2030-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 9a 13mohm @ 4A，4.5V 1.1V @ 250µA 16nc @ 4.5V 1550pf @ 10V 逻辑级别门
DMT10H010LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H010LSS-13 1.4000
RFQ
 ECAD 3280 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMT10 MOSFET （金属 o化物） 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 11.5a（ta），29.5a tc） 4.5V，10V 9.5MOHM @ 13A，10V 2.8V @ 250µA 71 NC @ 10 V ±20V 3000 pf @ 50 V - 1.4W（TA）
MMBF170Q-13-F Diodes Incorporated MMBF170Q-13-F 0.0522
RFQ
 ECAD 8909 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MMBF170 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MMBF170Q-13-FDI Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 60 V 500mA（ta） 4.5V，10V 5ohm @ 200mA，10v 3V @ 250µA ±20V 40 pf @ 10 V - 300MW（TA）
DMG2302UKQ-13 Diodes Incorporated DMG2302UKQ-13 0.0831
RFQ
 ECAD 5145 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DMG2302 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 20 v 2.8A（ta） 2.5V，4.5V 90MOHM @ 3.6A，4.5V 1V @ 250µA 2.8 NC @ 10 V ±12V 130 pf @ 10 V - 660MW（TA）
DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated DMC21D1UDA-7B 0.4100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 DMC21 MOSFET （金属 o化物） 300MW X2-DFN0806-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道 20V 455ma（ta），328ma（ta） 990MOHM @ 100mA，4.5V，1.9OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.41NC @ 4.5V，0.4NC @ 4.5V 31pf @ 15V，28.5pf @ 15V -
DMN21D1UDA-7B Diodes Incorporated DMN21D1UDA-7B 0.1017
RFQ
 ECAD 2687 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 DMN21 MOSFET （金属 o化物） 310MW X2-DFN0806-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 20V 455ma（ta） 990MOHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.41NC @ 4.5V 31pf @ 15V -
DMP3011SPSW-13 Diodes Incorporated DMP3011SPSW-13 0.2672
RFQ
 ECAD 3411 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 8-POWERTDFN DMP3011 MOSFET （金属 o化物） PowerDI5060-8（type UX） - 31-DMP3011SPSW-13 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V （14A）（65A）（65A）（TC） 4.5V，10V 10mohm @ 11.5a，10v 3V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±25V 2380 pf @ 15 V - 1.8W（TA）
BC846AQ-7-F Diodes Incorporated BC846AQ-7-F 0.0340
RFQ
 ECAD 9756 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BC846 310 MW SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 31-BC846AQ-7-FTR Ear99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 ma 15NA NPN 600mv @ 5mA，100mA 110 @ 2mA，5V 300MHz
ZVP2110ASTZ Diodes Incorporated ZVP2110ASTZ 0.3675
RFQ
 ECAD 1067 0.00000000 二极管合并 - （TB） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 E-Line-3 ZVP2110 MOSFET （金属 o化物） to-92兼容） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 P通道 100 v 230ma（ta） 10V 8ohm @ 375mA，10v 3.5V @ 1mA ±20V 100 pf @ 25 V - 700MW（TA）
DMP6023LFG-7 Diodes Incorporated DMP6023LFG-7 0.9100
RFQ
 ECAD 8330 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMP6023 MOSFET （金属 o化物） PowerDI3333-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 60 V 7.7a（ta） 4.5V，10V 25mohm @ 5A，10V 3V @ 250µA 53.1 NC @ 10 V ±20V 2569 PF @ 30 V - 1W（ta）
DMP1045UQ-7 Diodes Incorporated DMP1045UQ-7 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DMP1045 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 12 v 4A（ta） 1.8V，4.5V 31MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 250µA 15.8 NC @ 4.5 V ±8V 1357 PF @ 10 V - 800MW（TA）
DMNH4011SPSQ-13 Diodes Incorporated DMNH4011SPSQ-13 0.9700
RFQ
 ECAD 6609 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMNH4011 MOSFET （金属 o化物） PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 12.9a（ta），100A（tc） 10V 10mohm @ 50a，10v 4V @ 250µA 25.5 NC @ 10 V ±20V 1405 pf @ 20 V - 2.5W（TA），150W（TC）
DMT3006LFG-7 Diodes Incorporated DMT3006LFG-7 0.7900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMT3006 MOSFET （金属 o化物） PowerDI3333-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 30 V 16a（16A），55.6A（TC） 4.5V，10V 6mohm @ 12a，10v 3V @ 250µA 22.6 NC @ 10 V ±20V 1320 pf @ 15 V - 27.8W（TC）
DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated DMN62D1LFD-7 0.4300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 3-udfn DMN62 MOSFET （金属 o化物） X1-DFN1212-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 400mA（TA） 1.8V，4V 2ohm @ 100mA，4V 1V @ 250µA 0.55 NC @ 4.5 V ±20V 36 pf @ 25 V - 500MW（TA）
DMN62D0UT-13 Diodes Incorporated DMN62D0UT-13 0.0500
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-523 DMN62 MOSFET （金属 o化物） SOT-523 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMN62D0UT-13DI Ear99 8541.29.0095 10,000 n通道 60 V 320mA（TA） 1.8V，2.5V，4.5V 2ohm @ 50mA，4.5V 1V @ 250a 0.5 NC @ 4.5 V ±20V 32 pf @ 30 V - 230mw（TA）
DMTH8012LK3-13 Diodes Incorporated DMTH8012LK3-13 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DMTH8012 MOSFET （金属 o化物） TO-252-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 80 V 50A（TC） 4.5V，10V 16mohm @ 12a，10v 3V @ 250µA 34 NC @ 10 V ±20V 1949 PF @ 40 V - 2.6W（ta）
DMT31M6LPS-13 Diodes Incorporated DMT31M6LPS-13 0.5593
RFQ
 ECAD 2359 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMT31 MOSFET （金属 o化物） PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 35.8a（ta） 4.5V，10V 1.35MOHM @ 20A，10V 3V @ 250µA 123 NC @ 10 V ±20V 7019 pf @ 15 V - 2.5W（TA）
DMP2200UDW-7 Diodes Incorporated DMP2200UDW-7 0.4100
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMP2200 MOSFET （金属 o化物） 450MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 900mA 260MOHM @ 880mA，4.5V 1.2V @ 250µA 2.1nc @ 4.5V 184pf @ 10V -
DXTN5860DFDB-7 Diodes Incorporated DXTN5860DFDB-7 0.5300
RFQ
 ECAD 6306 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 3-udfn裸露的垫子 690兆 U-DFN202020-3（B型） 下载 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 60 V 6 a 100NA NPN 315mv @ 300mA，6a 280 @ 500mA，2V 115MHz
DMN2029USD-13 Diodes Incorporated DMN2029USD-13 0.4000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMN2029 MOSFET （金属 o化物） 1.2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 5.8a 25mohm @ 6.5a，4.5V 1.5V @ 250µA 18.6nc @ 8v 1171pf @ 10V 逻辑级别门
BSS84DW-7 Diodes Incorporated BSS84DW-7 -
RFQ
 ECAD 1390 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS84 MOSFET （金属 o化物） 300MW SOT-363 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 50V 130mA 10ohm @ 100mA，5v 2V @ 1mA - 45pf @ 25V 逻辑级别门
DMP2066LDMQ-7 Diodes Incorporated DMP2066LDMQ-7 0.1465
RFQ
 ECAD 6922 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 DMP2066 MOSFET （金属 o化物） SOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 4.6a（ta） 2.5V，4.5V 40mohm @ 4.6A，4.5V 1.2V @ 250µA 10.1 NC @ 4.5 V ±12V 820 pf @ 15 V - 1.25W（TA）
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    2000+

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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