晶体管(225)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
GSFF0308	0.3500	询价	16	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	MOSFET（金属O化物）		SOT-723	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	8,000		N沟道	30V	780mA（塔）	2.5V、4.5V	450mOhm@300mA，4.5V	1.2V@250μA	5.2nC@4.5V	±12V	146pF@15V	-	446毫W（塔）
SSFU6511	1.7100	询价	1	固锝半导体	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	4786-SSFU6511	EAR99	8541.21.0080	50		N沟道	650伏	11.5A（温度）	10V	360毫欧@7A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±30V	870pF@50V	-	32.6W（温度）
SSF2320Y	0.2600	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55℃～150℃	表面贴装	SOT-523	MOSFET（金属O化物）		SOT-523	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		N沟道	20V	800mA（温度）	1.2V、4.5V	300毫欧@500毫安，4.5伏	1V@250μA	1nC@4.5V	±8V	75pF@10V	-	312mW（温度）
GS2N7002KW	0.2400	询价	5	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	MOSFET（金属O化物）		SOT-323	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		N沟道	60V	340mA（塔）	4.5V、10V	2.5欧姆@300mA，10V	2.5V@250μA	10V时为2.4nC	±20V	18pF@30V	-	350毫W（塔）
SSF6909	0.3900	询价	5	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55℃～150℃	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	MOSFET（金属O化物）		SOT-223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		P沟道	60V	3.2A（塔）	4.5V、10V	105mOhm@3A，10V	-	15nC@10V	±20V	1300pF@30V	-	2W（塔）
GSFN0988	0.5400	询价	5	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	MOSFET（金属O化物）		8-PPAK (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		N沟道	100伏	16A（温度）	4.5V、10V	38毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	12nC@10V	+20V，-12V	740pF@20V	-	32.5W（温度）
GSFW0202	0.2200	询价	20	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	MOSFET（金属O化物）		SOT-883	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	10,000		N沟道	20V	1.4A（塔）	1.8V、4.5V	230mOhm@550mA，4.5V	1V@250μA	2nC@4.5V	±8V	10V时为43pF	-	700毫W（塔）
SSF7120	0.3900	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	MOSFET（金属O化物）	312mW（温度）	SOT-563	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000	N 和 P 沟道		20V	800mA（温度）、400mA（温度）		300毫欧@500毫安，4.5伏，600毫欧@300毫安，4.5伏	1V@250μA	2nC@4.5V		10V时为75pF，10V时为78pF	标准
SSF0910S	0.3800	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		N沟道	100伏	2A（温度）	4.5V、10V	200毫欧@2A，10V	2.5V@250μA	21nC@10V	±20V	1190pF@50V	-	1.56W（温度）
MMBT3904	0.1000	询价	628	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		200毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000													40V	200毫安	50纳安	NPN	300毫伏@5毫安，50毫安	100@10mA，1V	300兆赫
GSFL1003	0.5000	询价	5	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	MOSFET（金属O化物）		SOT-223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		P沟道	100伏	2A（塔）	4.5V、10V	200毫欧@2A，10V	2.2V@250μA	30nC@10V	±20V	2000pF@50V	-	1.78W（塔）
GSFK0501	0.3900	询价	3	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	MOSFET（金属O化物）	300毫W（塔）	SOT-363	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000	-		50V	130mA（塔）		10欧姆@100mA，5V	2V@1mA	-		56pF@20V	标准
SSFP3806	0.8100	询价	3	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	MOSFET（金属O化物）	46W（温度）	8-PPAK (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000	2 N 沟道		30V	40A（温度）		6.5毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	22nC@4.5V		1750pF@25V	标准
GSFD8005	0.8100	询价	5	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	2,500人		N沟道	800V	5.5A（温度）	10V	2.7欧姆@2.5A，10V	4V@250μA	15.16nC@10V	±30V	678pF@25V	-	132W（温度）
GSFD1550	1.9800	询价	2	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	2,500人		N沟道	150伏	50A（温度）	10V	22毫欧@25A，10V	4V@250μA	60nC@10V	±20V	3450pF@75V	-	133W（温度）
SSFQ3910	0.4500	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		N沟道	30V	10A（温度）	4.5V、10V	12毫欧@10A，10V	2.5V@250μA	12nC@4.5V	±20V	900pF@25V	-	2.1W（温度）
SSFB12N05	0.4700	询价	8	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	MOSFET（金属O化物）	1.9W（塔）	6-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	4,000	N 和 P 沟道互补		12V	5A（塔）		32mOhm @ 5A、4.5V、74mOhm @ 4.5A、4.5V	1V@250μA	6.6nC@4.5V，9.2nC@4.5V		495pF@6V，520pF@6V	标准
GSFP08150	1.7600	询价	3	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	MOSFET（金属O化物）		8-PPAK (5.1x5.71)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		N沟道	80V	150A（温度）	10V	3.6毫欧@20A，10V	4V@250μA	100nC@10V	±20V	6900pF@40V	-	192W（温度）
GSFP1080	1.1000	询价	4	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	MOSFET（金属O化物）		8-PPAK (4.9x5.75)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	5,000		N沟道	100伏	80A（塔）	10V	7毫欧@40A，10V	4V@250μA	53nC@10V	±20V	3070pF@50V	-	105W（塔）
GSFC0204	0.3300	询价	5	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		N沟道	20V	4A（温度）	1.8V、4.5V	65毫欧@3A，4.5V	1V@250μA	7.2nC@4.5V	±10V	360pF@15V	-	1.56W（温度）
S3134K	0.2200	询价	16	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	MOSFET（金属O化物）		SOT-723	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	8,000		N沟道	20V	750mA（塔）	1.8V、4.5V	380毫欧@650mA，4.5V	1.1V@250μA		±12V	120pF@16V	-	150毫W（塔）
SSF2300	0.3000	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55℃～150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		N沟道	20V	4.5A	2.5V、4.5V	55毫欧@3.6A，4.5V	1.2V@250μA	4nC@4.5V	±12V	300pF@10V	-	1.3W
SSFN2603	0.5800	询价	3	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	MOSFET（金属O化物）		8-PPAK (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		P沟道	20V	60A（温度）	1.8V、4.5V	8毫欧@8A，4.5V	1V@250μA	80nC@4.5V	±12V	8000°F@15V	-	62.5W（温度）
SSFH6538	2.9500	询价	991	固锝半导体	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	4786-SSFH6538	EAR99	8541.21.0080	500		N沟道	650伏	38A（温度）	10V	99毫欧@19A，10V	4V@250μA	55nC@10V	±30V	3200pF@50V	-	322W（温度）
GSFN3904	0.6300	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerVDFN	MOSFET（金属O化物）		8-PPAK (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		N沟道	30V	80A（温度）	4.5V、10V	3.8毫欧@24A，10V	2.5V@250μA	34nC@4.5V	±20V	3190pF@25V	-	66W（温度）
BSS84	0.1500	询价	4	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	50V	130mA（塔）	5V、10V	10欧姆@100mA，5V	2V@250μA		±20V	30pF@5V	-	225毫W
GSFP0446	0.5800	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	MOSFET（金属O化物）		8-PPAK (3.1x3.05)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		N沟道	40V	45A（温度）	4.5V、10V	7.2毫欧@8A、10V	2.5V@250μA	20nC@10V	±20V	1400pF@20V	-	33W（温度）
GSFK0501E	0.4200	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	MOSFET（金属O化物）	300毫W（塔）	SOT-363	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000	2 P 沟道		50V	180mA（塔）		4欧姆@150mA，10V	3V@250μA	530pC@10V		25.2pF@25V	标准
2N2222A	1.9700	询价	696	固锝半导体	-	大部分	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-206AA、TO-18-3金属罐		500毫W	TO-18	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	4786-2N2222A	EAR99	8541.21.0095	500													40V	800毫安	10纳安	NPN	1V@50mA、500mA	100@150mA，10V	300兆赫
SSFL0956	0.4100	询价	5	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	MOSFET（金属O化物）		SOT-223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		N沟道	100伏	4A（温度）	4.5V、10V	120mOhm@4A，10V	2.5V@250μA	40nC@10V	±20V		-	5.2W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(225)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²