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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
DMP2110UFDBQ-7 Diodes Incorporated DMP2110UFDBQ-7 0.4600
RFQ
ECAD 1496年 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-udfn暴露垫 DMP2110 MOSFET (金属 o化物) U-DFN2020-6(B型) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 3.5A(ta) 2.5V,4.5V 80MOHM @ 2.8a,4.5V 1V @ 250µA 6 NC @ 4.5 V ±10V 443 pf @ 10 V - 800MW(TA)
ZXTP2039FTA Diodes Incorporated ZXTP2039FTA 0.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 ZXTP2039 350兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 60 V 1 a 100NA PNP 600mv @ 100mA,1a 100 @ 500mA,5V 150MHz
DMTH6002LPSWQ-13 Diodes Incorporated DMTH6002LPSWQ-13 1.0319
RFQ
ECAD 9232 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET (金属 o化物) PowerDI5060-8(SWP) 下载 到达不受影响 31-DMTH6002LPSWQ-13TR Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 205a(TC) 4.5V,10V 2mohm @ 30a,10v 3V @ 250µA 131 NC @ 10 V ±20V 8289 PF @ 30 V - (3W(ta),167W(tc)
DMN2310UFB4-7B Diodes Incorporated DMN2310UFB4-7B 0.0425
RFQ
ECAD 4685 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 3-XFDFN DMN2310 MOSFET (金属 o化物) X2-DFN1006-3 下载 到达不受影响 31-DMN2310UFB4-7BTR Ear99 8541.29.0095 10,000 n通道 20 v 2.1a(ta) 1.5V,4.5V 175MOHM @ 1A,4.5V 950mv @ 250µA 0.7 NC @ 4.5 V ±8V 38 pf @ 10 V - 710MW(TA)
DMNH6012SPS-13 Diodes Incorporated DMNH6012SPS-13 0.5513
RFQ
ECAD 6134 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN DMNH6012 MOSFET (金属 o化物) PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 50A(TC) 10V 11mohm @ 50a,10v 4V @ 250µA 35.2 NC @ 10 V ±20V 1926 PF @ 30 V - 1.6W(TA)
DMT12H065LFDF-7 Diodes Incorporated DMT12H065LFDF-7 0.3605
RFQ
ECAD 3639 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-udfn暴露垫 DMT12 MOSFET (金属 o化物) U-DFN2020-6(f型) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 31-DMT12H065LFDF-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 115 v 4.3a(ta) 3V,10V 65mohm @ 3a,10v 2.2V @ 250µA 5.5 NC @ 10 V ±12V 252 PF @ 50 V - 1W(ta)
ZXTN2031FTA Diodes Incorporated ZXTN2031FTA 0.7900
RFQ
ECAD 8562 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 ZXTN2031 1.2 w SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 3,000 50 V 5 a 20NA(ICBO) NPN 170MV @ 250mA,5a 200 @ 500mA,2V 125MHz
DMN61D9UWQ-13 Diodes Incorporated DMN61D9UWQ-13 0.3500
RFQ
ECAD 212 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 DMN61 MOSFET (金属 o化物) SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 60 V 400mA(TA) 1.8V,5V 2ohm @ 50mA,5v 1V @ 250µA 0.4 NC @ 4.5 V ±20V 28.5 pf @ 30 V - 440MW(TA)
DMN53D0LDWQ-13 Diodes Incorporated DMN53D0LDWQ-13 0.0927
RFQ
ECAD 5020 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DMN53 MOSFET (金属 o化物) 400MW(TA) SOT-363 下载 到达不受影响 31-DMN53D0LDWQ-13TR Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道(双) 50V 460mA ta) 1.6ohm @ 500mA,10v 1.5V @ 250µA 1.4NC @ 10V 49.5pf @ 25V -
DMP3045LVT-13 Diodes Incorporated DMP3045LVT-13 0.1150
RFQ
ECAD 7170 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 DMP3045 MOSFET (金属 o化物) TSOT-26 下载 到达不受影响 31-DMP3045LVT-13TR Ear99 8541.29.0095 10,000 P通道 30 V 5.4A(ta) 4.5V,10V 42MOHM @ 4.9A,10V 2.1V @ 250µA 14.3 NC @ 10 V ±20V 749 pf @ 15 V - 1.2W(TA)
DMP3056LDMQ-7 Diodes Incorporated DMP3056LDMQ-7 0.1634
RFQ
ECAD 3 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 DMP3056 MOSFET (金属 o化物) SOT-26 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 31-DMP3056LDMQ-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 4.3a(ta) 4.5V,10V 45mohm @ 5a,10v 2.1V @ 250µA 21.1 NC @ 10 V ±20V 948 PF @ 25 V - 1.25W(TA)
DMP2110UVT-13 Diodes Incorporated DMP2110UVT-13 0.0817
RFQ
ECAD 8647 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 DMP2110 MOSFET (金属 o化物) 740MW(TA) TSOT-26 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2(p 通道(双) 20V 1.8A(ta) 150MOHM @ 2.8a,4.5V 1V @ 250µA 6NC @ 4.5V 443pf @ 6V -
DMNH6011LK3-13 Diodes Incorporated DMNH6011LK3-13 0.5723
RFQ
ECAD 1587年 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 DMNH6011 MOSFET (金属 o化物) TO-252,(-d-pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 55 v 80A(TC) 4.5V,10V 12mohm @ 25a,10v 2V @ 250µA 49.1 NC @ 10 V ±12V 3077 PF @ 30 V - 1.6W(TA)
DMP3056LSSQ-13 Diodes Incorporated DMP3056LSSQ-13 0.5200
RFQ
ECAD 8875 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DMP3056 MOSFET (金属 o化物) 8-so 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 4.9a(ta) 4.5V,10V 45mohm @ 6a,10v 2.1V @ 250µA 17.3 NC @ 10 V ±20V 969 pf @ 15 V - 1.2W(TA)
DMN2013UFX-7 Diodes Incorporated DMN2013UFX-7 0.2665
RFQ
ECAD 6985 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-VFDFN暴露垫 DMN2013 MOSFET (金属 o化物) 2.14W W-DFN5020-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双)公共排水 20V 10a(10a) 11.5MOHM @ 8.5A,4.5V 1.1V @ 250µA 57.4NC @ 8V 2607pf @ 10V -
DDTA144TUA-7-F Diodes Incorporated DDTA144TUA-7-F 0.0435
RFQ
ECAD 7456 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 DDTA144 200兆 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA(ICBO) pnp-预先偏见 300mv @ 250µA,2.5mA 100 @ 1mA,5V 250 MHz 47科姆斯
BSS84V-7-79 Diodes Incorporated BSS84V-7-79 -
RFQ
ECAD 7980 0.00000000 二极管合并 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 BSS84 MOSFET (金属 o化物) 150MW(TA) SOT-563 - 31-BSS84V-7-79 Ear99 8541.21.0095 1 2(p 通道(双) 50V 130mA(ta) 10ohm @ 100mA,5v 2V @ 1mA - 45pf @ 25V -
DMC4040SSD-13 Diodes Incorporated DMC4040SSD-13 0.8900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DMC4040 MOSFET (金属 o化物) 1.8W 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 40V 6.8a 25mohm @ 3a,10v 1.8V @ 250µA 37.6NC @ 10V 1790pf @ 20V 逻辑级别门
DDA113TU-7-F Diodes Incorporated DDA113TU-7-F 0.4900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DDA113 200MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA - 2 PNP-) 300mv @ 1mA,10mA 100 @ 1mA,5V 250MHz 1KOHMS -
DMTH8008SFGQ-13 Diodes Incorporated DMTH8008SFGQ-13 0.5557
RFQ
ECAD 3773 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn MOSFET (金属 o化物) PowerDI3333-8 下载 到达不受影响 31-DMTH8008SFGQ-13TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 80 V (17a)(68a ta)(TC) 6V,10V 7mohm @ 14a,10v 4V @ 1mA 31.7 NC @ 10 V ±20V 1945 PF @ 40 V - 1.2W(ta),50W(TC)
ZXMP6A13FQTA Diodes Incorporated ZXMP6A13FQTA 0.5800
RFQ
ECAD 1142 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 ZXMP6A13 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 60 V 900mA(ta) 4.5V,10V 400mohm @ 900mA,10V 3V @ 250µA 2.9 NC @ 4.5 V ±20V 219 pf @ 30 V - 625MW(TA)
DMTH4001STLWQ-13 Diodes Incorporated DMTH4001STLWQ-13 2.3520
RFQ
ECAD 2876 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powersfn DMTH4001 MOSFET (金属 o化物) PowerDI1012-8 下载 31-DMTH4001STLWQ-13 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 40 V 300A(TC) 10V 0.85MOHM @ 30a,10V 4V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±20V 13185 PF @ 20 V - 6W(TA),300W(300W)TC)
FZT458TA Diodes Incorporated FZT458TA 0.6400
RFQ
ECAD 58 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA FZT458 2 w SOT-223-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 400 v 300 MA 100NA NPN 500mv @ 6mA,50mA 100 @ 50mA,10V 50MHz
ZXMN2A05N8TA Diodes Incorporated ZXMN2A05N8TA -
RFQ
ECAD 7600 0.00000000 二极管合并 - Digi-Reel® 过时的 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MOSFET (金属 o化物) 8-so - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 20 v - - - -
ZXMN2F34MATA Diodes Incorporated ZXMN2F34MATA -
RFQ
ECAD 1685年 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 3-PowerVDFN MOSFET (金属 o化物) DFN322 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 4A(ta) 2.5V,4.5V 60mohm @ 2.5a,4.5V 1.5V @ 250µA 2.8 NC @ 4.5 V ±12V 277 PF @ 10 V - 1.35W(TA)
DMTH6012LPSWQ-13 Diodes Incorporated DMTH6012LPSWQ-13 0.2741
RFQ
ECAD 9543 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN DMTH6012 MOSFET (金属 o化物) PowerDi5060-8(Q) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 31-DMTH6012LPSWQ-13TR Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 11.5A(ta),50.5a tc) 4.5V,10V 14mohm @ 20a,10v 2.3V @ 250µA 13.6 NC @ 10 V ±20V 785 pf @ 30 V 标准 2.8W(TA),53.6W(TC)
DZT956-13 Diodes Incorporated DZT956-13 -
RFQ
ECAD 2119 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - Rohs符合条件 (1 (无限) 31-DZT956-13TR 过时的 3,000
ADTC124EUAQ-13 Diodes Incorporated ADTC124EUAQ-13 0.0393
RFQ
ECAD 2523 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 ADTC124 330兆 SOT-323 下载 到达不受影响 31-ADTC124EUAQ-13TR Ear99 8541.21.0075 10,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 56 @ 5mA,5V 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
2N7002DW-7-F-79 Diodes Incorporated 2N7002DW-7-F-79 -
RFQ
ECAD 1541年 0.00000000 二极管合并 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 2N7002 - - (1 (无限) 到达不受影响 2N7002DW-7-F-79DI Ear99 8541.21.0095 3,000 -
DMC2025UFDB-7 Diodes Incorporated DMC2025UFDB-7 0.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-udfn暴露垫 DMC2025 MOSFET (金属 o化物) 700MW(TA) U-DFN2020-6(B型) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 20V 6a(6a),3.5a ta(3.5a) 25mohm @ 4A,4.5V,75MOHM @ 2.9a,4.5V 1V @ 250µA,1.4V @ 250µA 12.3nc @ 10v,15nc @ 8v 486pf @ 10v,642pf @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库