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6028）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
DMN2991UDR4-7 Diodes Incorporated DMN2991UDR4-7 0.2900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-xfdfn暴露垫 DMN2991 MOSFET （金属 o化物） 380MW（TA） X2-DFN1010-6（UXC） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 5,000 2 n 通道（双） 20V 500mA（ta） 990MOHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.28NC @ 4.5V 14.6pf @ 16V 标准
ADTC124ECAQ-7 Diodes Incorporated ADTC124ECAQ-7 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 ADTC124 310 MW SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma - npn-预先偏见 - - 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated DMN6068SE-13 0.6000
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA DMN6068 MOSFET （金属 o化物） SOT-223-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 60 V 4.1a（ta） 4.5V，10V 68mohm @ 12a，10v 3V @ 250µA 10.3 NC @ 10 V ±20V 502 PF @ 30 V - 2W（TA）
DMP2120U-7 Diodes Incorporated DMP2120U-7 0.3800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DMP2120 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 3.8A（TA） 1.8V，4.5V 62MOHM @ 4.2A，4.5V 1V @ 250µA 6.3 NC @ 4.5 V ±8V 487 PF @ 20 V - 800MW（TA）
DMP6350S-7-52 Diodes Incorporated DMP6350S-7-52 0.1516
RFQ
 ECAD 6741 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 31-DMP6350S-7-52 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 60 V 1.5A（TA） 4.5V，10V 350MOHM @ 900mA，10V 3V @ 250µA 4.1 NC @ 10 V ±20V 206 pf @ 30 V - 720MW
DMN52D0LT-7 Diodes Incorporated DMN52D0LT-7 0.3800
RFQ
 ECAD 8916 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-523 DMN52 MOSFET （金属 o化物） SOT-523 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 31-DMN52D0LT-7CT Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 50 V 350mA（ta） 1.8V，5V 2ohm @ 50mA，5v 1.2V @ 250µA 1.5 NC @ 10 V ±12V 40 pf @ 25 V - 500MW（TA）
FCX1053A-7 Diodes Incorporated FCX1053A-7 -
RFQ
 ECAD 3941 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - Rohs符合条件 （1 （无限） 31-FCX1053A-7TR 过时的 3,000
DMT6030LFCL-7 Diodes Incorporated DMT6030LFCL-7 0.1417
RFQ
 ECAD 6392 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-Powerufdfn MOSFET （金属 o化物） U-DFN1616-6（K） 下载 到达不受影响 31-DMT6030LFCL-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 6.5A（TA） 4.5V，10V 25mohm @ 6.5a，10v 2.5V @ 250µA 9.1 NC @ 10 V ±20V 639 pf @ 30 V - 780MW（TA）
DMN52D0UVA-13 Diodes Incorporated DMN52D0UVA-13 0.4700
RFQ
 ECAD 8081 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN52 MOSFET （金属 o化物） 480MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 50V 480ma（ta） 2ohm @ 50mA，5v 1V @ 250µA 1.5NC @ 10V 39pf @ 25V -
DMP2002UPS-13 Diodes Incorporated DMP2002UPS-13 2.2100
RFQ
 ECAD 1832年 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMP2002 MOSFET （金属 o化物） POWERDI5060-8（k型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 20 v 60a（TC） 2.5V，10V 1.9mohm @ 25a，10v 1.4V @ 250µA 585 NC @ 10 V ±12V 12826 pf @ 10 V - 2.3W（ta）
BCW61DTA Diodes Incorporated BCW61DTA -
RFQ
 ECAD 8213 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BCW61 330兆 SOT-23-3 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 32 v 200 MA 20NA PNP 550mv @ 1.25mA，50mA 380 @ 2mA，5V 180MHz
DMTH8004LPS-13 Diodes Incorporated DMTH8004LPS-13 0.8379
RFQ
 ECAD 1933年 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） PowerDI5060-8 下载 到达不受影响 31-DMTH8004LPS-13TR Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 80 V 100A（TC） 4.5V，10V 3.8mohm @ 20a，10v 2.8V @ 250µA 81 NC @ 10 V ±20V 4979 PF @ 40 V - 1.5W（ta），125W（tc）
DMP2065U-13 Diodes Incorporated DMP2065U-13 0.0725
RFQ
 ECAD 7804 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DMP2065 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 到达不受影响 31-DMP2065U-13TR Ear99 8541.29.0095 10,000 P通道 20 v 4A（ta） 1.8V，4.5V 60mohm @ 4.2A，4.5V 900mv @ 250µA 10.2 NC @ 4.5 V ±12V 808 pf @ 15 V - 900MW
ZVP2110ASTOA Diodes Incorporated ZVP2110ASTOA -
RFQ
 ECAD 5603 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 E-Line-3 MOSFET （金属 o化物） to-92兼容） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 P通道 100 v 230ma（ta） 10V 8ohm @ 375mA，10v 3.5V @ 1mA ±20V 100 pf @ 25 V - 700MW（TA）
DMP2040UFDF-13 Diodes Incorporated DMP2040UFDF-13 0.1382
RFQ
 ECAD 2500 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMP2040 MOSFET （金属 o化物） U-DFN2020-6（f型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 P通道 20 v 13A（TC） 2.5V，4.5V 32MOHM @ 8.9a，4.5V 1.5V @ 250µA 19 nc @ 8 V ±12V 834 pf @ 10 V - 1.8W（TA）
DMN6040SK3-13-52 Diodes Incorporated DMN6040SK3-13-52 0.3480
RFQ
 ECAD 3753 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DMN6040 MOSFET （金属 o化物） TO-252，（-d-pak） 下载 31-DMN6040SK3-13-52 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 20A（TC） 4.5V，10V 40mohm @ 20a，10v 3V @ 250µA 22.4 NC @ 10 V ±20V 1287 PF @ 25 V - 42W（TC）
DMC3061SVT-7 Diodes Incorporated DMC3061SVT-7 -
RFQ
 ECAD 7486 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC3061 MOSFET （金属 o化物） 880MW TSOT-23-6 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMC3061SVT-7DI Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 30V 3.4a（ta），2.7a（2.7a）（ta） 60mohm @ 3.1a，10v，95mohm @ 2.7a，10v 1.8V @ 250µA，2.2V @ 250µA 6.6nc @ 10V，6.8NC @ 10V 278pf @ 15V，287pf @ 15V -
BC858BW-7-F Diodes Incorporated BC858BW-7-F 0.0349
RFQ
 ECAD 8407 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 BC858 200兆 SOT-323 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 100 ma 15NA（icbo） PNP 650mv @ 5mA，100mA 220 @ 2mA，5V 200MHz
ZVN4525ZTA Diodes Incorporated ZVN4525ZTA 0.8700
RFQ
 ECAD 6707 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA ZVN4525 MOSFET （金属 o化物） SOT-89-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 250 v 240mA（ta） 2.4V，10V 8.5ohm @ 500mA，10v 1.8V @ 1mA 3.65 NC @ 10 V ±40V 72 pf @ 25 V - 1.2W（TA）
DMN2114SN-7 Diodes Incorporated DMN2114SN-7 -
RFQ
 ECAD 5132 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DMN2114 MOSFET （金属 o化物） SC-59-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 1.2A（TA） 2.5V，4.5V 100mohm @ 500mA，4.5V 1.4V @ 1mA ±12V 180 pf @ 10 V - 500MW（TA）
DMP510DLQ-7 Diodes Incorporated DMP510DLQ-7 0.0550
RFQ
 ECAD 5247 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DMP510 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 到达不受影响 31-DMP510DLQ-7TR Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 50 V 196mA（ta） 5V 9.5OHM @ 100mA，5V 2V @ 1mA 0.5 NC @ 10 V ±30V 40 pf @ 25 V - 520MW（TA）
DMT3020LFDB-7 Diodes Incorporated DMT3020LFDB-7 0.6300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMT3020 MOSFET （金属 o化物） 700MW U-DFN2020-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 7.7a 20mohm @ 9a，10v 3V @ 250µA 7NC @ 10V 393pf @ 15V -
DCX124EUQ-13R-F Diodes Incorporated DCX124EUQ-13R-F 0.0528
RFQ
 ECAD 9375 0.00000000 二极管合并 Automotive，AEC-Q101，DCX（xxxx）u 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DCX124 200MW SOT-363 下载 到达不受影响 31-DCX124EUQ-13R-FTR Ear99 8541.21.0075 10,000 50V 100mA 500NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 500µA，10mA 60 @ 5mA，5v 250MHz 22KOHMS 22KOHMS
APT13003DHZTR-G1 Diodes Incorporated APT13003DHztr-G1 -
RFQ
 ECAD 6384 0.00000000 二极管合并 - （TB） 过时的 APT13003 - Rohs符合条件 （1 （无限） 31-APT13003DHZTR-G1TB Ear99 8541.29.0095 2,000
DMTH61M8LPS-13 Diodes Incorporated DMTH61M8LPS-13 2.3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMTH61 MOSFET （金属 o化物） PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 225a（TC） 4.5V，10V 1.6mohm @ 30a，10v 3V @ 250µA 115.5 NC @ 10 V ±20V 8320 PF @ 30 V - 3.2W（ta），187.5W（tc）
DMP2036UVT-7 Diodes Incorporated DMP2036UVT-7 0.1216
RFQ
 ECAD 8203 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMP2036 MOSFET （金属 o化物） TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMP2036UVT-7DI Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 6a（6a） 1.8V，4.5V 30mohm @ 6.4a，4.5V 1V @ 250µA 20.5 NC @ 4.5 V ±8V 1808 pf @ 15 V - 1.1W（TA）
DDTB142TU-7-F Diodes Incorporated DDTB142TU-7-F -
RFQ
 ECAD 5483 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-70，SOT-323 DDTB142 200兆 SOT-323 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 500 MA 500NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 2.5mA，50mA 100 @ 5mA，5V 200 MHz 470欧姆
DMTH6010SK3-13 Diodes Incorporated DMTH6010SK3-13 1.1100
RFQ
 ECAD 6106 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DMTH6010 MOSFET （金属 o化物） TO-252-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 16.3a（ta），70A（tc） 10V 8mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 36.3 NC @ 10 V ±20V 1940 pf @ 30 V - 3.1W（TA）
DMN3016LFDF-7-90 Diodes Incorporated DMN3016LFDF-7-90 0.1703
RFQ
 ECAD 3877 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMN3016 MOSFET （金属 o化物） U-DFN2020-6（f型） 下载 到达不受影响 31-DMN3016LFDF-7-90TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 10a（10a） 4.5V，10V 12mohm @ 11a，10v 2V @ 250µA 25.1 NC @ 10 V ±20V 1415 pf @ 15 V - 730MW（TA）
DMN33D8LDWQ-7 Diodes Incorporated DMN33D8LDWQ-7 0.4500
RFQ
 ECAD 4126 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN33 MOSFET （金属 o化物） 350MW（TA） SOT-363 下载 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 250mA（ta） 2.4OHM @ 250mA，10V 1.5V @ 100µA 1.23nc @ 10V 48pf @ 5V -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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