SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
DCX123JUQ-7-F Diodes Incorporated DCX123JUQ-7-F 0.0660
RFQ
ECAD 4860 0.00000000 二极管合并 Automotive,AEC-Q101,DCX(xxxx)u 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DCX123 200MW SOT-363 下载 到达不受影响 31-DCX123JUQ-7-FTR Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA(ICBO) 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
DDTC144TUA-7 Diodes Incorporated DDTC144TUA-7 -
RFQ
ECAD 7885 0.00000000 二极管合并 ddtc (仅 r1(r1)ua 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 DDTC144 200兆 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA(ICBO) npn-预先偏见 300mv @ 250µA,2.5mA 100 @ 1mA,5V 250 MHz 47科姆斯
ZXMN10A11K Diodes Incorporated ZXMN10A11K -
RFQ
ECAD 3490 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 2.4A(TA) 6V,10V 350MOHM @ 2.6A,10V 4V @ 250µA 5.4 NC @ 10 V ±20V 274 PF @ 50 V - 2.11W(ta)
DMT10H025LK3-13 Diodes Incorporated DMT10H025LK3-13 0.2981
RFQ
ECAD 4157 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 DMT10 MOSFET (金属 o化物) TO-252,(-d-pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 47.2A(TC) 4.5V,10V 22mohm @ 20a,10v 3V @ 250µA 21 NC @ 10 V ±20V 1477 PF @ 50 V - 2.6W(ta)
DMP6250SE-13 Diodes Incorporated DMP6250SE 13 0.7000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA DMP6250 MOSFET (金属 o化物) SOT-223-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 60 V 2.1a(ta) 4.5V,10V 250MOHM @ 1A,10V 3V @ 250µA 9.7 NC @ 10 V ±20V 551 pf @ 30 V - 1.8W(TA),14W(TC)
DMN6069SFGQ-13 Diodes Incorporated DMN6069SFGQ-13 0.7100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn DMN6069 MOSFET (金属 o化物) PowerDI3333-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 18A(TC) 4.5V,10V 50MOHM @ 4.5A,10V 3V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 1480 pf @ 30 V - 2.4W
DMN3066L-7 Diodes Incorporated DMN3066L-7 0.0918
RFQ
ECAD 9654 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DMN3066 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3 下载 到达不受影响 31-DMN3066L-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 3.6a(ta) 2.5V,4.5V 67MOHM @ 2.5A,4.5V 1.5V @ 250µA 4.1 NC @ 4.5 V ±12V 353 pf @ 10 V - 810MW(TA)
DDTA143EE-7-F Diodes Incorporated DDTA143EE-7-F 0.3500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-523 DDTA143 150兆 SOT-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 20 @ 10mA,5v 250 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
BCX5310TA Diodes Incorporated BCX5310TA 0.4000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA BCX5310 1 w SOT-89-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 80 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 63 @ 150mA,2V 150MHz
DMP31D7LFBQ-7B Diodes Incorporated DMP31D7LFBQ-7B 0.0398
RFQ
ECAD 8563 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 3-UFDFN DMP31 MOSFET (金属 o化物) X1-DFN1006-3 下载 到达不受影响 31-DMP31D7LFBQ-7BTR Ear99 8541.21.0095 10,000 P通道 30 V 810mA(ta) 4.5V,10V 900MOHM @ 420mA,10V 2.6V @ 250µA 0.36 NC @ 4.5 V ±20V 19 pf @ 15 V - 530MW(TA)
DDTC143EKA-7-F Diodes Incorporated DDTC143EKA-7-F -
RFQ
ECAD 1416 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DDTC143 200兆 SC-59-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 20 @ 10mA,5v 250 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
DMT8008SCT Diodes Incorporated DMT8008SCT 1.1132
RFQ
ECAD 8439 0.00000000 二极管合并 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 DMT8008 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 到达不受影响 31-DMT8008SCT Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 111A(TC) 10V 7.5mohm @ 30a,10v 4V @ 1mA 34 NC @ 10 V ±20V 1950 pf @ 40 V - 2.4W(ta),167W(tc)
DMC3071LVT-13 Diodes Incorporated DMC3071LVT-13 0.0948
RFQ
ECAD 7607 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 DMC3071 MOSFET (金属 o化物) 700MW(TA) TSOT-26 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道互补 30V 4.6a(ta),3.3a(ta) 50mohm @ 3.5a,10v,95mohm @ 3.8a,10v 2.5V @ 250µA 4.5nc @ 10V,6.5NC @ 10V 190pf @ 15V,254pf @ 15V -
DMN3016LFDFQ-7 Diodes Incorporated DMN3016LFDFQ-7 0.1333
RFQ
ECAD 9864 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-udfn暴露垫 DMN3016 MOSFET (金属 o化物) U-DFN2020-6(f型) 下载 到达不受影响 31-DMN3016LFDFQ-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 10a(10a) 4.5V,10V 12mohm @ 11a,10v 2V @ 250µA 25.1 NC @ 10 V ±20V 1415 pf @ 15 V - 730MW(TA)
DCP52-13 Diodes Incorporated DCP52-13 -
RFQ
ECAD 2288 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA DCP52 1 w SOT-223-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,500 60 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 40 @ 150mA,2V 200MHz
DMT64M8LCG-7 Diodes Incorporated DMT64M8LCG-7 0.3973
RFQ
ECAD 1257 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn MOSFET (金属 o化物) V-DFN3333-8(B型) 下载 到达不受影响 31-DMT64M8LCG-7TR Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 60 V 16.1a(ta),77.8a tc) 4.5V,10V 4.8mohm @ 20a,10v 2.4V @ 250µA 47.5 NC @ 10 V ±20V 2664 PF @ 30 V - 990MW(TA)
DMTH8008LFG-13 Diodes Incorporated DMTH8008LFG-13 0.4973
RFQ
ECAD 4753 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn MOSFET (金属 o化物) PowerDI3333-8 下载 到达不受影响 31-DMTH8008LFG-13TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 80 V (17a)(ta),70a (TC) 4.5V,10V 6.9mohm @ 20a,10v 2.5V @ 1mA 37.7 NC @ 10 V ±20V 2254 PF @ 40 V - 1.2W(ta),50W(TC)
DMC2038LVT-7 Diodes Incorporated DMC2038LVT-7 0.4200
RFQ
ECAD 9 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 DMC2038 MOSFET (金属 o化物) 800MW TSOT-26 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 3.7a,2.6a 35MOHM @ 4A,4.5V 1V @ 250µA 17NC @ 10V 530pf @ 10V 逻辑级别门
DMN3030LFG-13 Diodes Incorporated DMN3030LFG-13 -
RFQ
ECAD 6766 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn DMN3030 MOSFET (金属 o化物) PowerDI3333-8 下载 31-DMN3030LFG-13 过时的 1 n通道 30 V 5.3a(ta) 4.5V,10V 18mohm @ 10a,10v 2.1V @ 250µA 17.4 NC @ 10 V ±25V 751 PF @ 10 V - 900MW(TA)
BC857AW-7-F Diodes Incorporated BC857AW-7-F 0.2000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BC857 200兆 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 125 @ 2mA,5V 200MHz
DMT6007LFG-7 Diodes Incorporated DMT6007LFG-7 1.1200
RFQ
ECAD 11 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn DMT6007 MOSFET (金属 o化物) PowerDI3333-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 60 V (15a)(ta),80a(tc) 4.5V,10V 6mohm @ 20a,10v 2V @ 250µA 41.3 NC @ 10 V ±20V 2090 pf @ 30 V - 2.2W(TA),62.5W(TC)
DDTC124EUAQ-7-F Diodes Incorporated DDTC124EUAQ-7-F 0.0476
RFQ
ECAD 6706 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 DDTC124 200兆 SOT-323 下载 到达不受影响 31-DDTC124EUAQ-7-FTR Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 56 @ 5mA,5V 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
BC856BQ-7-F Diodes Incorporated BC856BQ-7-F 0.0301
RFQ
ECAD 3639 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BC856 310 MW SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 31-BC856BQ-7-FTR Ear99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 ma 15NA PNP 650mv @ 5mA,100mA 220 @ 2mA,5V 200MHz
DMN53D0LQ-7 Diodes Incorporated DMN53D0LQ-7 0.3800
RFQ
ECAD 277 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DMN53 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 50 V 500mA(ta) 2.5V,10V 1.6ohm @ 500mA,10v 1.5V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 V ±20V 46 pf @ 25 V - 370MW(TA)
DMN62D0UW-13 Diodes Incorporated DMN62D0UW-13 0.0411
RFQ
ECAD 1202 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 DMN62 MOSFET (金属 o化物) SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 DMN62D0UW-13DI Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 60 V 340ma(ta) 1.8V,4.5V 2ohm @ 100mA,4.5V 1V @ 250µA 0.5 NC @ 4.5 V ±20V 32 pf @ 30 V - 320MW(TA)
DMC2025UFDBQ-7 Diodes Incorporated DMC2025UFDBQ-7 0.1294
RFQ
ECAD 1889年 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-udfn暴露垫 DMC2025 MOSFET (金属 o化物) 700MW(TA) U-DFN2020-6(B型) 下载 到达不受影响 31-DMC2025UFDBQ-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道互补 20V 6a(6a),3.5a ta(3.5a) 25mohm @ 4A,4.5V,75MOHM @ 2.9a,4.5V 1V @ 250µA,1.4V @ 250µA 12.3nc @ 10v,15nc @ 8v 486pf @ 10v,642pf @ 10V -
DMTH8030LPDW-13 Diodes Incorporated DMTH8030LPDW-13 0.3559
RFQ
ECAD 7470 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN DMTH8030 MOSFET (金属 o化物) 3.1W(ta),41W(TC) PowerDI5060-8(type UXD) 下载 到达不受影响 31-DMTH8030LPDW-13TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 80V 28.5A(TC) 26mohm @ 10a,10v 2.5V @ 250µA 10.4NC @ 10V 631pf @ 40V -
ZVP1320ASTZ Diodes Incorporated ZVP1320ASTZ -
RFQ
ECAD 5389 0.00000000 二极管合并 - (TB) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 E-Line-3 MOSFET (金属 o化物) to-92兼容) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 P通道 200 v 70mA(ta) 10V 80ohm @ 50mA,10v 3.5V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - 625MW(TA)
ZXMN2A03E6TA Diodes Incorporated ZXMN2A03E6TA 0.8300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 ZXMN2 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 3.7a(ta) 2.5V,4.5V 55MOHM @ 7.2A,4.5V 700mv @ 250µA(250µA)) 8.2 NC @ 4.5 V ±12V 837 PF @ 10 V - 1.1W(TA)
DMP3130L-7 Diodes Incorporated DMP3130L-7 0.4300
RFQ
ECAD 81 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DMP3130 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 3.5A(ta) 2.5V,10V 77MOHM @ 4.2A,10V 1.3V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±12V 432 PF @ 15 V - 700MW(TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库