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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GSFT06130 | 2.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 800 | P通道 | 60 V | 140a(TC) | 4.5V,10V | 4.6mohm @ 50a,10v | 2.5V @ 250µA | 420 NC @ 10 V | ±20V | 24000 pf @ 25 V | - | 183W(TC) | ||||||||||
![]() | GSFD06C20 | 0.8500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-5,DPAK( + 4 +选项卡,TO-252AD | MOSFET (金属 o化物) | 20.1W(TC) | TO-252-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n和p通道互补 | 60V | 19a(TC),17a (TC) | 30mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 24NC @ 10V | 1720pf @ 30v,1810pf @ 30V | 标准 | ||||||||||||
![]() | GSF0301 | 0.2600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-523 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 600mA(TC) | 2.5V,4.5V | 500mohm @ 300mA,4.5V | 1.2V @ 250µA | 5.2 NC @ 4.5 V | ±12V | 146 pf @ 15 V | - | 310MW(TC) | ||||||||||
![]() | SSF3365 | 0.3400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 3A(3A) | 4.5V,10V | 80mohm @ 3a,10v | 1V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 600 pf @ 15 V | - | 1.25W(TA) | ||||||||||
![]() | GSFQ1008 | 0.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 100 v | 8a(8a) | 4.5V,10V | 15mohm @ 5A,10V | 2.5V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 50 V | - | 2W(TA) | ||||||||||
![]() | GSBCP56-16 | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 1.5 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | 80 V | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 63 @ 150mA,2V | 100MHz | ||||||||||||||
![]() | SSF3912S | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 6.5A(TC) | 4.5V,10V | 24mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 8 NC @ 4.5 V | ±20V | 500 pf @ 25 V | - | 1.56W(TC) | ||||||||||
![]() | SSF2220Y | 0.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | MOSFET (金属 o化物) | 312W(TC) | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 20V | 800mA(TC) | 300mohm @ 500mA,4.5V | 1V @ 250µA | 1NC @ 4.5V | 75pf @ 10V | 标准 | ||||||||||||
![]() | GSFKW0202 | 0.2800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | n通道 | 20 v | 2.5a(ta) | 2.5V,4.5V | 70MOHM @ 2.5a,4.5V | 1.1V @ 250µA | 2.9 NC @ 10 V | ±10V | 280 pf @ 10 V | - | 700MW(TA) | ||||||||||
![]() | GSFQ1504 | 0.9300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 150 v | 4A(ta) | 10V | 50MOHM @ 4A,10V | 4V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1620 PF @ 80 V | - | 2W(TA) | ||||||||||
![]() | GSFN3908 | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 48A(TC) | 4.5V,10V | 8.5mohm @ 16a,10v | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 4.5 V | ±20V | 1700 PF @ 25 V | - | 35W(TC) | ||||||||||
![]() | GSFP08130 | 1.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5.1x5.71) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 60 V | 130a(TC) | 10V | 3.5mohm @ 20a,10v | 4V @ 250µA | 143 NC @ 10 V | +20V,-12V | 8265 PF @ 40 V | - | 142W(TC) | ||||||||||
![]() | SSF6911 | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 60 V | 2A(TC) | 4.5V,10V | 190mohm @ 2a,10v | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 615 PF @ 30 V | - | 1.56W(TC) | ||||||||||
![]() | SSF2429 | 0.4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 20 v | 5A(5A) | 2.5V,4.5V | 35mohm @ 5A,4.5V | 1V @ 250µA | 17 NC @ 5 V | ±12V | 1450 pf @ 10 V | - | 1.4W(TA) | ||||||||||
![]() | SSFP4806 | 0.8100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 46W(TC) | 8-ppak(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 40V | 30A(TC) | 9MOHM @ 8A,10V | 2.5V @ 250µA | 24nc @ 4.5V | 2200pf @ 25V | 标准 |
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