SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
DMP3026SFDF-13 Diodes Incorporated DMP3026SFDF-13 0.1462
RFQ
ECAD 4371 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-udfn暴露垫 DMP3026 MOSFET (金属 o化物) U-DFN2020-6(f型) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 P通道 30 V 10.3a(ta) 4V,10V 19mohm @ 4.5A,10V 3V @ 250µA 19.6 NC @ 10 V ±25V 1204 pf @ 15 V - 2W(TA)
DMPH2040UVTQ-7 Diodes Incorporated DMPH2040UVTQ-7 0.5600
RFQ
ECAD 2571 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 DMPH2040 MOSFET (金属 o化物) TSOT-26 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 5.6a(ta),11.7a(tc) 2.5V,4.5V 38mohm @ 8.9a,4.5V 1.5V @ 250µA 19 nc @ 8 V ±12V 834 pf @ 10 V - 1W(ta)
BC848A-7-F Diodes Incorporated BC848A-7-F 0.2000
RFQ
ECAD 28 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BC848 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 100 ma 15NA NPN 600mv @ 5mA,100mA 110 @ 2mA,5V 300MHz
ZXMN3AMCTA Diodes Incorporated ZXMN3AMCTA -
RFQ
ECAD 2896 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-WDFN暴露垫 ZXMN3 MOSFET (金属 o化物) 1.7W DFN3020B-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 3.7a(ta) 120mohm @ 2.5a,10v 3V @ 250µA 2.3nc @ 4.5V 190pf @ 25V -
DDTC143XKA-7-F Diodes Incorporated DDTC143XKA-7-F -
RFQ
ECAD 9665 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DDTC143 200兆 SC-59-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 30 @ 10mA,5V 250 MHz 4.7科姆斯 10 kohms
2DB1697-13 Diodes Incorporated 2DB1697-13 -
RFQ
ECAD 4754 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA 2DB1697 900兆 SOT-89-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,500 12 v 2 a 100NA(ICBO) PNP 180MV @ 50mA,1a 270 @ 200ma,2V 140MHz
DMN10H120SFG-7 Diodes Incorporated DMN10H120SFG-7 0.6400
RFQ
ECAD 62 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn DMN10 MOSFET (金属 o化物) PowerDI3333-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 100 v 3.8A(TA) 6V,10V 110MOHM @ 3.3a,10V 3V @ 250µA 10.6 NC @ 10 V ±20V 549 pf @ 50 V - 1W(ta)
DMT4002LPS-13 Diodes Incorporated DMT4002LPS-13 0.6468
RFQ
ECAD 5739 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN DMT4002 MOSFET (金属 o化物) PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 100A(TA) 4.5V,10V 1.8mohm @ 25a,10v 3V @ 250µA 116.1 NC @ 10 V ±20V 6771 PF @ 20 V - 2.3W
DMN65D8LW-7 Diodes Incorporated DMN65D8LW-7 0.4800
RFQ
ECAD 44 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 DMN65 MOSFET (金属 o化物) SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 300mA(TA) 5V,10V 3ohm @ 115mA,10v 2V @ 250µA 0.87 NC @ 10 V ±20V 22 pf @ 25 V - 300MW(TA)
DMN3110S-7 Diodes Incorporated DMN3110S-7 0.5600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DMN3110 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 2.5a(ta) 4.5V,10V 73mohm @ 3.1ma,10v 3V @ 250µA 8.6 NC @ 10 V ±20V 305.8 pf @ 15 V - 740MW(TA)
DXTN3C60PS-13 Diodes Incorporated DXTN3C60PS-13 0.8700
RFQ
ECAD 4874 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN DXTN3 2.25 w PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0075 2,500 60 V 3 a 100NA NPN 270mv @ 300mA,3a 200 @ 500mA,2V 140MHz
DMN2029UVT-13 Diodes Incorporated DMN2029UVT-13 0.0990
RFQ
ECAD 4474 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 DMN2029 MOSFET (金属 o化物) TSOT-26 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 DMN2029UVT-13DI Ear99 8541.29.0095 10,000 n通道 20 v 6.8a(ta) 2.5V,4.5V 24mohm @ 6.2a,4.5V 1.5V @ 250µA 7.1 NC @ 4.5 V ±10V 646 pf @ 10 V - 700MW(TA)
DMN3404LQ-7 Diodes Incorporated DMN3404LQ-7 0.1038
RFQ
ECAD 3 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DMN3404 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 31-DMN3404LQ-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 5.8A(ta) 3V,10V 28mohm @ 5.8A,10V 2V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±20V 498 pf @ 15 V - 720MW(TA)
DST857BDJ-7 Diodes Incorporated DST857BDJ-7 0.4000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-963 DST857 300MW SOT-963 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000 45V 100mA 15NA(icbo) 2 PNP (双) 500mv @ 5mA,100mA 200 @ 2mA,5v 340MHz
MMBT2907A-7-F-31 Diodes Incorporated MMBT2907A-7-F-31 -
RFQ
ECAD 9998 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - Rohs符合条件 (1 (无限) 31-MMBT2907A-7-F-31TR 过时的 3,000
DDTA114YCA-7-F Diodes Incorporated DDTA114YCA-7-F 0.0386
RFQ
ECAD 9580 0.00000000 二极管合并 DDTA(r1≠r2系列)Ca 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DDTA114 200兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 68 @ 10mA,5v 250 MHz 10 kohms 47科姆斯
ADTB122LCQ-13 Diodes Incorporated ADTB122LCQ-13 -
RFQ
ECAD 7809 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ADTB122 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 31-ADTB122LCQ-13TR 过时的 10,000
DMP3028LK3Q-13 Diodes Incorporated DMP3028LK3Q-13 0.6200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 DMP3028 MOSFET (金属 o化物) TO-252,(-d-pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 27a(TC) 4.5V,10V 25mohm @ 7a,10v 2.4V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 1241 PF @ 15 V - 2.8W(ta)
DMN3401LDWQ-13 Diodes Incorporated DMN3401LDWQ-13 0.0613
RFQ
ECAD 9863 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DMN3401 MOSFET (金属 o化物) 290MW(TA) SOT-363 下载 到达不受影响 31-DMN3401LDWQ-13TR Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道(双) 30V 800mA(ta) 400MOHM @ 590mA,10V 1.6V @ 250µA 1.2NC @ 10V 50pf @ 15V -
BCX6825QTA Diodes Incorporated BCX6825QTA 0.1756
RFQ
ECAD 7854 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA BCX6825 1 w SOT-89-3 下载 到达不受影响 31-BCX6825QTATR Ear99 8541.29.0075 1,000 20 v 1 a 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 100mA,1a 160 @ 500mA,1V 100MHz
BS250PSTZ Diodes Incorporated BS250PSTZ -
RFQ
ECAD 9808 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 E-Line-3 BS250 MOSFET (金属 o化物) to-92兼容) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 P通道 45 v 230ma(ta) 10V 14ohm @ 200ma,10v 3.5V @ 1mA ±20V 60 pf @ 10 V - 700MW(TA)
DMN3023L-13 Diodes Incorporated DMN3023L-13 0.0930
RFQ
ECAD 8065 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜155°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DMN3023 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 DMN3023L-13DI Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 30 V 6.2a(ta) 2.5V,10V 25mohm @ 4A,10V 1.8V @ 250µA 18.4 NC @ 10 V ±20V 873 PF @ 15 V - 900MW(TA)
BSS138Q-7-F Diodes Incorporated BSS138Q-7-F 0.2900
RFQ
ECAD 21 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BSS138 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 50 V 200ma(ta) 10V 3.5OHM @ 220mA,10V 1.5V @ 250µA ±20V 50 pf @ 10 V - 300MW(TA)
DXTP22040CFGQ-7 Diodes Incorporated DXTP22040CFGQ-7 0.2175
RFQ
ECAD 5477 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装,可润湿的侧面 8-Powervdfn 1.07 w PowerDi3333-8(SWP)类型ux 下载 到达不受影响 31-DXTP22040CFGQ-7TR Ear99 8541.29.0075 2,000 40 V 2 a 20NA PNP 600mv @ 300mA,3a 200 @ 500mA,2V 120MHz
DMTH3002LPS-13 Diodes Incorporated DMTH3002LPS-13 1.2100
RFQ
ECAD 9034 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN DMTH3002 MOSFET (金属 o化物) PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 100A(TC) 4.5V,10V 1.6mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 77 NC @ 10 V ±16V 5000 pf @ 15 V - 1.2W(TA),136W(tc)
ZXMN6A11DN8TC Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8TC -
RFQ
ECAD 7082 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ZXMN6 MOSFET (金属 o化物) 1.8W 8-so 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 60V 2.5a 120mohm @ 2.5a,10v 1V @ 250µA(250µA) 5.7nc @ 10V 330pf @ 40V 逻辑级别门
ZVN2106ASTOA Diodes Incorporated ZVN2106ASTOA -
RFQ
ECAD 9505 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 E-Line-3 MOSFET (金属 o化物) to-92兼容) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 n通道 60 V 450mA(ta) 10V 2ohm @ 1a,10v 2.4V @ 1mA ±20V 75 pf @ 18 V - 700MW(TA)
DMN10H170SFGQ-7 Diodes Incorporated DMN10H170SFGQ-7 0.2780
RFQ
ECAD 1029 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn DMN10 MOSFET (金属 o化物) PowerDI3333-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 DMN10H170SFGQ-7DI Ear99 8541.21.0095 2,000 n通道 100 v 2.9A(ta),8.5a tc) 4.5V,10V 122mohm @ 3.3a,10v 3V @ 250µA 14.9 NC @ 10 V ±20V 870.7 PF @ 25 V - 940MW(TA)
DMG5802LFX-7 Diodes Incorporated DMG5802LFX-7 0.6000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-VFDFN暴露垫 DMG5802 MOSFET (金属 o化物) 980MW W-DFN5020-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双)公共排水 24V 6.5a 15mohm @ 6.5a,4.5V 1.5V @ 250µA 31.3nc @ 10V 1066.4pf @ 15V 逻辑级别门
DMC2450UV-13 Diodes Incorporated DMC2450UV-13 0.0863
RFQ
ECAD 2777 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 DMC2450 MOSFET (金属 o化物) 450MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 DMC2450UV-13DI Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道 20V 1.03a,700mA 480MOHM @ 200MA,5V 900mv @ 250µA 0.5NC @ 4.5V 37.1pf @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库