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6028）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
DMTH6016LFVWQ-13	0.6500	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMTH6016	MOSFET （金属 o化物）		PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	41A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	15.1 NC @ 10 V	±20V	939 PF @ 30 V	-	1.17W（TA）
BSS138K-13	0.3100	RFQ	278	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS138	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	50 V	310mA ta）	10V	3.5OHM @ 220mA，10V	1.5V @ 250µA	0.95 NC @ 10 V	±20V	23.2 pf @ 25 V	-	380MW（TA）
DMP3012LPS-13	0.3497	RFQ	4143	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMP3012	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	13.2a（ta）	4.5V，10V	9mohm @ 10a，10v	2.1V @ 250µA	139 NC @ 10 V	±20V	6807 PF @ 15 V	-	1.29W（TA）
ZVN4210ASTOB	-	RFQ	2004	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3		MOSFET （金属 o化物）		to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道	100 v	450mA（ta）	5V，10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	2.4V @ 1mA		±20V	100 pf @ 25 V	-	700MW（TA）
DMP6023LFGQ-13	0.7800	RFQ	642	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜155°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMP6023	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	7.7a（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 5A，10V	3V @ 250µA	53.1 NC @ 10 V	±20V	2569 PF @ 30 V	-	1W（ta）
DMS3014SFGQ-13	0.2571	RFQ	5848	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMS3014	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	9.5A（TA）	4.5V，10V	14.5mohm @ 10.4a，10v	2.2V @ 250µA	19.3 NC @ 10 V	±12V	4310 PF @ 15 V	-	1W（ta）
ZXMP7A17KTC	0.9100	RFQ	36	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ZXMP7A17	MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	70 v	3.8A（TA）	4.5V，10V	160MOHM @ 2.1a，10V	1V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	635 pf @ 40 V	-	2.11W（ta）
ZVNL110ASTOB	-	RFQ	1298	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3		MOSFET （金属 o化物）		to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道	100 v	320mA（TA）	5V，10V	3ohm @ 500mA，10v	1.5V @ 1mA		±20V	75 pf @ 25 V	-	700MW（TA）
DDTA123EKA-7-F	-	RFQ	2305	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DDTA123		200兆	SC-59-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 20mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
DMP58D0SV-7	-	RFQ	3575	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMP58	MOSFET （金属 o化物）	400MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		50V	160mA		8ohm @ 100mA，5v	2.1V @ 250µA	-		27pf @ 25V	逻辑级别门
BSS138DWQ-7	0.4200	RFQ	85	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BSS138	MOSFET （金属 o化物）	200MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		50V	200mA		3.5OHM @ 220mA，10V	1.5V @ 250µA	-		50pf @ 10V	-
DMN3027LFG-13	0.2588	RFQ	3943	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMN3027	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN3027LFG-13DI	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	18.6mohm @ 10a，10v	1.8V @ 250µA	11.3 NC @ 10 V	±25V	580 pf @ 15 V	-	1W（ta）
DMN39M1LK3-13	0.6300	RFQ	2061	二极管合并	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMN39	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载				31-DMN39M1LK3-13	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	17.9a（（ta），89.3a tc）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 30a，10V	2.5V @ 250µA	38.6 NC @ 10 V	±20V	2253 PF @ 15 V	-	1.4W（TA），65.7W（tc）
DMP4047SSD-13	0.6900	RFQ	51	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMP4047	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		40V	5.1a		45MOHM @ 4.4A，10V	3V @ 250µA	21.5nc @ 10V		1154pf @ 20V	逻辑级别门
DMMT2907A-7	0.1238	RFQ	1525年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	DMMT2907		900MW	SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													60V	600mA	10NA（ICBO）	2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	307MHz
ZXMP10A16KTC	0.9400	RFQ	1	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ZXMP10	MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	100 v	3A（3A）	6V，10V	235mohm @ 2.1a，10v	4V @ 250µA	16.5 NC @ 10 V	±20V	717 PF @ 50 V	-	2.15W（TA）
ZXMP6A18DN8TA	1.5600	RFQ	4	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ZXMP6A18	MOSFET （金属 o化物）	1.8W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	2（p 通道（双）		60V	3.7a		55MOHM @ 3.5A，10V	1V @ 250µA（250µA）	44NC @ 10V		1580pf @ 30V	逻辑级别门
ZVN4306Avstob	-	RFQ	4241	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3		MOSFET （金属 o化物）		to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道	60 V	1.1A（TA）	5V，10V	330mohm @ 3a，10v	3V @ 1mA		±20V	350 pf @ 25 V	-	850MW（TA）
DMN2040UVT-7	0.0927	RFQ	2540	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMN2040	MOSFET （金属 o化物）		TSOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	6.7a（ta）	2.5V，4.5V	24mohm @ 6.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	7.5 NC @ 4.5 V	±8V	667 pf @ 10 V	-	1.2W（TA）
DMP2066LSD-13	-	RFQ	1859年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMP2066LSD	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		20V	5.8a		40mohm @ 4.6A，4.5V	1.2V @ 250µA	10.1NC @ 4.5V		820pf @ 15V	逻辑级别门
ZXMN3B01FTA	0.5300	RFQ	4	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	ZXMN3	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	1.7A（TA）	2.5V，4.5V	150MOHM @ 1.7A，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	2.93 NC @ 4.5 V	±12V	258 pf @ 15 V	-	625MW（TA）
ZXMN3A04DN8TA	1.7300	RFQ	20	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ZXMN3	MOSFET （金属 o化物）	1.81W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	2 n 通道（双）		30V	6.5a		20mohm @ 12.6a，10v	1V @ 250µA（250µA）	36.8nc @ 10V		1890pf @ 15V	逻辑级别门
DMP4050SSD-13	0.9200	RFQ	213	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMP4050	MOSFET （金属 o化物）	1.8W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		40V	4a		50mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	13.9nc @ 10V		674pf @ 20V	-
DMP3018SFK-13	0.3249	RFQ	6606	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	DMP3018	MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2523-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMP3018SFK-13DI	Ear99	8541.29.0095	10,000		P通道	30 V	10.2A（ta）	4.5V，10V	14.5MOHM @ 9.5A，10V	3V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±25V	4414 pf @ 15 V	-	1W（ta）
ZVP4525E6TA	0.9100	RFQ	3822	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZVP4525	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	250 v	197MA（ta）	3.5V，10V	14ohm @ 200ma，10v	2V @ 1mA	3.45 NC @ 10 V	±40V	73 pf @ 25 V	-	1.1W（TA）
DMP6180SK3Q-13	0.6400	RFQ	47	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMP6180	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	14A（TC）	4.5V，10V	110mohm @ 12a，10v	2.7V @ 250µA	17.1 NC @ 10 V	±20V	984.7 pf @ 30 V	-	1.7W（TA）
DMT10H010LCT	1.6100	RFQ	45	二极管合并	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	DMT10	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMT10H010LCTDI	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	98A（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 13A，10V	3V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 50 V	-	2W（TA），139w（tc）
DMG3N60SCT	-	RFQ	9932	二极管合并	汽车，AEC-Q101	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	DMG3N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件		到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	3.3A（TC）	10V	3.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	12.6 NC @ 10 V	±30V	354 pf @ 25 V	-	104W（TC）
ZXMN3AMCTA	-	RFQ	2896	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	ZXMN3	MOSFET （金属 o化物）	1.7W	DFN3020B-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	3.7a（ta）		120mohm @ 2.5a，10v	3V @ 250µA	2.3nc @ 4.5V		190pf @ 25V	-
ULN62003AS16-13	0.6500	RFQ	4250	二极管合并	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	ULN62003		-	16件事	下载				31-ULN62003AS16-13	Ear99	8541.10.0070	4,000													50V	500mA	-	-	-	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6028）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²