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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
DDTB142TU-7-F Diodes Incorporated DDTB142TU-7-F -
RFQ
ECAD 5483 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-70,SOT-323 DDTB142 200兆 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 500 MA 500NA(ICBO) pnp-预先偏见 300mv @ 2.5mA,50mA 100 @ 5mA,5V 200 MHz 470欧姆
ZXTP25140BFHTA Diodes Incorporated ZXTP25140BFHTA 0.5700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 ZXTP25140 1.25 w SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 3,000 140 v 1 a 50NA(iCBO) PNP 260mv @ 100mA,1a 100 @ 10mA,2V 75MHz
DMTH6010SK3-13 Diodes Incorporated DMTH6010SK3-13 1.1100
RFQ
ECAD 6106 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 DMTH6010 MOSFET (金属 o化物) TO-252-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 16.3a(ta),70A(tc) 10V 8mohm @ 20a,10v 4V @ 250µA 36.3 NC @ 10 V ±20V 1940 pf @ 30 V - 3.1W(TA)
BC858BW-7-F Diodes Incorporated BC858BW-7-F 0.0349
RFQ
ECAD 8407 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BC858 200兆 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 220 @ 2mA,5V 200MHz
DMP510DLQ-7 Diodes Incorporated DMP510DLQ-7 0.0550
RFQ
ECAD 5247 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DMP510 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3 下载 到达不受影响 31-DMP510DLQ-7TR Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 50 V 196mA(ta) 5V 9.5OHM @ 100mA,5V 2V @ 1mA 0.5 NC @ 10 V ±30V 40 pf @ 25 V - 520MW(TA)
ZVP2110ASTOA Diodes Incorporated ZVP2110ASTOA -
RFQ
ECAD 5603 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 E-Line-3 MOSFET (金属 o化物) to-92兼容) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 P通道 100 v 230ma(ta) 10V 8ohm @ 375mA,10v 3.5V @ 1mA ±20V 100 pf @ 25 V - 700MW(TA)
DMC3061SVT-7 Diodes Incorporated DMC3061SVT-7 -
RFQ
ECAD 7486 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 DMC3061 MOSFET (金属 o化物) 880MW TSOT-23-6 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 DMC3061SVT-7DI Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 30V 3.4a(ta),2.7a(2.7a)(ta) 60mohm @ 3.1a,10v,95mohm @ 2.7a,10v 1.8V @ 250µA,2.2V @ 250µA 6.6nc @ 10V,6.8NC @ 10V 278pf @ 15V,287pf @ 15V -
DMT3020LFDB-7 Diodes Incorporated DMT3020LFDB-7 0.6300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-udfn暴露垫 DMT3020 MOSFET (金属 o化物) 700MW U-DFN2020-6(B型) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 7.7a 20mohm @ 9a,10v 3V @ 250µA 7NC @ 10V 393pf @ 15V -
APT13003DHZTR-G1 Diodes Incorporated APT13003DHztr-G1 -
RFQ
ECAD 6384 0.00000000 二极管合并 - (TB) 过时的 APT13003 - Rohs符合条件 (1 (无限) 31-APT13003DHZTR-G1TB Ear99 8541.29.0095 2,000
DCX124EUQ-13R-F Diodes Incorporated DCX124EUQ-13R-F 0.0528
RFQ
ECAD 9375 0.00000000 二极管合并 Automotive,AEC-Q101,DCX(xxxx)u 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DCX124 200MW SOT-363 下载 到达不受影响 31-DCX124EUQ-13R-FTR Ear99 8541.21.0075 10,000 50V 100mA 500NA(ICBO) 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 500µA,10mA 60 @ 5mA,5V 250MHz 22KOHMS 22KOHMS
DMTH61M8LPS-13 Diodes Incorporated DMTH61M8LPS-13 2.3200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN DMTH61 MOSFET (金属 o化物) PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 225a(TC) 4.5V,10V 1.6mohm @ 30a,10v 3V @ 250µA 115.5 NC @ 10 V ±20V 8320 PF @ 30 V - 3.2W(ta),187.5W(tc)
DMN33D8LDWQ-7 Diodes Incorporated DMN33D8LDWQ-7 0.4500
RFQ
ECAD 4126 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DMN33 MOSFET (金属 o化物) 350MW(TA) SOT-363 下载 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 250mA(ta) 2.4OHM @ 250mA,10V 1.5V @ 100µA 1.23nc @ 10V 48pf @ 5V -
DMN3016LK3-13 Diodes Incorporated DMN3016LK3-13 0.5600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 DMN3016 MOSFET (金属 o化物) TO-252-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 12.4A(TA) 4.5V,10V 12mohm @ 11a,10v 2.3V @ 250µA 25.1 NC @ 10 V ±20V 1415 pf @ 15 V - 1.6W(TA)
DMN3016LFDF-7-90 Diodes Incorporated DMN3016LFDF-7-90 0.1703
RFQ
ECAD 3877 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-udfn暴露垫 DMN3016 MOSFET (金属 o化物) U-DFN2020-6(f型) 下载 到达不受影响 31-DMN3016LFDF-7-90TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 10a(10a) 4.5V,10V 12mohm @ 11a,10v 2V @ 250µA 25.1 NC @ 10 V ±20V 1415 pf @ 15 V - 730MW(TA)
APT13003XZTR-E1 Diodes Incorporated APT13003XZTR-E1 -
RFQ
ECAD 7021 0.00000000 二极管合并 - (TB) 过时的 APT13003 - Rohs符合条件 (1 (无限) 31-APT13003XZTR-E1TB Ear99 8541.29.0095 2,000
DMP2108UCB6-7 Diodes Incorporated DMP2108UCB6-7 -
RFQ
ECAD 7038 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-ufbga,Wlbga DMP2108 MOSFET (金属 o化物) 840MW U-WLB1510-6 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 31-DMP2108UCB6-7TR Ear99 8541.21.0095 3,000 2(p 通道(双) 20V 2.25a 55mohm @ 1A,4.5V 1.1V @ 250µA 2.1nc @ 4.5V 269pf @ 10V -
DMP3130LQ-7 Diodes Incorporated DMP3130LQ-7 0.4600
RFQ
ECAD 1292 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DMP3130 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 3.5A(ta) 2.5V,10V 77MOHM @ 4.2A,10V 1.3V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±12V 864 pf @ 15 V - 700MW(TA)
DMTH62M8SPS-13 Diodes Incorporated DMTH62M8SPS-13 0.5722
RFQ
ECAD 4820 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN DMTH62 MOSFET (金属 o化物) POWERDI5060-8(k型) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 100A(TC) 10V 2.8mohm @ 50a,10v 4V @ 250µA 95.4 NC @ 10 V ±20V 4556 pf @ 30 V - 3.2W
DMTH3004LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH3004LPSQ-13 0.5292
RFQ
ECAD 3358 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN DMTH3004 MOSFET (金属 o化物) PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 22a(22a),145a(tc) 4.5V,10V 3.8mohm @ 20a,10v 3V @ 250µA 43.7 NC @ 15 V +20V,-16V 2370 pf @ 15 V - 136W(TC)
DMT6002LPS-13 Diodes Incorporated DMT6002LPS-13 1.7800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN DMT6002 MOSFET (金属 o化物) PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 100A(TC) 6V,10V 2mohm @ 50a,10v 3V @ 250µA 130.8 NC @ 10 V ±20V 6555 pf @ 30 V - 2.3W
DMN3110LCP3-7 Diodes Incorporated DMN3110LCP3-7 -
RFQ
ECAD 8071 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 3-XFDFN DMN3110 MOSFET (金属 o化物) X2-DFN1006-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 3.2A(ta) 1.8V,8V 69mohm @ 500mA,8v 1.1V @ 250µA 1.52 NC @ 4.5 V 12V 150 pf @ 15 V - 1.38W
DMN2080UCB4-7 Diodes Incorporated DMN2080UCB4-7 0.1300
RFQ
ECAD 5291 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-XFBGA,WLBGA DMN2080 MOSFET (金属 o化物) X2-WLB0606-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 3A(3A) 1.5V,4.5V 56mohm @ 1A,4.5V 1V @ 250µA 7.4 NC @ 4.5 V ±8V 540 pf @ 10 V - 710MW
ZVN4210GTA Diodes Incorporated ZVN4210GTA 0.9400
RFQ
ECAD 740 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA ZVN4210 MOSFET (金属 o化物) SOT-223-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 800mA(ta) 5V,10V 1.5OHM @ 1.5A,10V 2.4V @ 1mA ±20V 100 pf @ 25 V - 2W(TA)
BC856AW-7-F Diodes Incorporated BC856AW-7-F 0.2100
RFQ
ECAD 8874 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BC856 200兆 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 125 @ 2mA,5V 200MHz
FMMT614QTC Diodes Incorporated FMMT614QTC 0.2087
RFQ
ECAD 7876 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 500兆 SOT-23-3 下载 到达不受影响 31-FMMT614QTCTR Ear99 8541.21.0095 10,000 100 v 500 MA 10µA npn-达灵顿 1V @ 5mA,500mA 15000 @ 100mA,5v -
DMN2014LHAB-13 Diodes Incorporated DMN2014LHAB-13 0.1592
RFQ
ECAD 4205 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-UFDFN暴露垫 DMN2014 MOSFET (金属 o化物) 800MW(TA) U-DFN2030-6(B型) 下载 到达不受影响 31-DMN2014LHAB-13TR Ear99 8541.29.0095 10,000 2 n 通道(双) 20V 9a(9a) 13mohm @ 4A,4.5V 1.1V @ 250µA 16nc @ 4.5V 1550pf @ 10V -
DZT851-13 Diodes Incorporated DZT851-13 -
RFQ
ECAD 6294 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA DZT851 1 w SOT-223-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,500 60 V 6 a 50NA(iCBO) NPN 375mv @ 300mA,6a 100 @ 2a,1V 130MHz
DMN4020LFDEQ-13 Diodes Incorporated DMN4020LFDEQ-13 0.1279
RFQ
ECAD 1808年 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-Powerudfn DMN4020 MOSFET (金属 o化物) U-DFN2020-6(e) 下载 到达不受影响 31-DMN4020LFDEQ-13TR Ear99 8541.29.0095 10,000 n通道 40 V 8.6a(ta) 4.5V,10V 21mohm @ 8a,10v 2.4V @ 250µA 25.3 NC @ 10 V ±20V 1201 PF @ 20 V - 850MW(TA)
ADTA124ECAQ-13 Diodes Incorporated ADTA124ECAQ-13 0.0526
RFQ
ECAD 5583 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 ADTA124 310 MW SOT-23-3 下载 到达不受影响 31-ADTA124ECAQ-13TR Ear99 8541.21.0075 10,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 56 @ 5mA,5V 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
DDTA113ZE-7-F Diodes Incorporated DDTA113ZE-7-F 0.0605
RFQ
ECAD 6453 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-523 DDTA113 150兆 SOT-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 33 @ 10mA,5V 250 MHz 1 kohms 10 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库