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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMBT3904AT | 0.1500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-523 | 150兆 | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 40 V | 200 ma | 50NA | NPN | 300mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz | ||||||||||||||
![]() | GSBC847BM | 0.2000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | 250兆 | SOT-883 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 10,000 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | 400mv @ 5mA,100mA | 200 @ 2mA,5v | 100MHz | ||||||||||||||
![]() | GSFD06C20 | 0.8500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-5,DPAK( + 4 +选项卡,TO-252AD | MOSFET (金属 o化物) | 20.1W(TC) | TO-252-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n和p通道互补 | 60V | 19a(TC),17a (TC) | 30mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 24NC @ 10V | 1720pf @ 30v,1810pf @ 30V | 标准 | ||||||||||||
![]() | GSGP03150 | 1.1300 | ![]() | 4965 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 5,000 | n通道 | 30 V | 150a(TC) | 4.5V,10V | 1.9mohm @ 75a,10v | 2.2V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 3372 PF @ 15 V | - | 85W(TC) | ||||||||||
![]() | SSF2220Y | 0.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | MOSFET (金属 o化物) | 312W(TC) | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 20V | 800mA(TC) | 300mohm @ 500mA,4.5V | 1V @ 250µA | 1NC @ 4.5V | 75pf @ 10V | 标准 | ||||||||||||
![]() | SSF2314 | 0.4000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 20 v | 5.8A(TC) | 1.8V,4.5V | 25mohm @ 4A,4.5V | - | 11 NC @ 4.5 V | ±10V | 775 PF @ 10 V | - | 1.56W(TC) | ||||||||||
![]() | GSBC847PN | 0.2200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200MW | SC-88 (SC-70-6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 45V | 100mA | 15NA(icbo) | NPN,PNP互补 | 600mv @ 5mA,100mA / 650mv @ 5mA,100mA | 200 @ 2mA,5V,220 @ 2mA,5V | 100MHz | ||||||||||||||
![]() | GSFP6886 | 0.8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 67W(TC) | 8-ppak(5.1x5.71) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 65V | 45A(TC) | 13mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 26NC @ 10V | 1890pf @ 30V | 标准 | ||||||||||||
![]() | GSBCX56-16 | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 500兆 | SOT-89-3L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 1,000 | 80 V | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 63 @ 150mA,2V | 130MHz | ||||||||||||||
![]() | GSFQ6808 | 0.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 1.47W(TA),3.6W(tc) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 30V | (5a ta),10a(tc) | 34mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 24NC @ 10V | 1720pf @ 30V | 标准 | ||||||||||||
![]() | GSFC0301 | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 4.1a(ta) | 2.5V,10V | 65MOHM @ 4A,10V | - | 11 NC @ 4.5 V | ±12V | 1175 PF @ 15 V | - | 1.56W(TA) | ||||||||||
![]() | GSFR0308 | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 7a(ta) | 4.5V,10V | 26mohm @ 4a,10v | 2V @ 250µA | 6.4 NC @ 10 V | ±20V | 460 pf @ 15 V | - | 2W(TA) | ||||||||||
![]() | GSFT1060 | 1.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 800 | n通道 | 100 v | 60a(TC) | 6V,10V | 18mohm @ 25a,10v | 4V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 3300 PF @ 50 V | - | 113W(TC) | ||||||||||
![]() | GSFH5010 | 1.1278 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 50 | n通道 | 500 v | 9A(TC) | 10V | 800MOHM @ 4A,10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±30V | 1800 pf @ 25 V | - | 89W(TC) | ||||||||||
![]() | GSF3400 | 0.3000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 5.6a(ta) | 2.5V,10V | 27MOHM @ 5.6A,10V | 1.5V @ 250µA | 4.8 NC @ 4.5 V | ±12V | 535 pf @ 15 V | - | 1.2W(TA) | ||||||||||
![]() | GSF2315 | 0.4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | P通道 | 20 v | 1.5A(TC) | 1.8V,4.5V | 90MOHM @ 1A,4.5V | 1V @ 250µA | 8 NC @ 4.5 V | ±10V | 510 pf @ 15 V | - | 312MW(TC) | ||||||||||
![]() | GSFT06130 | 2.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 800 | P通道 | 60 V | 140a(TC) | 4.5V,10V | 4.6mohm @ 50a,10v | 2.5V @ 250µA | 420 NC @ 10 V | ±20V | 24000 pf @ 25 V | - | 183W(TC) | ||||||||||
![]() | SSF2311 | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 20 v | 4.7A(TC) | 1.8V,4.5V | 50mohm @ 3A,4.5V | - | 13 NC @ 4.5 V | ±10V | 1230 pf @ 10 V | - | 1.56W(TC) | ||||||||||
![]() | GSFN3908 | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 48A(TC) | 4.5V,10V | 8.5mohm @ 16a,10v | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 4.5 V | ±20V | 1700 PF @ 25 V | - | 35W(TC) | ||||||||||
![]() | GSFQ1008 | 0.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 100 v | 8a(8a) | 4.5V,10V | 15mohm @ 5A,10V | 2.5V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 50 V | - | 2W(TA) | ||||||||||
![]() | GSFQ1504 | 0.9300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 150 v | 4A(ta) | 10V | 50MOHM @ 4A,10V | 4V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1620 PF @ 80 V | - | 2W(TA) | ||||||||||
![]() | GSFC0213 | 0.4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 20 v | 5.8A(TC) | 1.5V,4.5V | 33MOHM @ 4A,4.5V | 1V @ 250µA | 25 NC @ 4.5 V | ±10V | 2100 PF @ 15 V | - | 1.56W(TC) | ||||||||||
![]() | GSFKW0202 | 0.2800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | n通道 | 20 v | 2.5a(ta) | 2.5V,4.5V | 70MOHM @ 2.5a,4.5V | 1.1V @ 250µA | 2.9 NC @ 10 V | ±10V | 280 pf @ 10 V | - | 700MW(TA) | ||||||||||
![]() | GSFB0206 | 0.5000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | n通道 | 20 v | 5A(TC) | 1.8V,4.5V | 40mohm @ 4A,4.5V | 1V @ 250µA | 9 NC @ 4.5 V | ±10V | 460 pf @ 15 V | - | 1.56W(TC) | ||||||||||
![]() | GSFP1526 | 0.8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5.1x5.71) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 150 v | 25A(TC) | 10V | 51MOHM @ 20A,10V | 4V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1620 PF @ 80 V | - | 101W(TC) | ||||||||||
![]() | GSBCP53-10 | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 1.5 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | 80 V | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 50mA,500mA | 63 @ 150mA,2V | 100MHz | ||||||||||||||
![]() | GSGQ6988 | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 65 v | 7.4a(ta) | 4.5V,10V | 16mohm @ 3a,10v | 2.5V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | +20V,-12V | 1300 pf @ 30 V | - | 1.47W(TC) | ||||||||||
![]() | GSFC1208 | 0.3000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | P通道 | 20 v | 850mA(ta) | 1.8V,4.5V | 640MOHM @ 550mA,4.5V | 1V @ 250µA | 0.8 NC @ 4.5 V | ±8V | 58 pf @ 10 V | - | 690MW(TA) | ||||||||||
![]() | GSF0301 | 0.2600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-523 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 600mA(TC) | 2.5V,4.5V | 500mohm @ 300mA,4.5V | 1.2V @ 250µA | 5.2 NC @ 4.5 V | ±12V | 146 pf @ 15 V | - | 310MW(TC) | ||||||||||
![]() | GSFC0202 | 0.3200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 20 v | 1.45A(TA) | 1.2V,4.5V | 300mohm @ 500mA,4.5V | 1V @ 250µA | 2 NC @ 4.5 V | ±8V | 75 pf @ 10 V | - | 1W(ta) |
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