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6028）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
DMC1028UFDB-13	0.2730	RFQ	2365	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-udfn暴露垫	DMC1028		MOSFET （金属 o化物）	1.36W	U-DFN2020-6（B型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMC1028UFDB-13DI	Ear99	8541.29.0095	10,000	n和p通道				12V，20V	6a，3.4a		25mohm @ 5.2A，4.5V	1V @ 250µA	18.5nc @ 8v		787pf @ 6V	-
DMP3008SFGQ-13	1.2100	RFQ	6	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powervdfn	DMP3008		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道			30 V	8.6a（ta）	4.5V，10V	17mohm @ 10a，10v	2.1V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	2230 pf @ 15 V	-	900MW（TA）
BSS138Q-7-F	0.2900	RFQ	21	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS138		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道			50 V	200ma（ta）	10V	3.5OHM @ 220mA，10V	1.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 10 V	-	300MW（TA）
DMG2302UQ-7	0.4000	RFQ	3996	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMG2302		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道			20 v	4.2A（ta）	2.5V，4.5V	90MOHM @ 3.6A，4.5V	1V @ 50µA	7 NC @ 4.5 V	±8V	594.3 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
DMG2302UQ-13	0.4000	RFQ	6	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMG2302		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道			20 v	4.2A（ta）	2.5V，4.5V	90MOHM @ 3.6A，4.5V	1V @ 50µA	7 NC @ 4.5 V	±8V	594.3 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
DMN3023L-13	0.0930	RFQ	8065	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜155°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN3023		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN3023L-13DI	Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道			30 V	6.2a（ta）	2.5V，10V	25mohm @ 4A，10V	1.8V @ 250µA	18.4 NC @ 10 V	±20V	873 PF @ 15 V	-	900MW（TA）
DMJ70H1D3SI3	-	RFQ	7861	二极管合并	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	DMJ70		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（TH3 3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道			700 v	4.6A（TC）	10V	1.3OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	13.9 NC @ 10 V	±30V	351 PF @ 50 V	-	41W（TC）
DMN3032LFDBQ-7	0.5400	RFQ	120	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-udfn暴露垫	DMN3032		MOSFET （金属 o化物）	1W	U-DFN2020-6（B型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）				30V	6.2a		30mohm @ 5.8A，10V	2V @ 250µA	10.6nc @ 10V		500pf @ 15V	-
DMNH4011SK3Q-13	0.4939	RFQ	7703	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMNH4011		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			40 V	50A（TC）	10V	10mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	25.5 NC @ 10 V	±20V	1405 pf @ 20 V	-	2.6W（ta）
DMTH3002LPS-13	1.2100	RFQ	9034	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	8-POWERTDFN	DMTH3002		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			30 V	100A（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	77 NC @ 10 V	±16V	5000 pf @ 15 V	-	1.2W（TA），136W（tc）
DMNH4015SSDQ-13	0.3969	RFQ	1638年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMNH4015		MOSFET （金属 o化物）	1.4W，2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）				40V	8.6a（ta）		15mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	33nc @ 10V		1938pf @ 15V	-
DMN3024SFG-7	0.4100	RFQ	1	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powervdfn	DMN3024		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道			30 V	7.5A（ta）	4.5V，10V	23mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±25V	479 pf @ 15 V	-	900MW（TA）
DMB54D0UV-7	-	RFQ	9102	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	45V PNP，50V n通道		通用目的	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMB54				SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			100mA PNP，160mA n通道																						PNP，N通道
DMC2990UDJQ-7	0.4300	RFQ	9	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SOT-963	DMC2990		MOSFET （金属 o化物）	350MW（TA）	SOT-963	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n和p通道互补				20V	450mA（ta），310mA（ta）		990MOHM @ 100mA，4.5V，1.9OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 250µA	0.5NC @ 4.5V，0.4NC @ 4.5V		27.6pf @ 15V，28.7pf @ 15V	-
DMN2011UFDF-13	0.4600	RFQ	10	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-udfn暴露垫	DMN2011		MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（f型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道			20 v	14.2A（TA）	1.5V，4.5V	9.5MOHM @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±12V	2248 pf @ 10 V	-	2.1W（TA）
DMN3055LFDB-13	0.1276	RFQ	2695	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-udfn暴露垫	DMN3055		MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（B型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000	2 n 通道（双）					5A（5A）		40mohm @ 3A，4.5V	1.5V @ 250µA	5.3nc @ 4.5V		458pf @ 15V	-
DMP4010SK3-13	0.4504	RFQ	1743年	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMP4010		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载		（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道			40 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.9MOHM @ 9.8A，10V	2.5V @ 250µA	91 NC @ 10 V	±25V	4234 PF @ 20 V	-	3.3W
DMPH6050SPD-13	1.0600	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	8-POWERTDFN	DMPH6050		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）					26a（TC）		48mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	14.5nc @ 4.5V		1525pf @ 30V	-
DMT36M1LPS-13	0.5300	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-POWERTDFN	DMT36		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			30 V	65A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	16.7 NC @ 10 V	±20V	1155 pf @ 15 V	-	2.6W（ta）
DXTN3C60PS-13	0.8700	RFQ	4874	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	8-POWERTDFN	DXTN3			2.25 w	PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																	60 V	3 a						100NA	NPN	270mv @ 300mA，3a	200 @ 500mA，2V	140MHz
DMN65D8LW-7	0.4800	RFQ	44	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SC-70，SOT-323	DMN65		MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道			60 V	300mA（TA）	5V，10V	3ohm @ 115mA，10v	2V @ 250µA	0.87 NC @ 10 V	±20V	22 pf @ 25 V	-	300MW（TA）
BSN20-7	0.3300	RFQ	148	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSN20		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道			50 V	500mA（ta）	4.5V，10V	1.8ohm @ 220mA，10v	1.5V @ 250µA	0.8 NC @ 10 V	±20V	40 pf @ 10 V	-	600MW（TA）
DMG6968U-7	0.5300	RFQ	636	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMG6968		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			20 v	6.5A（TA）	1.8V，4.5V	25mohm @ 6.5a，4.5V	900mv @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±12V	151 PF @ 10 V	-	1.3W（TA）
DMT12H007LPS-13	1.6300	RFQ	5	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-POWERTDFN	DMT12		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	31-DMT12H007LPS-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			120 v	90A（TC）	4.5V，10V	7.8mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±20V	3224 PF @ 60 V	-	2.9W
DMT8008LFG-7	1.3700	RFQ	1	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powervdfn	DMT8008		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道			80 V	（16a）（ta），48a（tc）	4.5V，10V	6.9mohm @ 20a，10v	2.5V @ 1mA	37.7 NC @ 10 V	±20V	2254 PF @ 40 V	-	1W（TA），23.5W（TC）
DMN2041UVT-7	0.4600	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMN2041		MOSFET （金属 o化物）	1.1W	TSOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）				20V	5.8A（ta）		28mohm @ 8.2a，4.5V	900mv @ 250µA	9.1nc @ 4.5V		689pf @ 10V	-
DMN31D5L-7	0.3700	RFQ	3	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN31		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道			30 V	500mA（ta）	2.5V，4V	1.5OHM @ 10mA，4V	1.6V @ 250µA	1.2 NC @ 10 V	±20V	50 pf @ 15 V	-	350MW（TA）
DMP3007LSS-13	0.9100	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMP3007		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道			30 V	14A（TA）	4V，10V	7mohm @ 17a，10v	2.8V @ 250µA	64.2 NC @ 10 V	±25V	2826 PF @ 15 V	-	1.4W（TA）
DMTH6016LFVW-13	0.2436	RFQ	9550	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMTH6016		MOSFET （金属 o化物）		PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			60 V	41A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	15.1 NC @ 10 V	±20V	939 PF @ 30 V	-	1.2W（TA）
DGTD65T40S2PT	-	RFQ	8658	二极管合并	-	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	DGTD65	标准		230 w	TO-247	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	450				400V，40a，10ohm，15V											60 ns	现场停止	650 v	80 a	120 a	2.3V @ 15V，40a	（500µJ）（在400µJ上）	60 NC	6NS/55NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6028）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²