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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GSFU9506 | 3.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-GSFU9506 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 950 v | 6a(TJ) | 10V | 750MOHM @ 3A,10V | 3.9V @ 250µA | 18.4 NC @ 10 V | ±30V | 1250 pf @ 50 V | - | 32W(TJ) | ||||||||||
![]() | SSF2215 | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | 1.25W(TA) | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2个p通道 | 20V | 3A(3A) | 85MOHM @ 3A,4.5V | 1V @ 250µA | 8NC @ 4.5V | 510pf @ 15V | 标准 | |||||||||||||
![]() | SSF2300 | 0.3000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 20 v | 4.5a | 2.5V,4.5V | 55MOHM @ 3.6A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 4 NC @ 4.5 V | ±12V | 300 pf @ 10 V | - | 1.3W | |||||||||||
![]() | GSFP0446 | 0.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3.1x3.05) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 40 V | 45A(TC) | 4.5V,10V | 7.2MOHM @ 8A,10V | 2.5V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 1400 pf @ 20 V | - | 33W(TC) | |||||||||||
![]() | SSF2145CH6 | 0.4300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | 1.7W | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | - | 20V | 4.8A(TC),2.9a tc) | 55mohm @ 3.6a,4.5V,80Mohm @ 3a,4.5V | 1V @ 250µA | - | 420pf @ 10V | 标准 | |||||||||||||
![]() | GSFC0204 | 0.3300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 20 v | 4A(TC) | 1.8V,4.5V | 65mohm @ 3A,4.5V | 1V @ 250µA | 7.2 NC @ 4.5 V | ±10V | 360 pf @ 15 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||
![]() | GSBCP54-16 | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 1.5 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | 45 v | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 63 @ 150mA,2V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | GSFF0308 | 0.3500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-723 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-723 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8,000 | n通道 | 30 V | 780mA(TA) | 2.5V,4.5V | 450MOHM @ 300mA,4.5V | 1.2V @ 250µA | 5.2 NC @ 4.5 V | ±12V | 146 pf @ 15 V | - | 446MW(TA) | |||||||||||
![]() | GSFC02501 | 0.1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 25 v | 850mA(ta) | 1.8V,4.5V | 640MOHM @ 550mA,4.5V | 1V @ 250µA | 0.8 NC @ 4.5 V | ±8V | 58 pf @ 10 V | - | 690MW(TA) | |||||||||||
![]() | GSFK0501E | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET (金属 o化物) | 300MW(TA) | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2个p通道 | 50V | 180mA(TA) | 4ohm @ 150mA,10v | 3V @ 250µA | 530pc @ 10V | 25.2pf @ 25V | 标准 | |||||||||||||
![]() | GSFN0207 | 0.5500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 25W(TC) | 8-ppak(3.15x3.1) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2个p通道 | 20V | 7.5A(TC) | 33MOHM @ 4A,4.5V | 1V @ 250µA | 25nc @ 4.5V | 2100pf @ 15V | - | |||||||||||||
![]() | GSFP08150 | 1.7600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5.1x5.71) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 80 V | 150a(TC) | 10V | 3.6mohm @ 20a,10v | 4V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ±20V | 6900 PF @ 40 V | - | 192W(TC) | |||||||||||
![]() | GS2N7002KW | 0.2400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 60 V | 340ma(ta) | 4.5V,10V | 2.5Ohm @ 300mA,10v | 2.5V @ 250µA | 2.4 NC @ 10 V | ±20V | 18 pf @ 30 V | - | 350MW(TA) | |||||||||||
![]() | GSFL1003 | 0.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 100 v | 2A(TA) | 4.5V,10V | 200mohm @ 2a,10v | 2.2V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 2000 pf @ 50 V | - | 1.78W(TA) | |||||||||||
![]() | GSFH0970 | 3.1000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-GSFH0970 | Ear99 | 8541.21.0080 | 50 | n通道 | 100 v | 160a(TC) | 10V | 3.5mohm @ 20a,10v | 3.5V @ 250µA | 450 NC @ 10 V | ±20V | 26000 PF @ 25 V | - | 208W(TC) | ||||||||||
![]() | GSFN3904 | 0.6300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 80A(TC) | 4.5V,10V | 3.8mohm @ 24a,10v | 2.5V @ 250µA | 34 NC @ 4.5 V | ±20V | 3190 pf @ 25 V | - | 66W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFK0501 | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET (金属 o化物) | 300MW(TA) | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | - | 50V | 130mA(ta) | 10ohm @ 100mA,5V | 2V @ 1mA | - | 56pf @ 20V | 标准 | |||||||||||||
![]() | GSFP03101 | 1.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5.1x5.71) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 100A(TC) | 4.5V,10V | 3.3mohm @ 30a,10v | 2.2V @ 250µA | 210 NC @ 10 V | ±20V | 12000 PF @ 25 V | - | 138W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFP0341 | 0.5400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5.1x5.71) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 40a(TC) | 4.5V,10V | 17.8mohm @ 8a,10v | 2.5V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 1650 pf @ 15 V | - | 53W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFB0305 | 0.4400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | 1.9W(TA),7.4W(TC) | 6-ppak(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2个p通道 | 30V | 4.2A(ta),8a tc(8a tc) | 75MOHM @ 3A,10V | 2.5V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | 820pf @ 15V | - | |||||||||||||
![]() | MMBT3904 | 0.1000 | ![]() | 628 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 200兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 V | 200 ma | 50NA | NPN | 300mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz | |||||||||||||||
![]() | GSFP6901 | 1.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5.1x5.71) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 60 V | 72A(TC) | 4.5V,10V | 8.6mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 210 NC @ 10 V | ±20V | 12930 PF @ 25 V | - | 142W(TC) | |||||||||||
![]() | S3134K | 0.2200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-723 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-723 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 8,000 | n通道 | 20 v | 750mA(TA) | 1.8V,4.5V | 380MOHM @ 650mA,4.5V | 1.1V @ 250µA | ±12V | 120 pf @ 16 V | - | 150MW(TA) | ||||||||||||
![]() | GSFD0646 | 0.7000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n通道 | 60 V | 45A(TC) | 4.5V,10V | 12mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 59 NC @ 10 V | ±20V | 3050 pf @ 25 V | - | 63W(TC) | |||||||||||
![]() | MMBTA92 | 0.2000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 300 v | 200 ma | 250NA(ICBO) | PNP | 200mv @ 2mA,20mA | 100 @ 10mA,10v | 50MHz | |||||||||||||||
![]() | BC856 | 0.1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200MW | SC-88 (SC-70-6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 65V | 100mA | 15NA(icbo) | 2 PNP | 300mv @ 5mA,100mA | 110 @ 2mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | BSS84 | 0.1500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 50 V | 130mA(ta) | 5V,10V | 10ohm @ 100mA,5V | 2V @ 250µA | ±20V | 30 pf @ 5 V | - | 225MW | ||||||||||||
![]() | SSFL6912 | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 60 V | 5A(5A) | 4.5V,10V | 75MOHM @ 5A,10V | 2.5V @ 250µA | 8 nc @ 10 V | ±20V | 540 pf @ 30 V | - | 1.79W(TA) | |||||||||||
![]() | SSFN4903 | 0.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 40 V | 38A(TC) | 4.5V,10V | 14mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 4000 pf @ 25 V | - | 52W(TC) | |||||||||||
![]() | SSFL0956 | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 100 v | 4A(TC) | 4.5V,10V | 120MOHM @ 4A,10V | 2.5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | - | 5.2W(TC) |
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