SIC
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6028）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
2N7002-7 Diodes Incorporated 2N7002-7 -
RFQ
 ECAD 3190 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2N7002 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 115ma（ta） 5V，10V 7.5OHM @ 50mA，5V 2.5V @ 250µA ±20V 50 pf @ 25 V - 370MW（TA）
DMT2004UFG-7 Diodes Incorporated DMT2004UFG-7 0.6100
RFQ
 ECAD 3407 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMT2004 MOSFET （金属 o化物） PowerDI3333-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 24 V 70A（TC） 2.5V，10V 5mohm @ 12a，10v 1.45V @ 250µA 53.7 NC @ 10 V ±12V 1683 PF @ 15 V - 2.3W（ta）
DMG1024UV-7 Diodes Incorporated DMG1024UV-7 0.4000
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMG1024 MOSFET （金属 o化物） 530MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 1.38a 450MOHM @ 600mA，4.5V 1V @ 250µA 0.74NC @ 4.5V 60.67pf @ 16V 逻辑级别门
DMT15H053SK3-13 Diodes Incorporated DMT15H053SK3-13 0.3573
RFQ
 ECAD 6677 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DMT15 MOSFET （金属 o化物） TO-252，（-d-pak） 下载 31-DMT15H053SK3-13 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 150 v 21a（TC） 10V 60mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 11.5 NC @ 10 V ±20V 814 PF @ 75 V - 1.7W（TA）
ZTX796ASTOA Diodes Incorporated ZTX796ASTOA -
RFQ
 ECAD 7923 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 200°C（TJ） 通过洞 e-line-3，形成的铅 ZTX796A 1 w to-92兼容） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,000 200 v 500 MA 100NA PNP 300mv @ 20mA，200mA 300 @ 10mA，5V 100MHz
DMN33D8LT-13 Diodes Incorporated DMN33D8LT-13 0.3600
RFQ
 ECAD 255 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-523 DMN33 MOSFET （金属 o化物） SOT-523 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 30 V 115ma（ta） 2.5V，4V 5ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA 0.55 NC @ 10 V ±20V 48 pf @ 5 V - 240MW（TA）
MMBTA05-7 Diodes Incorporated MMBTA05-7 -
RFQ
 ECAD 2537 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MMBTA05 300兆 SOT-23-3 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 60 V 500 MA 100NA NPN 250mv @ 10mA，100mA 100 @ 100mA，1V 100MHz
DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated DMG6601LVT-7 0.3800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMG6601 MOSFET （金属 o化物） 850MW TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V 3.8a，2.5a 55mohm @ 3.4A，10V 1.5V @ 250µA 12.3nc @ 10V 422pf @ 15V 逻辑级别门
DMJ70H1D3SH3 Diodes Incorporated DMJ70H1D3SH3 -
RFQ
 ECAD 5101 0.00000000 二极管合并 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK DMJ70 MOSFET （金属 o化物） TO-251（TH3 3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 700 v 4.6A（TC） 10V 1.3OHM @ 2.5A，10V 4V @ 250µA 13.9 NC @ 10 V ±30V 351 PF @ 50 V - 41W（TC）
DMT10H009SPS-13 Diodes Incorporated DMT10H009SPS-13 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMT10 MOSFET （金属 o化物） PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v （14A）（ta），80a（tc） 10V 8.5mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 2085 PF @ 50 V - 1.3W（TA）
ZXT13P12DE6TA Diodes Incorporated ZXT13P12DE6TA 0.2610
RFQ
 ECAD 2806 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 ZXT13P12 1.1 w SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 3,000 12 v 4 a 100NA PNP 175MV @ 400mA，4a 300 @ 1A，2V 55MHz
DMN3026LVTQ-13 Diodes Incorporated DMN3026LVTQ-13 0.1418
RFQ
 ECAD 4875 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN3026 MOSFET （金属 o化物） TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 n通道 30 V 6.6a（ta） 4.5V，10V 23mohm @ 6.5a，10v 2V @ 250µA 12.5 NC @ 10 V ±20V 643 pf @ 15 V - 1.2W（TA）
DMN6022SSD-13 Diodes Incorporated DMN6022SSD-13 0.7400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMN6022 MOSFET （金属 o化物） 1.2W（TA） 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 6A（6A），14A （TC） 29MOHM @ 5A，10V 3V @ 250µA 32NC @ 10V 2110pf @ 30V -
ZVN3306FTC Diodes Incorporated ZVN3306FTC -
RFQ
 ECAD 8692 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 60 V 150mA（ta） 10V 5ohm @ 500mA，10v 2.4V @ 1mA ±20V 35 pf @ 18 V - 330MW（TA）
BSS84TA Diodes Incorporated BSS84TA -
RFQ
 ECAD 2692 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BSS84 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 50 V 130mA（ta） 5V 10ohm @ 100mA，5v 2V @ 1mA ±20V 40 pf @ 25 V - 360MW（TA）
DMP3015LSS-13 Diodes Incorporated DMP3015LSS-13 0.8700
RFQ
 ECAD 1740年 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMP3015 MOSFET （金属 o化物） 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 13A（TA） 4.5V，10V 11MOHM @ 13A，10V 2V @ 250µA 60.4 NC @ 10 V ±20V 2748 PF @ 20 V - 2.5W（TA）
DDA142TU-7-F Diodes Incorporated DDA142TU-7-F -
RFQ
 ECAD 6422 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DDA142 200MW SOT-363 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA - 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 100 @ 1mA，5V 200MHz 470ohms -
FMMT497TA Diodes Incorporated FMMT497TA 0.4400
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 FMMT497 500兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 300 v 500 MA 100NA NPN 300mv @ 25mA，250mA 80 @ 100mA，10v 75MHz
DMN61D8LVT-13 Diodes Incorporated DMN61D8LVT-13 0.1512
RFQ
 ECAD 8503 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN61 MOSFET （金属 o化物） 820MW TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 60V 630mA 1.8ohm @ 150mA，5v 2V @ 1mA 0.74NC @ 5V 12.9pf @ 12V 逻辑级别门
ZXT953KTC Diodes Incorporated ZXT953KTC 1.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ZXT953 4.2 w TO-252-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0075 2,500 100 v 5 a 20NA（ICBO） PNP 390mv @ 500mA，5a 100 @ 1A，1V 125MHz
DMP1022UFDF-13 Diodes Incorporated DMP1022UFDF-13 0.1733
RFQ
 ECAD 2401 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMP1022 MOSFET （金属 o化物） U-DFN2020-6（f型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 P通道 12 v 9.5A（TA） 1.2V，4.5V 14.8mohm @ 4A，4.5V 800MV @ 250µA 48.3 NC @ 4.5 V ±8V 2712 PF @ 10 V - 730MW（TA）
DDTC143TCAQ-7-F Diodes Incorporated DDTC143TCAQ-7-F 0.0375
RFQ
 ECAD 3395 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DDTC143 200兆 SOT-23-3 下载 到达不受影响 31-DDTC143TCAQ-7-FTR Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 250µA，2.5mA 120 @ 5mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯
DDTB133HC-7-F Diodes Incorporated DDTB133HC-7-F -
RFQ
 ECAD 9414 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DDTB133 200兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 500 MA 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 2.5mA，50mA 56 @ 50mA，5V 200 MHz 3.3科姆斯 10 kohms
DMT8008SPS-13 Diodes Incorporated DMT8008SPS-13 0.3849
RFQ
 ECAD 6114 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMT8008 MOSFET （金属 o化物） PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 DMT8008SPS-13DI Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 80 V 83A（TC） 6V，10V 7.8mohm @ 14a，10v 4V @ 1mA 34 NC @ 10 V ±20V 1950 pf @ 40 V - 1.3W（TA），83W（tc）
DVR3V3W-7 Diodes Incorporated DVR3V3W-7 -
RFQ
 ECAD 8909 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DVR3V3 200兆 SOT-363 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 18 V 1 a 1µA（ICBO） NPN + Zener 二极管（隔离） 500mv @ 30mA，300mA 150 @ 100mA，1V 100MHz
DMNH10H028SPS-13 Diodes Incorporated DMNH10H028SPS-13 0.5733
RFQ
 ECAD 8269 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMNH10 MOSFET （金属 o化物） PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 40a（TC） 10V 28mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±20V 2245 PF @ 50 V - 1.6W（TA）
BC847BLP-7B Diodes Incorporated BC847BLP-7B 0.3700
RFQ
 ECAD 802 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 3-UFDFN BC847 250兆 X1-DFN1006-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 ma 15NA（icbo） NPN 600mv @ 5mA，100mA 200 @ 2mA，5v 100MHz
DDTA114TKA-7-F Diodes Incorporated DDTA114TKA-7-F -
RFQ
 ECAD 2661 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DDTA114 200兆 SC-59-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 100µA，1mA 100 @ 1mA，5V 250 MHz 10 kohms
DMP3037LSSQ-13 Diodes Incorporated DMP3037LSSQ-13 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMP3037 MOSFET （金属 o化物） 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 5.8A（ta） 4.5V，10V 32MOHM @ 6A，10V 2.4V @ 250µA 17.3 NC @ 10 V ±20V 969 pf @ 15 V - 1.2W（TA）
BC807-25-7-F Diodes Incorporated BC807-25-7-F 0.3500
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 ECAD 50 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BC807 310 MW SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA PNP 700mv @ 50mA，500mA 160 @ 100mA，1V 100MHz
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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

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196-LFBGA裸露的垫子

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