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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PZT2907A | 0.4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 1 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | 60 V | 600 MA | 10NA(ICBO) | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | ||||||||||||||
![]() | MMBT2907A | 0.1200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 60 V | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | ||||||||||||||
![]() | MMBT2222A | 0.1400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 40 V | 600 MA | 10NA | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 300MHz | ||||||||||||||
![]() | BC846B | 0.1000 | ![]() | 735 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | 600mv @ 5mA,100mA | 110 @ 2mA,5V | 300MHz | ||||||||||||||
![]() | BC847C | 0.1000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 200兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | 600mv @ 5mA,100mA | 420 @ 2mA,5V | 300MHz | ||||||||||||||
![]() | BC807-40 | 0.1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | PNP | 700mv @ 50mA,500mA | 100 @ 100mA,1V | 100MHz | ||||||||||||||
![]() | BC847B | 0.1000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | 600mv @ 5mA,100mA | 110 @ 2mA,5V | 300MHz | ||||||||||||||
![]() | SSFQ3812 | 0.4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 2.1W(TC) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 30V | 7.5A(TC) | 20mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 8NC @ 4.5V | 500pf @ 25V | 标准 | ||||||||||||
![]() | SSFQ3907 | 0.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 8A(TC) | 4.5V,10V | 23mohm @ 8a,10v | 2.5V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 V | ±20V | 1820 PF @ 15 V | - | 2.1W(TC) | ||||||||||
![]() | SSF8309S | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 3.8A(TA) | 4.5V,10V | 75MOHM @ 3A,10V | 2.2V @ 250µA | 6 NC @ 4.5 V | ±25V | 665 pf @ 15 V | - | 1.56W(TA) | ||||||||||
![]() | SSF3912S | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 6.5A(TC) | 4.5V,10V | 24mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 8 NC @ 4.5 V | ±20V | 500 pf @ 25 V | - | 1.56W(TC) | ||||||||||
![]() | SSF1341 | 0.3800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 12 v | 3.5a | 2.5V,4.5V | 50mohm @ 3.5A,4.5V | 1V @ 250µA | 12 nc @ 4.5 V | ±8V | 1000 pf @ 8 V | - | 1.25W | ||||||||||
![]() | GSJD6505 | 0.8500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n通道 | 650 v | 5A(TC) | 10V | 900mohm @ 2.5a,10v | 4V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±30V | 370 pf @ 50 V | - | 46W(TC) | ||||||||||
![]() | GSFQ2305 | 0.5000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 20 v | 11a(11a) | 1.8V,10V | 16mohm @ 6a,4.5V | 1V @ 250µA | 40 NC @ 4.5 V | ±10V | 3370 pf @ 15 V | - | 2.5W(TA) | ||||||||||
![]() | SSFQ4903 | 0.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 40 V | 10A(TC) | 4.5V,10V | 15mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 40 NC @ 4.5 V | ±20V | 4000 pf @ 25 V | - | 4.2W(TC) | ||||||||||
![]() | SSF3051G7 | 0.4400 | ![]() | 8172 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 4.4a | 4.5V,10V | 48mohm @ 4.4A,10V | 3V @ 250µA | 7.1 NC @ 5 V | ±25V | 520 pf @ 15 V | - | 1.7W | ||||||||||
![]() | SSFK3220B | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET (金属 o化物) | 275MW(TC) | SC-88 (SC-70-6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 800mA(TC) | 300mohm @ 500mA,4.5V | 1V @ 250µA | 2NC @ 4.5V | 75pf @ 10V | 逻辑级别门,1.5V | ||||||||||||
![]() | GSF7002DW | 0.2400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET (金属 o化物) | 150MW(TA) | SC-88 (SC-70-6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 60V | 340ma(ta) | 5ohm @ 500mA,10v | 2.5V @ 1mA | - | 40pf @ 10V | 标准 | ||||||||||||
![]() | GSF7002AT | 0.2000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-523 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 60 V | 115mA(ta) | 5V,10V | 7.5OHM @ 500mA,10v | 2.5V @ 250µA | ±20V | 50 pf @ 25 V | - | 150MW(TA) | |||||||||||
![]() | SSFB3909 | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | 6-DFN(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 6.1A(ta),12a(tc) | 4.5V,10V | 30mohm @ 4A,10V | 2.2V @ 250µA | 15 NC @ 4.5 V | ±20V | 1280 pf @ 15 V | - | 7.1W(TC) | ||||||||||
![]() | GSFW02009 | 0.2100 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-883 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 10,000 | P通道 | 20 v | 850mA(ta) | 1.8V,4.5V | 640MOHM @ 550mA,4.5V | 1V @ 250µA | 0.8 NC @ 4.5 V | ±12V | 58 pf @ 10 V | - | 690MW(TA) | ||||||||||
![]() | SSFB2310L | 0.4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | 6-DFN(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 20 v | 9.9a(ta) | 1.8V,4.5V | 13mohm @ 5A,4.5V | 1V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 V | ±10V | 1480 pf @ 10 V | - | 2.01W(TA) | ||||||||||
![]() | GSFP0365 | 0.5800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(4.89x5.74) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 4,000 | P通道 | 30 V | 64A(TC) | 4.5V,10V | 12mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 64.3 NC @ 10 V | ±20V | 1360 pf @ 15 V | - | 56.8W(TC) | ||||||||||
![]() | SSF3341 | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 4.2a | 2.5V,10V | 50MOHM @ 4.2A,10V | 1.3V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±12V | 712 PF @ 15 V | - | 1.4W | ||||||||||
![]() | SSF6007 | 0.2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 50 V | 130mA(TC) | 10V | 7ohm @ 130mA,10v | 2V @ 1mA | ±20V | 45 pf @ 5 V | - | 230MW(TC) | |||||||||||
![]() | SSFN6907 | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 60 V | 14A(TC) | 4.5V,10V | 68mohm @ 8a,10v | 2.2V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1260 pf @ 30 V | - | 33.8W(TC) | ||||||||||
![]() | SSF3365 | 0.3400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 3A(3A) | 4.5V,10V | 80mohm @ 3a,10v | 1V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 600 pf @ 15 V | - | 1.25W(TA) | ||||||||||
![]() | GSFQ6806 | 0.6600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 2.1W(TC) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 60V | 20A(TC) | 28mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 42NC @ 10V | 2440pf @ 20V | 标准 | ||||||||||||
![]() | SSFP4806 | 0.8100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 46W(TC) | 8-ppak(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 40V | 30A(TC) | 9MOHM @ 8A,10V | 2.5V @ 250µA | 24nc @ 4.5V | 2200pf @ 25V | 标准 | ||||||||||||
![]() | GSFW0501 | 0.2200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-883 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 10,000 | P通道 | 50 V | 130mA(ta) | 5V,10V | 6ohm @ 130mA,10v | 3V @ 250µA | ±20V | 32 pf @ 20 V | - | 150MW(TA) |
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