晶体管(225)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
GSF7002AT	0.2000	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-523	MOSFET（金属O化物）		SOT-523	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		N沟道	60V	115mA（塔）	5V、10V	7.5欧姆@500mA，10V	2.5V@250μA		±20V	50pF@25V	-	150毫W（塔）
2N7002K	0.1400	询价	22	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55℃～175℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		N沟道	60V	300mA（塔）	10V、5V	300毫欧@500毫安，4.5伏，600毫欧@300毫安，4.5伏	2.5V@250μA	0.4nC@4.5V	±20V	30pF@25V	-	430毫W
GSFP6886	0.8500	询价	3	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	MOSFET（金属O化物）	67W（温度）	8-PPAK (5.1x5.71)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000	2 N 沟道		65V	45A（温度）		13毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	26nC@10V		1890pF@30V	标准
GSBC847PN	0.2200	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363		200毫W	SC-88 (SC-70-6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000													45V	100毫安	15nA（ICBO）	NPN、PNP互补	600mV @ 5mA、100mA / 650mV @ 5mA、100mA	200 @ 2mA、5V、220 @2mA、5V	100兆赫兹
GSFT06130	2.8600	询价	1	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	800		P沟道	60V	140A（温度）	4.5V、10V	4.6毫欧@50A，10V	2.5V@250μA	420nC@10V	±20V	24000pF@25V	-	183W（温度）
GSFH5010	1.1278	询价	1	固锝半导体	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	50		N沟道	500V	9A（温度）	10V	800毫欧@4A，10V	4V@250μA	42nC@10V	±30V	1800pF@25V	-	89W（温度）
SSFQ4903	0.5800	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		P沟道	40V	10A（温度）	4.5V、10V	15毫欧@10A，10V	2.5V@250μA	40nC@4.5V	±20V	4000pF@25V	-	4.2W（温度）
BC807-40	0.1000	询价	4	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		300毫W	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000													45V	500毫安	100nA（ICBO）	国民党	700毫伏@50毫安，500毫安	100@100mA，1V	100兆赫兹
GSFU9006	3.4500	询价	1	固锝半导体	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	4786-GSFU9006	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	900伏	6A（Tj）	10V	750mOhm@3A，10V	3.9V@250μA	18.4nC@10V	±30V	1250pF@50V	-	32W（Tj）
SSF6092G1	0.4200	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55℃～150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		N沟道	60V	2.7A	10V	92毫欧@2.7A，10V	2.5V@250μA	12nC@10V	±20V	641pF@25V	-	1.25W
GSFC1208	0.3000	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	MOSFET（金属O化物）		SOT-323	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	3,000		P沟道	20V	850mA（塔）	1.8V、4.5V	640mOhm @ 550mA，4.5V	1V@250μA	0.8nC@4.5V	±8V	58pF@10V	-	690毫W（塔）
SSFQ3812	0.4100	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MOSFET（金属O化物）	2.1W（温度）	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000	2 N 沟道		30V	7.5A（温度）		20毫欧@6A，10V	2.5V@250μA	8nC@4.5V		500pF@25V	标准
GSFT1060	1.2900	询价	1	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	800		N沟道	100伏	60A（温度）	6V、10V	18毫欧@25A，10V	4V@250μA	70nC@10V	±20V	3300pF@50V	-	113W（温度）
SSFN3964	0.5400	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	MOSFET（金属O化物）		8-PPAK (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		N沟道	30V	64A（温度）	4.5V、10V	4.5毫欧@15A，10V	2.5V@250μA	70nC@10V	±20V	3800pF@15V	-	44.6W（温度）
SSF2429	0.4100	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		P沟道	20V	5A（塔）	2.5V、4.5V	35mOhm@5A，4.5V	1V@250μA	17nC@5V	±12V	1450pF@10V	-	1.4W（塔）
GSFQ2305	0.5000	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		P沟道	20V	11A（塔）	1.8V、10V	16毫欧@6A，4.5V	1V@250μA	40nC@4.5V	±10V	15V时为3370pF	-	2.5W（塔）
GSFQ6808	0.5800	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MOSFET（金属O化物）	1.47W（Ta）、3.6W（Tc）	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000	2 N 沟道		30V	5A（Ta）、10A（Tc）		34mOhm@10A，10V	2.5V@250μA	24nC@10V		1720pF@30V	标准
SSF6911S	0.3900	询价	5	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		P沟道	60V	2A（温度）	4.5V、10V	190毫欧@2A，10V	2.5V@250μA	12nC@10V	±20V	615pF@30V	-	1.56W（温度）
SSF2314	0.4000	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		N沟道	20V	5.8A（温度）	1.8V、4.5V	25毫欧@4A，4.5V	-	11nC@4.5V	±10V	775pF@10V	-	1.56W（温度）
GSFC0301	0.3900	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		P沟道	30V	4.1A（塔）	2.5V、10V	65mOhm@4A，10V	-	11nC@4.5V	±12V	1175pF@15V	-	1.56W（塔）
GSBCP56-16	0.4300	询价	5	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA		1.5W	SOT-223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	2,500人													80V	1A	100nA（ICBO）	NPN	500毫伏@50毫安，500毫安	63@150mA，2V	100兆赫兹
GSGQ6988	0.4500	询价	5	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		N沟道	65V	7.4A（塔）	4.5V、10V	16毫欧@3A，10V	2.5V@250μA	22nC@10V	+20V，-12V	1300pF@30V	-	1.47W（温度）
GSFP08130	1.3900	询价	3	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	MOSFET（金属O化物）		8-PPAK (5.1x5.71)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		N沟道	60V	130A（温度）	10V	3.5毫欧@20A，10V	4V@250μA	143nC@10V	+20V，-12V	8265pF@40V	-	142W（温度）
GSBC847BM	0.2000	询价	20	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883		250毫W	SOT-883	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	10,000													45V	100毫安	15nA（ICBO）	NPN	400毫伏@5毫安、100毫安	200@2mA，5V	100兆赫兹
PZT2907A	0.4000	询价	5	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA		1W	SOT-223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	2,500人													60V	600毫安	10nA（ICBO）	国民党	1.6V@50mA、500mA	100@150mA，10V	200兆赫
SSF2220Y	0.3700	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55℃～150℃	表面贴装	SOT-563、SOT-666	MOSFET（金属O化物）	312W（温度）	SOT-563	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000	2 N 沟道		20V	800mA（温度）		300毫欧@500毫安，4.5伏	1V@250μA	1nC@4.5V		75pF@10V	标准
BC847B	0.1000	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		350毫W	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	3,000													45V	100毫安	15nA（ICBO）	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	110@2mA，5V	300兆赫
GSFQ1504	0.9300	询价	3	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		N沟道	150伏	4A（塔）	10V	50mOhm@4A，10V	4V@250μA	23nC@10V	±20V	80V时为1620pF	-	2W（塔）
GSFW02009	0.2100	询价	19号	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	MOSFET（金属O化物）		SOT-883	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	10,000		P沟道	20V	850mA（塔）	1.8V、4.5V	640mOhm @ 550mA，4.5V	1V@250μA	0.8nC@4.5V	±12V	58pF@10V	-	690毫W（塔）
SSF1341	0.3800	询价	6	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55℃～150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	3,000		P沟道	12V	3.5A	2.5V、4.5V	50毫欧@3.5A，4.5V	1V@250μA	12nC@4.5V	±8V	1000pF@8V	-	1.25W

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(225)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²