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6028）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
2DB1184Q-13 Diodes Incorporated 2DB1184Q-13 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2DB1184 15 W TO-252-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,500 50 V 3 a 1µA（ICBO） PNP 1V @ 200mA，2a 120 @ 500mA，3v 110MHz
DDTC114YKA-7-F Diodes Incorporated DDTC114YKA-7-F -
RFQ
 ECAD 3643 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DDTC114 200兆 SC-59-3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 10 kohms 47科姆斯
BSS123TC Diodes Incorporated BSS123TC -
RFQ
 ECAD 7517 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BSS123 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 100 v 170mA（TA） 4.5V，10V 6ohm @ 100mA，10v 2.8V @ 1mA ±20V 20 pf @ 25 V - 360MW（TA）
DMP2021UTS-13 Diodes Incorporated DMP2021UTS-13 0.3045
RFQ
 ECAD 5048 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） DMP2021 MOSFET （金属 o化物） 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 20 v 18A（TC） 1.8V，4.5V 16mohm @ 4.5A，4.5V 1V @ 250µA 59 NC @ 8 V ±10V 2760 pf @ 15 V - 1.3W（TA）
DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated DMN3016LPS-13 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMN3016 MOSFET （金属 o化物） PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 10.8a（ta） 4.5V，10V 12mohm @ 20a，10v 2V @ 250µA 25.1 NC @ 10 V ±20V 1415 pf @ 15 V - 1.18W（TA）
DMTH10H032LPDWQ-13 Diodes Incorporated DMTH10H032LPDWQ-13 0.4173
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMTH10 MOSFET （金属 o化物） 3W（3W），37W（tc） PowerDI5060-8（type UXD） 下载 31-DMTH10H032LPDWQ-13 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n通道 100V 24A（TC） 32MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 250µA 11.9nc @ 10V 683pf @ 50V 标准
BCP53QTA Diodes Incorporated BCP53QTA 0.1198
RFQ
 ECAD 5698 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA BCP53 2 w SOT-223-3 下载 到达不受影响 31-BCP53QTATR Ear99 8541.29.0075 1,000 80 V 1 a 100NA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，500mA 40 @ 150mA，2V 150MHz
DXTN06080BFG-7 Diodes Incorporated DXTN06080BFG-7 0.4000
RFQ
 ECAD 2171 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 8-Powervdfn 1 w PowerDi3333-8（SWP）类型ux 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,000 80 V 1 a 20NA NPN 500mv @ 50mA，800mA 100 @ 150mA，2V 130MHz
MMBT2222A-7 Diodes Incorporated MMBT2222A-7 -
RFQ
 ECAD 7098 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MMBT2222 310 MW SOT-23-3 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 40 V 600 MA 10NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 100 @ 150mA，10V 300MHz
DMP34M4SPS-13 Diodes Incorporated DMP34M4SPS-13 1.1200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMP34 MOSFET （金属 o化物） PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 135a（TC） 5V，10V 3.8mohm @ 20a，10v 2.6V @ 250µA 127 NC @ 10 V ±25V 3775 pf @ 15 V - 1.5W
DMG2302UQ-13 Diodes Incorporated DMG2302UQ-13 0.4000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DMG2302 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 20 v 4.2A（ta） 2.5V，4.5V 90MOHM @ 3.6A，4.5V 1V @ 50µA 7 NC @ 4.5 V ±8V 594.3 pf @ 10 V - 800MW（TA）
DMTH62M8LPS-13 Diodes Incorporated DMTH62M8LPS-13 0.5722
RFQ
 ECAD 5052 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMTH62 MOSFET （金属 o化物） POWERDI5060-8（k型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 100A（TC） 4.5V，10V 2.8mohm @ 50a，10v 3V @ 250µA 96.3 NC @ 10 V ±20V 4515 PF @ 30 V - 3.13W
DMPH6050SPD-13 Diodes Incorporated DMPH6050SPD-13 1.0600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMPH6050 MOSFET （金属 o化物） PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 26a（TC） 48mohm @ 5a，10v 3V @ 250µA 14.5nc @ 4.5V 1525pf @ 30V -
DMN3013LDG-13 Diodes Incorporated DMN3013LDG-13 0.3080
RFQ
 ECAD 8285 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerldfn DMN3013 MOSFET （金属 o化物） 2.16W（TA） POWERDI3333-8（d型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 9.5A（ta），15a （TC） 14.3MOHM @ 4A，8V 1.2V @ 250µA 5.7nc @ 4.5V 600pf @ 15V -
ZXMN3A02N8TA Diodes Incorporated ZXMN3A02N8TA -
RFQ
 ECAD 8155 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMN3 MOSFET （金属 o化物） 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 30 V 7.3a（ta） 4.5V，10V 25mohm @ 12a，10v 1V @ 250µA 26.8 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 25 V - 1.56W（TA）
DMG4N65CT Diodes Incorporated DMG4N65CT -
RFQ
 ECAD 2549 0.00000000 二极管合并 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 DMG4 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 DMG4N65CTDI Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 4A（TC） 10V 3ohm @ 2a，10v 5V @ 250µA 13.5 NC @ 10 V ±30V 900 pf @ 25 V - 2.19W（TA）
ZXMP3F36N8TA Diodes Incorporated ZXMP3F36N8TA -
RFQ
 ECAD 5464 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 ZXMP3F36N8TADI Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 7.2A（ta） 4.5V，10V 20mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 43.9 NC @ 15 V ±20V 2265 pf @ 15 V - 1.56W（TA）
DMPH6050SSDQ-13 Diodes Incorporated DMPH6050SSDQ-13 0.9300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMPH6050 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 60V 5.2a（ta） 48mohm @ 5a，10v 3V @ 250µA 14.5nc @ 4.5V 1525pf @ 30V -
DMMT3904WQ-7-F Diodes Incorporated DMMT3904WQ-7-F 0.4800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMMT3904 200MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 40V 200mA - 2 NPN （双） 300mv @ 5mA，50mA 100 @ 10mA，1V 300MHz
ZVP1320ASTOB Diodes Incorporated ZVP1320ASTOB -
RFQ
 ECAD 2275 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 E-Line-3 MOSFET （金属 o化物） to-92兼容） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 P通道 200 v 70mA（ta） 10V 80ohm @ 50mA，10v 3.5V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - 625MW（TA）
DDTC144WE-7-F Diodes Incorporated DDTC144WE-7-F 0.0605
RFQ
 ECAD 1731年 0.00000000 二极管合并 DDTC（r1 r2系列）e 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-523 DDTC144 150兆 SOT-523 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DDTC144WE-FDICT Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 56 @ 5mA，5V 250 MHz 47科姆斯 22 KOHMS
DMP2066LDM-7 Diodes Incorporated DMP2066LDM-7 0.4200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 DMP2066 MOSFET （金属 o化物） SOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 4.6a（ta） 2.5V，4.5V 40mohm @ 4.6A，4.5V 1.2V @ 250µA 10.1 NC @ 4.5 V ±12V 820 pf @ 15 V - 1.25W（TA）
DMN3016LFDE-13 Diodes Incorporated DMN3016LFDE-13 0.4300
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-Powerudfn DMN3016 MOSFET （金属 o化物） U-DFN2020-6（e） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 30 V 10a（10a） 4.5V，10V 12mohm @ 11a，10v 2V @ 250µA 25.1 NC @ 10 V ±20V 1415 pf @ 15 V - 730MW（TA）
FZT600BQTA Diodes Incorporated FZT600BQTA 0.3627
RFQ
 ECAD 7746 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA 1.2 w SOT-223 下载 到达不受影响 31-FZT600BQTATR Ear99 8541.29.0075 1,000 140 v 2 a 10µA npn-达灵顿 1.2V @ 10mA，1a 10000 @ 500mA，10v 250MHz
DMTH4014LDVW-13 Diodes Incorporated DMTH4014LDVW-13 0.2426
RFQ
 ECAD 6964 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMTH4014 MOSFET （金属 o化物） 1.16W（TA） PowerDI3333-8（类型UXD） 下载 到达不受影响 31-DMTH4014LDVW-13TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 10.2A（ta），27.5a tc） 15mohm @ 20a，10v 3V @ 250µA 11.2nc @ 10V 750pf @ 20V -
DDTA125TE-7-F Diodes Incorporated DDTA125TE-7-F -
RFQ
 ECAD 3382 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-523 DDTA125 150兆 SOT-523 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 50µA，500µA 100 @ 1mA，5V 250 MHz 200 kohms
DMT15H053SK3-13 Diodes Incorporated DMT15H053SK3-13 0.3573
RFQ
 ECAD 6677 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DMT15 MOSFET （金属 o化物） TO-252，（-d-pak） 下载 31-DMT15H053SK3-13 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 150 v 21a（TC） 10V 60mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 11.5 NC @ 10 V ±20V 814 PF @ 75 V - 1.7W（TA）
ADTC143ZUAQ-13 Diodes Incorporated ADTC143ZUAQ-13 0.0320
RFQ
 ECAD 8366 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 ADTC143 330兆 SOT-323 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000 100 ma - npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
DMG4413LSS-13 Diodes Incorporated DMG4413LSS-13 0.9000
RFQ
 ECAD 8037 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMG4413 MOSFET （金属 o化物） 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 10.5a（ta） 4.5V，10V 7.5MOHM @ 13A，10V 2.1V @ 250µA 46 NC @ 5 V ±20V 4965 PF @ 15 V - 1.7W（TA）
BCX5110TA Diodes Incorporated BCX5110TA 0.4000
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA BCX5110 1 w SOT-89-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 45 v 1 a 100NA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，500mA 63 @ 150mA，2V 150MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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