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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GSBCX53 | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 500兆 | SOT-89-3L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 1,000 | 80 V | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 50mA,500mA | 63 @ 150mA,2V | 50MHz | |||||||||||||||
![]() | BC857B | 0.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 125 @ 2mA,5V | 150MHz | |||||||||||||||
![]() | 2N7002K | 0.1400 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜175°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 60 V | 300mA(TA) | 10V,5V | 300MOHM @ 500mA,4.5V,600MOHM @ 300mA,4.5V | 2.5V @ 250µA | 0.4 NC @ 4.5 V | ±20V | 30 pf @ 25 V | - | 430MW | |||||||||||
![]() | SSFK2219 | 0.4700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET (金属 o化物) | 278MW(TA) | SC-88 (SC-70-6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2个p通道 | 20V | 540ma(ta) | 600MOHM @ 300mA,4.5V | 1V @ 250µA | 2NC @ 4.5V | 78pf @ 10V | 标准 | |||||||||||||
![]() | SSF2116 | 0.4600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | 1.25W(TC) | SOT-23-6L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道互补 | 20V | 3.8A(TC),2.5a(tc) | 40mohm @ 3a,4.5V,100mohm @ 3a,4.5V | 1V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | 600pf @ 15V | 标准 | |||||||||||||
![]() | GSFQ4701 | 0.5100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 2.5W(TC) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n和p通道互补 | 40V | 6.7A(TC),7.2a tc) | 32MOHM @ 5A,10V,40MOHM @ 4A,10V | 2.5V @ 250µA | 5.6nc @ 4.5V,16NC @ 4.5V | 800pf @ 15V,1600pf @ 15V | 标准 | |||||||||||||
![]() | GSBCP68-16 | 0.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 94°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 1兆 | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | 20 v | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 100mA,1a | 100 @ 500mA,1V | 40MHz | |||||||||||||||
![]() | SSFN3964 | 0.5400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 64A(TC) | 4.5V,10V | 4.5MOHM @ 15A,10V | 2.5V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 3800 PF @ 15 V | - | 44.6W(TC) | |||||||||||
![]() | GSBC817-40W | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 200兆 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 700mv @ 50mA,500mA | 250 @ 100mA,1V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | SSFD3906 | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n通道 | 30 V | 80A(TC) | 4.5V,10V | 6mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 11.1 NC @ 4.5 V | ±20V | 1160 pf @ 25 V | - | 54W(TC) | |||||||||||
![]() | SSF6092G1 | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 60 V | 2.7a | 10V | 92MOHM @ 2.7A,10V | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 641 PF @ 25 V | - | 1.25W | |||||||||||
![]() | SSF6911 | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 60 V | 2A(TC) | 4.5V,10V | 190mohm @ 2a,10v | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 615 PF @ 30 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||
![]() | SSF2429 | 0.4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 20 v | 5A(5A) | 2.5V,4.5V | 35mohm @ 5A,4.5V | 1V @ 250µA | 17 NC @ 5 V | ±12V | 1450 pf @ 10 V | - | 1.4W(TA) | |||||||||||
![]() | GSFU9006 | 3.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-GSFU9006 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 900 v | 6a(TJ) | 10V | 750MOHM @ 3A,10V | 3.9V @ 250µA | 18.4 NC @ 10 V | ±30V | 1250 pf @ 50 V | - | 32W(TJ) | ||||||||||
![]() | GSFP08130 | 1.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5.1x5.71) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 60 V | 130a(TC) | 10V | 3.5mohm @ 20a,10v | 4V @ 250µA | 143 NC @ 10 V | +20V,-12V | 8265 PF @ 40 V | - | 142W(TC) |
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