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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SSFQ3907 | 0.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 8A(TC) | 4.5V,10V | 23mohm @ 8a,10v | 2.5V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 V | ±20V | 1820 PF @ 15 V | - | 2.1W(TC) | |||||||||||
![]() | GSF7002AT | 0.2000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-523 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 60 V | 115ma(ta) | 5V,10V | 7.5OHM @ 500mA,10V | 2.5V @ 250µA | ±20V | 50 pf @ 25 V | - | 150MW(TA) | ||||||||||||
![]() | SSFK2219 | 0.4700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET (金属 o化物) | 278MW(TA) | SC-88 (SC-70-6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2个p通道 | 20V | 540ma(ta) | 600MOHM @ 300mA,4.5V | 1V @ 250µA | 2NC @ 4.5V | 78pf @ 10V | 标准 | |||||||||||||
![]() | SSF2116 | 0.4600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | 1.25W(TC) | SOT-23-6L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道互补 | 20V | 3.8A(TC),2.5a(tc) | 40mohm @ 3a,4.5V,100mohm @ 3a,4.5V | 1V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | 600pf @ 15V | 标准 | |||||||||||||
![]() | GSFH5010 | 1.1278 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 50 | n通道 | 500 v | 9A(TC) | 10V | 800MOHM @ 4A,10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±30V | 1800 pf @ 25 V | - | 89W(TC) | |||||||||||
![]() | SSFN6907 | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 60 V | 14A(TC) | 4.5V,10V | 68mohm @ 8a,10v | 2.2V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1260 pf @ 30 V | - | 33.8W(TC) | |||||||||||
![]() | SSF3341 | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 4.2a | 2.5V,10V | 50MOHM @ 4.2A,10V | 1.3V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±12V | 712 PF @ 15 V | - | 1.4W | |||||||||||
![]() | GSFU9006 | 3.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-GSFU9006 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 900 v | 6a(TJ) | 10V | 750MOHM @ 3A,10V | 3.9V @ 250µA | 18.4 NC @ 10 V | ±30V | 1250 pf @ 50 V | - | 32W(TJ) | ||||||||||
![]() | SSFB3909 | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | 6-DFN(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 6.1A(ta),12a(tc) | 4.5V,10V | 30mohm @ 4A,10V | 2.2V @ 250µA | 15 NC @ 4.5 V | ±20V | 1280 pf @ 15 V | - | 7.1W(TC) | |||||||||||
![]() | MMBT3904AT | 0.1500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-523 | 150兆 | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 40 V | 200 ma | 50NA | NPN | 300mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz | |||||||||||||||
![]() | SSFQ4903 | 0.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 40 V | 10A(TC) | 4.5V,10V | 15mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 40 NC @ 4.5 V | ±20V | 4000 pf @ 25 V | - | 4.2W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFR0308 | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 7a(ta) | 4.5V,10V | 26mohm @ 4a,10v | 2V @ 250µA | 6.4 NC @ 10 V | ±20V | 460 pf @ 15 V | - | 2W(TA) | |||||||||||
![]() | GSFC1208 | 0.3000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | P通道 | 20 v | 850mA(ta) | 1.8V,4.5V | 640MOHM @ 550mA,4.5V | 1V @ 250µA | 0.8 NC @ 4.5 V | ±8V | 58 pf @ 10 V | - | 690MW(TA) | |||||||||||
![]() | GSBCP56-16 | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 1.5 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | 80 V | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 63 @ 150mA,2V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | SSF3365 | 0.3400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 3A(3A) | 4.5V,10V | 80mohm @ 3a,10v | 1V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 600 pf @ 15 V | - | 1.25W(TA) | |||||||||||
![]() | GSJD6505 | 0.8500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n通道 | 650 v | 5A(TC) | 10V | 900mohm @ 2.5a,10v | 4V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±30V | 370 pf @ 50 V | - | 46W(TC) | |||||||||||
![]() | SSF2220Y | 0.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | MOSFET (金属 o化物) | 312W(TC) | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 20V | 800mA(TC) | 300mohm @ 500mA,4.5V | 1V @ 250µA | 1NC @ 4.5V | 75pf @ 10V | 标准 | |||||||||||||
![]() | SSF3912S | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 6.5A(TC) | 4.5V,10V | 24mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 8 NC @ 4.5 V | ±20V | 500 pf @ 25 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFT06130 | 2.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 800 | P通道 | 60 V | 140a(TC) | 4.5V,10V | 4.6mohm @ 50a,10v | 2.5V @ 250µA | 420 NC @ 10 V | ±20V | 24000 pf @ 25 V | - | 183W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFQ1504 | 0.9300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 150 v | 4A(ta) | 10V | 50MOHM @ 4A,10V | 4V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1620 PF @ 80 V | - | 2W(TA) | |||||||||||
![]() | GSFN3908 | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 48A(TC) | 4.5V,10V | 8.5mohm @ 16a,10v | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 4.5 V | ±20V | 1700 PF @ 25 V | - | 35W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFKW0202 | 0.2800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | n通道 | 20 v | 2.5a(ta) | 2.5V,4.5V | 70MOHM @ 2.5a,4.5V | 1.1V @ 250µA | 2.9 NC @ 10 V | ±10V | 280 pf @ 10 V | - | 700MW(TA) | |||||||||||
![]() | GSFQ1008 | 0.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 100 v | 8a(8a) | 4.5V,10V | 15mohm @ 5A,10V | 2.5V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 50 V | - | 2W(TA) | |||||||||||
![]() | GSFD06C20 | 0.8500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-5,DPAK( + 4 +选项卡,TO-252AD | MOSFET (金属 o化物) | 20.1W(TC) | TO-252-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n和p通道互补 | 60V | 19a(TC),17a (TC) | 30mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 24NC @ 10V | 1720pf @ 30v,1810pf @ 30V | 标准 | |||||||||||||
![]() | GSF0301 | 0.2600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-523 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 600mA(TC) | 2.5V,4.5V | 500mohm @ 300mA,4.5V | 1.2V @ 250µA | 5.2 NC @ 4.5 V | ±12V | 146 pf @ 15 V | - | 310MW(TC) | |||||||||||
![]() | SSF1341 | 0.3800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 12 v | 3.5a | 2.5V,4.5V | 50mohm @ 3.5A,4.5V | 1V @ 250µA | 12 nc @ 4.5 V | ±8V | 1000 pf @ 8 V | - | 1.25W | |||||||||||
![]() | GSFQ6808 | 0.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 1.47W(TA),3.6W(tc) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 30V | (5a ta),10a(tc) | 34mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 24NC @ 10V | 1720pf @ 30V | 标准 | |||||||||||||
![]() | GSFW0501 | 0.2200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-883 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 10,000 | P通道 | 50 V | 130mA(ta) | 5V,10V | 6ohm @ 130mA,10v | 3V @ 250µA | ±20V | 32 pf @ 20 V | - | 150MW(TA) | ||||||||||||
![]() | MMBT2222A | 0.1400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 40 V | 600 MA | 10NA | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 300MHz | |||||||||||||||
![]() | SSF8309S | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 3.8A(TA) | 4.5V,10V | 75MOHM @ 3A,10V | 2.2V @ 250µA | 6 NC @ 4.5 V | ±25V | 665 pf @ 15 V | - | 1.56W(TA) |
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