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6028）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
DMT3006LDK-7	0.4700	RFQ	5871	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT3006	MOSFET （金属 o化物）		V-DFN3030-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	17.1A（TA），46.2a tc）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 12A，10V	3V @ 250µA	22.6 NC @ 10 V	±20V	1320 pf @ 15 V	-	1.1W（TA）
DMN2250UFB-7B	0.4200	RFQ	10	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-UFDFN	DMN2250	MOSFET （金属 o化物）		X1-DFN1006-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	20 v	1.35A（TA）	1.8V，4.5V	170MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	3.1 NC @ 10 V	±8V	94 pf @ 16 V	-	500MW（TA）
DDTC114YCAQ-7-F	0.0524	RFQ	3474	二极管合并	ddtc（r1≠r2系列）ca	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DDTC114		200兆	SOT-23-3	下载			到达不受影响	31-DDTC114YCAQ-7-FTR	Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
DMP4011SK3-13	0.5541	RFQ	5032	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMP4011	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMP4011SK3-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	（14a）（ta），74a tc（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 9.8a，10v	2.5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	2747 PF @ 20 V	-	1.8W（ta），4.2W（TC）
DMN3404L-7-50	0.0758	RFQ	5538	二极管合并	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN3404	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载				31-DMN3404L-7-7-7-50	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.2A（ta）	3V，10V	28mohm @ 5.8A，10V	2V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	498 pf @ 15 V	-	720MW
DMTH3002LPSQ-13	0.5592	RFQ	6944	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		POWERDI5060-8（k型）	-			到达不受影响	31-DMTH3002LPSQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	240a（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	77 NC @ 10 V	±16V	5000 pf @ 15 V	-	1.2W（TA），136W（tc）
DMN4027SSD-13	0.3350	RFQ	8082	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMN4027	MOSFET （金属 o化物）	1.8W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	5.4a		27mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	12.9nc @ 10V		604pf @ 20V	逻辑级别门
DMG301NU-13	0.4600	RFQ	89	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMG301	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	25 v	260mA ta）	2.7V，4.5V	4ohm @ 400mA，4.5V	1.1V @ 250µA	0.36 NC @ 4.5 V	8V	27.9 pf @ 10 V	-	320MW（TA）
DMP2021UFDF-7	0.7300	RFQ	64	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMP2021	MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（f型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	9a（9a）	1.5V，4.5V	16mohm @ 7a，4.5V	1V @ 250µA	59 NC @ 8 V	±8V	2760 pf @ 15 V	-	730MW（TA）
DMTH10H015SK3Q-13	0.4733	RFQ	9728	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMTH10	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载			到达不受影响	31-DMTH10H015SK3Q-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	59A（TC）	6V，10V	14mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	30.1 NC @ 10 V	±20V	2343 PF @ 50 V	-	2W（TA）
DMP3007SFG-7	0.8600	RFQ	13	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMP3007	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	30 V	70A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 11.5a，10v	3V @ 250µA	64.2 NC @ 10 V	±25V	2826 PF @ 15 V	-	2.8W（ta）
DCX115EU-7-F-50	0.0357	RFQ	9220	二极管合并	dcx（xxxx）u	大部分	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DCX115		200MW	SOT-363	下载				31-DCX115EU-7-F-50	Ear99	8541.21.0075	3,000													50V	100mA	500NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	82 @ 5mA，5V	250MHz	100kohms	100kohms
DMG1024UV-7	0.4000	RFQ	44	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMG1024	MOSFET （金属 o化物）	530MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	1.38a		450MOHM @ 600mA，4.5V	1V @ 250µA	0.74NC @ 4.5V		60.67pf @ 16V	逻辑级别门
ZXMP10A13FQTA	0.7600	RFQ	5	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	ZXMP10	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	100 v	600mA（TA）	6V，10V	1 OHM @ 600mA，10V	4V @ 250µA	1.8 NC @ 5 V	±20V	141 PF @ 50 V	-	625MW（TA）
DMN3022LDG-7	0.3891	RFQ	6542	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	DMN3022	MOSFET （金属 o化物）	1.96W（TA）	POWERDI3333-8（d型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	2 n 通道（双）		30V	7.6a（ta），15a（tc）		22mohm @ 10a，5v，8mohm @ 10a，5v	2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA	3.7nc @ 4.5V，8NC @ 4.5V		481pf @ 15V，996pf @ 15V	-
ZXTP5240F-7	0.4000	RFQ	104	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	ZXTP5240		730兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	2 a	100NA（ICBO）	PNP	350mv @ 200mA，2a	300 @ 100mA，2V	100MHz
DMTH6005LCT	1.0438	RFQ	7103	二极管合并	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	DMTH6005	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	100A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	47.1 NC @ 10 V	±20V	2962 PF @ 30 V	-	2.8W（ta），125W（tc）
DMTH6009LPSQ-13	0.3716	RFQ	8197	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMTH6009	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	11.76A（ta），89.5a （TC）	4.5V，10V	10mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	33.5 NC @ 10 V	±16V	1925 PF @ 30 V	-	2.8W（TA），136W（tc）
DMN31D5L-13	0.0474	RFQ	9497	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN31	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	30 V	500mA（ta）	2.5V，4V	1.5OHM @ 10mA，4V	1.6V @ 250µA	1.2 NC @ 10 V	±20V	50 pf @ 15 V	-	350MW（TA）
DMN2450UFD-7	0.3300	RFQ	4	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-udfn	DMN2450	MOSFET （金属 o化物）		X1-DFN1212-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	900mA（ta）	1.5V，4.5V	600mohm @ 200ma，4.5V	1V @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V	±12V	52 pf @ 16 V	-	400MW（TA）
DMTH6006SPS-13	0.3837	RFQ	6310	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMTH6006	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMTH6006SPS-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	17.8A（TA），100A（tc）	10V	6.2MOHM @ 10.5A，10V	4V @ 250µA	27.9 NC @ 10 V	±20V	1721 PF @ 30 V	-	2.94W（ta），107W（tc）
DMTH6005LFG-7	0.5078	RFQ	2590	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMTH6005	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	31-DMTH6005LFG-7TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	19.7a（ta），100a（tc）	4.5V，10V	4.1MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	48.7 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 30 V	-	2.38W（ta），75W（（（（（（（（（（
BC847CDLP-7	0.3700	RFQ	13	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫	BC847		350MW	x2-dfn1310-6（b型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45V	100mA	15NA	2 NPN （双）	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
DMN6140L-7	0.3900	RFQ	183	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN6140	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	1.6a（ta）	4.5V，10V	140MOHM @ 1.8A，10V	3V @ 250µA	8.6 NC @ 10 V	±20V	315 pf @ 40 V	-	700MW（TA）
DMP2101UCP9-7	0.2639	RFQ	3921	二极管合并	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-XFBGA，DSBGA	DMP2101	MOSFET （金属 o化物）	970MW（TA）	X2-DSN1515-9（B型）	-				31-DMP2101UCP9-7	Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	2.5a（ta）		100mohm @ 1A，4.5V	900mv @ 250µA	3.2nc @ 4.5V		392pf @ 10V	标准
DMP2004DWK-7	0.4900	RFQ	2167	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMP2004	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	430mA		900MOHM @ 430mA，4.5V	1V @ 250µA	-		175pf @ 16V	逻辑级别门
ZXMP4A57E6TA	0.6300	RFQ	31	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZXMP4A57	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	2.9a（ta）	4.5V，10V	80mohm @ 4A，10V	3V @ 250µA	15.8 NC @ 10 V	±20V	833 PF @ 20 V	-	1.1W（TA）
DMN2400UFB4-7	0.3700	RFQ	121	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMN2400	MOSFET （金属 o化物）		X2-DFN1006-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	750mA（TA）	1.8V，4.5V	550MOHM @ 600mA，4.5V	900mv @ 250µA	0.5 NC @ 4.5 V	±12V	36 pf @ 16 V	-	470MW（TA）
DXTP07060BFGQ-7	0.2175	RFQ	3409	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn			1.1 w	PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载			到达不受影响	31-DXTP07060BFGQ-7TR	Ear99	8541.29.0075	2,000													60 V	3 a	20NA（ICBO）	PNP	500mv @ 300mA，3a	100 @ 500mA，2V	140MHz
DMT12H090LFDF4-7	0.3599	RFQ	9131	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-powerxdfn	DMT12	MOSFET （金属 o化物）		X2-DFN2020-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DMT12H090LFDF4-7TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	115 v	3.4a（ta）	3V，10V	90MOHM @ 3.5A，10V	2.2V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±12V	251 PF @ 50 V	-	900MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6028）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²