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6028）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
DMN1008UFDF-7	0.4800	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMN1008	MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（f型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	12 v	12.2a（ta）	2.5V，4.5V	8mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	23.4 NC @ 8 V	±8V	995 PF @ 6 V	-	700MW（TA）
DMT35M7LFV-7	0.2768	RFQ	2423	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT35	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8（UX）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	76A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1667 PF @ 15 V	-	1.98W（TA）
DMPH4025SFVWQ-13	0.3426	RFQ	6593	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMPH4025	MOSFET （金属 o化物）		PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	8.7a（ta），40a tc（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 30a，10v	1.8V @ 250µA	38.6 NC @ 10 V	±20V	1918 PF @ 20 V	-	2.3W（TA），60w（tc）
DMT10H032LDV-13	0.3567	RFQ	3412	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT10	MOSFET （金属 o化物）	1W（ta）	PowerDI3333-8（UXC）	下载			到达不受影响	31-DMT10H032LDV-13TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		100V	18A（TC）		36mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	11.9nc @ 10V		683pf @ 50V	-
DMN2058U-13	0.3800	RFQ	1955年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN2058	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	20 v	4.6a（ta）	1.8V，10V	35mohm @ 6a，10v	1.2V @ 250µA	7.7 NC @ 10 V	±12V	281 PF @ 10 V	-	1.13W
DMT34M1LPS-13	0.2440	RFQ	4970	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMT34	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	2242 PF @ 15 V	-	42W（TC）
ADTA114YUAQ-7	0.0531	RFQ	9321	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	ADTA114		330兆	SOT-323	下载			到达不受影响	31-adta114yuaq-7tr	Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	68 @ 10mA，5v	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
DMTH10H032LFVWQ-7	0.2533	RFQ	5430	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMTH10	MOSFET （金属 o化物）		PowerDi3333-8（SWP）类型ux	-				31-DMTH10H032LFVWQ-7	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	26a（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	11.9 NC @ 10 V	±20V	683 PF @ 50 V	-	1.7W（TA）
DMP22D5UDJ-7	0.3700	RFQ	3698	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-963	DMP22	MOSFET （金属 o化物）	380MW（TA）	SOT-963	下载			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	2（p 通道（双）		20V	360ma（ta）		1.9OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 250µA	0.3NC @ 4.5V		17pf @ 15V	-
DMT6006SPS-13	0.3655	RFQ	3461	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMT6006	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMT6006SPS-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	16.2A（ta），98a （TC）	10V	6.2MOHM @ 10.5A，10V	4V @ 250µA	27.9 NC @ 10 V	±20V	1721 PF @ 30 V	-	2.45W（TA），89.3W（tc）
ZXMC3A16DN8QTA	1.1233	RFQ	5272	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ZXMC3	MOSFET （金属 o化物）	1.25W（TA）	8-so	-			到达不受影响	31-ZXMC3A16DN8QTATR	Ear99	8541.29.0095	500	n和p通道互补		30V	6.4a（ta），5.4a（5.4a）（ta）		35MOHM @ 9A，10V，48MOHM @ 4.2A，10V	1V @ 250µA	17.5nc @ 10v，24.9nc @ 10v		796pf @ 25V，970pf @ 15V	-
DMG6302UDW-13	0.0490	RFQ	8002	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMG6302	MOSFET （金属 o化物）	310MW（TA）	SOT-363	下载			到达不受影响	31-DMG6302UDW-13TR	Ear99	8541.21.0095	10,000	2（p 通道（双）		25V	150mA（ta）		10ohm @ 140mA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.34NC @ 4.5V		30.7pf @ 10V	-
DMP6250SFDF-7	0.2741	RFQ	9652	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMP6250	MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（f型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	3.2A（ta）	4.5V，10V	155MOHM @ 2A，10V	3V @ 250µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	612 PF @ 20 V	-	800MW（TA）
DMP3099LQ-13	0.0550	RFQ	8688	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMP3099	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		P通道	30 V	3.8A（TA）	4.5V，10V	65mohm @ 3.8A，10V	2.1V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	563 pf @ 25 V	-	1.08W
BC857BTQ-7	0.0439	RFQ	1994	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	BC857		150兆	SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
DMN95H2D2HCTI	-	RFQ	9449	二极管合并	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	DMN95	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件		到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	950 v	6A（TC）	10V	2.2OHM @ 3A，10V	5V @ 250µA	20.3 NC @ 10 V	±30V	1487 PF @ 25 V	-	40W（TC）
DMP45H4D9HJ3	0.7487	RFQ	1570年	二极管合并	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，短线索	DMP45	MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	75		P通道	450 v	4.6A（TC）	10V	4.9Ohm @ 1.05a，10V	5V @ 250µA	13.7 NC @ 10 V	±30V	547 PF @ 25 V	-	104W（TC）
DMP68D0LFB-7B	0.0490	RFQ	9309	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-UFDFN		MOSFET （金属 o化物）		X1-DFN1006-3	下载			到达不受影响	31-DMP68D0LFB-7BTR	Ear99	8541.29.0095	10,000		P通道	65 v	192ma（ta）	2.5V，5V	8ohm @ 100mA，5v	2.1V @ 250µA	4.1 NC @ 5 V	±20V	36 pf @ 30 V	-	500MW
DMN2014LHAB-7	0.5200	RFQ	9650	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	DMN2014	MOSFET （金属 o化物）	800MW	U-DFN2030-6（B型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水		20V	9a		13mohm @ 4A，4.5V	1.1V @ 250µA	16nc @ 4.5V		1550pf @ 10V	逻辑级别门
DMT10H010LSS-13	1.4000	RFQ	3280	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMT10	MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	11.5a（ta），29.5a tc）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 13A，10V	2.8V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 50 V	-	1.4W（TA）
MMBF170Q-13-F	0.0522	RFQ	8909	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBF170	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MMBF170Q-13-FDI	Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	60 V	500mA（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 200mA，10v	3V @ 250µA		±20V	40 pf @ 10 V	-	300MW（TA）
DMG2302UKQ-13	0.0831	RFQ	5145	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMG2302	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	20 v	2.8A（ta）	2.5V，4.5V	90MOHM @ 3.6A，4.5V	1V @ 250µA	2.8 NC @ 10 V	±12V	130 pf @ 10 V	-	660MW（TA）
DMC21D1UDA-7B	0.4100	RFQ	9	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	DMC21	MOSFET （金属 o化物）	300MW	X2-DFN0806-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n和p通道		20V	455ma（ta），328ma（ta）		990MOHM @ 100mA，4.5V，1.9OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 250µA	0.41NC @ 4.5V，0.4NC @ 4.5V		31pf @ 15V，28.5pf @ 15V	-
DMP3011SPSW-13	0.2672	RFQ	3411	二极管合并	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	DMP3011	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8（type UX）	-				31-DMP3011SPSW-13	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	（14A）（65A）（65A）（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 11.5a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±25V	2380 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
DMP6023LFG-7	0.9100	RFQ	8330	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMP6023	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	7.7a（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 5A，10V	3V @ 250µA	53.1 NC @ 10 V	±20V	2569 PF @ 30 V	-	1W（ta）
DMP1045UQ-7	0.4800	RFQ	3	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMP1045	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	4A（ta）	1.8V，4.5V	31MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	15.8 NC @ 4.5 V	±8V	1357 PF @ 10 V	-	800MW（TA）
DMNH4011SPSQ-13	0.9700	RFQ	6609	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMNH4011	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	12.9a（ta），100A（tc）	10V	10mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	25.5 NC @ 10 V	±20V	1405 pf @ 20 V	-	2.5W（TA），150W（TC）
DMN62D1LFD-7	0.4300	RFQ	12	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-udfn	DMN62	MOSFET （金属 o化物）		X1-DFN1212-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	400mA（TA）	1.8V，4V	2ohm @ 100mA，4V	1V @ 250µA	0.55 NC @ 4.5 V	±20V	36 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
DMN62D0UT-13	0.0500	RFQ	2966	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	DMN62	MOSFET （金属 o化物）		SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN62D0UT-13DI	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	60 V	320mA（TA）	1.8V，2.5V，4.5V	2ohm @ 50mA，4.5V	1V @ 250a	0.5 NC @ 4.5 V	±20V	32 pf @ 30 V	-	230mw（TA）
DMTH8012LK3-13	0.9100	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMTH8012	MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	80 V	50A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1949 PF @ 40 V	-	2.6W（ta）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6028）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²