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6028）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
DMNH10H028SCT Diodes Incorporated DMNH10H028SCT 1.4600
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 DMNH10 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 60a（TC） 10V 28mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 31.9 NC @ 10 V ±20V 1942 PF @ 50 V - 2.8W（ta）
DMN3022LDG-7 Diodes Incorporated DMN3022LDG-7 0.3891
RFQ
 ECAD 6542 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerldfn DMN3022 MOSFET （金属 o化物） 1.96W（TA） POWERDI3333-8（d型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2 n 通道（双） 30V 7.6a（ta），15a（tc） 22mohm @ 10a，5v，8mohm @ 10a，5v 2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 3.7nc @ 4.5V，8NC @ 4.5V 481pf @ 15V，996pf @ 15V -
DMP2005UFG-7 Diodes Incorporated DMP2005UFG-7 0.3236
RFQ
 ECAD 4450 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMP2005 MOSFET （金属 o化物） PowerDI3333-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 20 v 89A（TC） 1.8V，4.5V 4mohm @ 15a，4.5V 900mv @ 250µA 125 NC @ 10 V ±10V 4670 pf @ 10 V - 2.2W（ta）
DDTA144GE-7-F Diodes Incorporated DDTA144GE-7-F 0.0605
RFQ
 ECAD 2522 0.00000000 二极管合并 DDTA （仅 r2系列）e 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-523 DDTA144 150兆 SOT-523 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DDTA144GE-FDITR Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 47科姆斯
DMG2302UK-7 Diodes Incorporated DMG2302UK-7 0.3400
RFQ
 ECAD 287 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DMG2302 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 2.8A（ta） 2.5V，4.5V 90MOHM @ 3.6A，4.5V 1V @ 250µA 2.8 NC @ 10 V ±12V 130 pf @ 10 V - 660MW（TA）
BCP5416QTA Diodes Incorporated BCP5416QTA 0.1198
RFQ
 ECAD 8375 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA BCP5416 2 w SOT-223-3 下载 到达不受影响 31-BCP5416QTATR Ear99 8541.29.0075 1,000 45 v 1 a 100NA（ICBO） NPN 500mv @ 50mA，500mA 100 @ 150mA，2V 150MHz
DMN60H3D5SK3-13 Diodes Incorporated DMN60H3D5SK3-13 -
RFQ
 ECAD 1619年 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DMN60 MOSFET （金属 o化物） TO-252，（-d-pak） - rohs3符合条件 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 2.8A（TC） 10V 3.5OHM @ 1.5A，10V 4V @ 250µA 12.6 NC @ 10 V ±30V 354 pf @ 25 V - 41W（TC）
MMBT3906T-7-F Diodes Incorporated MMBT3906T-7-F 0.2500
RFQ
 ECAD 266 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-523 MMBT3906 150兆 SOT-523 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 40 V 200 ma 50NA PNP 400mv @ 5mA，50mA 100 @ 10mA，1V 250MHz
DMN6068LK3Q-13-52 Diodes Incorporated DMN6068LK3Q-13-52 0.3003
RFQ
 ECAD 7290 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DMN6068 MOSFET （金属 o化物） TO-252，（-d-pak） 下载 31-DMN6068LK3Q-13-52 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 6a（6a） 4.5V，10V 68mohm @ 12a，10v 3V @ 250µA 10.3 NC @ 10 V ±20V 502 PF @ 30 V - 2.12W（TA）
ZXMN2F34FHTA Diodes Incorporated ZXMN2F34FHTA 0.4600
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 ZXMN2 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 3.4a（ta） 2.5V，4.5V 60mohm @ 2.5a，4.5V 1.5V @ 250µA 2.8 NC @ 4.5 V ±12V 277 PF @ 10 V - 950MW（TA）
DDTC124XKA-7-F Diodes Incorporated DDTC124XKA-7-F -
RFQ
 ECAD 7480 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DDTC124 200兆 SC-59-3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 47科姆斯
ZVN4210A Diodes Incorporated ZVN4210A 0.8300
RFQ
 ECAD 9853 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） ZVN4210 MOSFET （金属 o化物） 到92 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 n通道 100 v 450mA（ta） 5V，10V 1.5OHM @ 1.5A，10V 2.4V @ 1mA ±20V 100 pf @ 25 V - 700MW（TA）
2DD2661-13 Diodes Incorporated 2DD2661-13 -
RFQ
 ECAD 6042 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2DD2661 900兆 SOT-89-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,500 12 v 2 a 100NA（ICBO） NPN 180MV @ 50mA，1a 270 @ 200ma，2V 170MHz
DMT8008LPS-13 Diodes Incorporated DMT8008LPS-13 0.3910
RFQ
 ECAD 1264 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMT8008 MOSFET （金属 o化物） PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 DMT8008LPS-13DI Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 80 V 83A（TC） 4.5V，10V 7.8mohm @ 14a，10v 2.8V @ 1mA 41.2 NC @ 10 V ±20V 2345 PF @ 40 V - 1.3W（TA），83W（tc）
ZXMN6A11DN8TC Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8TC -
RFQ
 ECAD 7082 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMN6 MOSFET （金属 o化物） 1.8W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 2.5a 120mohm @ 2.5a，10v 1V @ 250µA（250µA） 5.7nc @ 10V 330pf @ 40V 逻辑级别门
DMT10H052LFDF-7 Diodes Incorporated DMT10H052LFDF-7 0.1686
RFQ
 ECAD 5503 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMT10 MOSFET （金属 o化物） U-DFN2020-6（f型） 下载 到达不受影响 31-DMT10H052LFDF-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 5A（5A） 4.5V，10V 52MOHM @ 4A，10V 3V @ 250µA 5.4 NC @ 10 V ±20V 258 pf @ 50 V - 800MW（TA）
DDTC143ZUA-7 Diodes Incorporated DDTC143ZUA-7 0.0691
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 DDTC143 200兆 SOT-323 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
DMN62D0U-7 Diodes Incorporated DMN62D0U-7 0.3200
RFQ
 ECAD 221 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DMN62 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 380mA（ta） 1.8V，4.5V 2ohm @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.5 NC @ 4.5 V ±20V 32 pf @ 30 V - 380MW（TA）
ZTX694BSTZ Diodes Incorporated ZTX694BSTZ 0.8900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 二极管合并 - （CT） 积极的 -55°C 200°C（TJ） 通过洞 e-line-3，形成的铅 ZTX694 1 w to-92兼容） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,000 120 v 500 MA 100NA（ICBO） NPN 500mv @ 5mA，400mA 400 @ 200ma，2V 130MHz
ZX5T951GTA Diodes Incorporated ZX5T951GTA 0.8900
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA ZX5T951 3 W SOT-223-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 60 V 5.5 a 20NA（ICBO） PNP 250mv @ 500mA，5a 100 @ 2a，1V 120MHz
FMMTA42TA Diodes Incorporated FMMTA42TA 0.4300
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 FMMTA42 330兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 300 v 200 ma 100NA（ICBO） NPN 500mv @ 2mA，20mA 40 @ 30mA，10V 50MHz
DMHC4035LSDQ-13-52 Diodes Incorporated DMHC4035LSDQ-13-52 0.4578
RFQ
 ECAD 8702 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMHC4035 MOSFET （金属 o化物） 1.5W（TA） 8-so 下载 31-DMHC4035LSDQ-13-52 Ear99 8541.29.0095 2,500 2n和2p通道（半桥） 40V 4.5a（ta），3.7a（ta） 45mohm @ 3.9a，10v，65mohm @ 4.2a，10v 3V @ 250µA 12.5nc @ 10v，11.1nc @ 10v 574pf @ 20v，587pf @ 20V 标准
ZTX10470ASTOB Diodes Incorporated ZTX10470ASTOB -
RFQ
 ECAD 8800 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 通过洞 e-line-3，形成的铅 1 w to-92兼容） - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,000 10 v 4 a 10NA NPN 185MV @ 10mA，3a 300 @ 1A，2V 150MHz
DCX115EU-7-F-50 Diodes Incorporated DCX115EU-7-F-50 0.0357
RFQ
 ECAD 9220 0.00000000 二极管合并 dcx（xxxx）u 大部分 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DCX115 200MW SOT-363 下载 31-DCX115EU-7-F-50 Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 500µA，10mA 82 @ 5mA，5V 250MHz 100kohms 100kohms
AC847BWQ-7 Diodes Incorporated AC847BWQ-7 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 AC847 200兆 SOT-323 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 ma 20NA（ICBO） NPN 600mv @ 5mA，100mA 200 @ 2mA，5v 300MHz
FMMT619TA Diodes Incorporated FMMT619TA 0.4800
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 FMMT619 625兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 2 a 100NA NPN 220mv @ 50mA，2a 200 @ 1A，2V 165MHz
DDTC144GUA-7-F Diodes Incorporated DDTC144GUA-7-F 0.0435
RFQ
 ECAD 9866 0.00000000 二极管合并 DDTC （仅 r2系列）UA 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 DDTC144 200兆 SOT-323 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DDTC144GUA-FDICT Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 47科姆斯
FMMT718TA-50 Diodes Incorporated FMMT718TA-50 0.0852
RFQ
 ECAD 9862 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 FMMT718 625兆 SOT-23-3 下载 31-FMMT718TA-50 Ear99 8541.21.0075 3,000 20 v 1.5 a 100NA PNP 220mv @ 50mA，1.5a 300 @ 100mA，2V 180MHz
DMN2058UW-7 Diodes Incorporated DMN2058UW-7 0.3800
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 DMN2058 MOSFET （金属 o化物） SOT-323 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 3.5A（ta） 1.8V，10V 42MOHM @ 3A，10V 1.2V @ 250µA 7.7 NC @ 10 V ±12V 281 PF @ 10 V - 500MW（TA）
DMP2104LP-7 Diodes Incorporated DMP2104LP-7 0.4300
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 3-udfn DMP2104 MOSFET （金属 o化物） DFN1411-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 1.5A（TA） 1.8V，4.5V 150MOHM @ 950mA，4.5V 1V @ 250µA ±12V 320 pf @ 16 V - 500MW（TA）
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    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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