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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
MMBT619 Good-Ark Semiconductor MMBT619 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 350兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 50 V 2 a 100NA（ICBO） NPN 220mv @ 100mA，2a 300 @ 200ma，2V 100MHz
GSFP10140 Good-Ark Semiconductor GSFP10140 1.7600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-ppak（5.1x5.71） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 n通道 100 v 140a（TC） 4.5V，10V 3.6mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 V ±20V 6000 pf @ 50 V - 192W（TC）
SSF2318E Good-Ark Semiconductor SSF2318E 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 n通道 20 v 6.5a 1.8V，4.5V 22mohm @ 6.5a，4.5V 1V @ 250µA 10 NC @ 4.5 V ±8V 1160 pf @ 10 V - 1.4W
GSFB0205 Good-Ark Semiconductor GSFB0205 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 1.25W（TA） 6-ppak（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 2个p通道 20V 4A（ta） 49mohm @ 1.5A，4.5V 1V @ 250µA 9NC @ 4.5V 810pf @ 10V 标准
GSFC0304 Good-Ark Semiconductor GSFC0304 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 n通道 30 V 5.3a（ta） 2.5V，4.5V 36mohm @ 4A，4.5V 900mv @ 250µA 12 nc @ 4.5 V ±12V 1000 pf @ 10 V - 1.56W（TA）
GSGT15140 Good-Ark Semiconductor GSGT15140 2.9400
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 800 n通道 150 v 140a（TC） 10V 7.2MOHM @ 70A，10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 V ±20V 5500 PF @ 75 V - 320W（TC）
SSFQ3805 Good-Ark Semiconductor SSFQ3805 0.7300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8.9W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 2个p通道 30V 18.4a（TC） 16mohm @ 8a，10v 2.5V @ 250µA 21nc @ 4.5V 2510pf @ 15V 标准
GSBC817-40 Good-Ark Semiconductor GSBC817-40 0.1300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 45 v 500 MA 100NA（ICBO） NPN 700mv @ 50mA，500mA 250 @ 100mA，1V 100MHz
GSFP06120 Good-Ark Semiconductor GSFP06120 1.0500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-ppak（5.1x5.71） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 n通道 65 v 120A（TC） 4.5V，10V 3.5MOHM @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 78 NC @ 10 V ±20V 3600 PF @ 30 V - 125W（TC）
GSF3407 Good-Ark Semiconductor GSF3407 0.3100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 P通道 30 V 4.1a（ta） 4.5V，10V 55MOHM @ 4.1A，10V 2.4V @ 250µA 6.8 NC @ 10 V ±20V 580 pf @ 15 V - 1.2W（TA）
GSFN2306 Good-Ark Semiconductor GSFN2306 0.5000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-ppak（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 n通道 20 v 65A（TC） 1.8V，4.5V 5.4mohm @ 20a，4.5V 1V @ 250µA 45 NC @ 4.5 V ±10V 2790 pf @ 10 V - 44.6W（TC）
GSFD1028 Good-Ark Semiconductor GSFD1028 4.0700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252（DPAK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 2,500 n通道 100 v 30A（TC） 4.5V，10V 21mohm @ 14a，10v 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 1030 pf @ 50 V - 53W（TC）
GSFP0380 Good-Ark Semiconductor GSFP0380 0.5900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-ppak（5.1x5.71） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 n通道 30 V 80A（TC） 4.5V，10V 5.5MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 11.1 NC @ 4.5 V ±20V 1210 pf @ 25 V - 74W（TC）
SSFB3910L Good-Ark Semiconductor SSFB3910L 0.4500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜150°C 表面安装 6-udfn暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 6-DFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 n通道 30 V 10a 4.5V，10V 13mohm @ 6a，10v 2.5V @ 250µA 7.4 NC @ 4.5 V ±20V 620 pf @ 25 V - 2.01W（TC）
GSFN0205 Good-Ark Semiconductor GSFN0205 0.5900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WFDFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 1.56W（TA） 6-DFN（2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 - 20V 5.5A（ta） 33MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 250µA 25nc @ 4.5V 2100pf @ 15V 标准
SSFQ3712 Good-Ark Semiconductor SSFQ3712 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道互补 30V 8A（TC），5.5A（TC） 20mohm @ 8a，10v，50mohm @ 5a，10v 2.5V @ 250µA 6NC @ 4.5V，7NC @ 4.5V 500pf @ 25V，810pf @ 15V 标准
GSFH0980 Good-Ark Semiconductor GSFH0980 2.1600
RFQ
 ECAD 989 0.00000000 好公园的半导体 - 管子 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 4786-GSFH0980 Ear99 8541.21.0080 50 n通道 100 v 150a（TC） 4.5V，10V 3.7MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 165 NC @ 10 V +20V，-12V 13300 PF @ 25 V - 275W（TC）
GSFN1036 Good-Ark Semiconductor GSFN1036 0.5800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-ppak（3.1x3.05） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 n通道 100 v 35A（TC） 10V 17.4mohm @ 15a，10v 4V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±20V 1300 pf @ 50 V - 52W（TC）
SSFB2309L Good-Ark Semiconductor SSFB2309L 0.5100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 6-DFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 P通道 20 v 8.5A（TC） 1.8V，4.5V 28mohm @ 4A，4.5V 1V @ 250µA 25 NC @ 4.5 V ±10V 2100 PF @ 15 V - 3.3W（TC）
SSF3913S Good-Ark Semiconductor SSF3913S 0.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 P通道 30 V 4A（TC） 4.5V，10V 75MOHM @ 4A，10V 2.2V @ 250µA 8 NC @ 4.5 V ±20V 810 pf @ 15 V - 1.56W（TC）
GSGN0648 Good-Ark Semiconductor GSGN0648 0.6300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET （金属 o化物） 8-ppak（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 n通道 65 v 48A（TC） 4.5V，10V 10.8mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA 30.6 NC @ 10 V +20V，-12V 1890 pf @ 30 V - 42W（TC）
GSFU6522 Good-Ark Semiconductor GSFU6522 2.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 好公园的半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 4786-GSFU6522 Ear99 8541.21.0080 50 n通道 650 v 20A（TC） 10V 190mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±30V 2100 PF @ 100 V - 45W（TC）
SSFK9120 Good-Ark Semiconductor SSFK9120 0.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET （金属 o化物） 275MW（TC） SC-88 （SC-70-6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 n和p通道互补 20V 800mA（TC），400mA （TC） 300MOHM @ 500mA，4.5V，600MOHM @ 300mA，4.5V 1V @ 250µA 2NC @ 4.5V 75pf @ 10v，78pf @ 10V 标准
SSF7320 Good-Ark Semiconductor SSF7320 0.3400
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜150°C 表面安装 SOT-723 MOSFET （金属 o化物） SOT-723 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 8,000 n通道 20 v 800mA（ta） 1.5V，4.5V 300mohm @ 500mA，4.5V 1.2V @ 250µA 1 NC @ 4.5 V ±12V 75 pf @ 10 V - 450MW
GSFC0306 Good-Ark Semiconductor GSFC0306 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 n通道 30 V 5.5A（TC） 4.5V，10V 25mohm @ 4A，10V 2.5V @ 250µA 7 NC @ 4.5 V ±20V 520 pf @ 15 V - 1.56W（TC）
SSFP4960 Good-Ark Semiconductor SSFP4960 0.9100
RFQ
 ECAD 1662 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-ppak（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6,000 n通道 40 V 100A（TC） 4.5V，10V 2.8mohm @ 25a，10v 2.5V @ 250µA 80 NC @ 4.5 V ±20V 7800 PF @ 25 V - 135W（TC）
SSF2319CJ1 Good-Ark Semiconductor SSF2319CJ1 0.2600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜150°C 表面安装 SOT-523 MOSFET （金属 o化物） SOT-523 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 P通道 20 v 450mA（TC） 1.2V，4.5V 600MOHM @ 300mA，4.5V 1V @ 250µA 1 NC @ 4.5 V ±8V 40 pf @ 10 V - 312MW
SSF2219Y Good-Ark Semiconductor SSF2219Y 0.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 MOSFET （金属 o化物） 312MW（TC） SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 2个p通道 20V 400mA（TC） 600MOHM @ 300mA，4.5V 1V @ 250µA 2NC @ 4.5V 78pf @ 10V 标准
MMBT2907A Good-Ark Semiconductor MMBT2907A 0.1200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 250兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 60 V 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50mA，500mA 100 @ 150mA，10V 200MHz
GSFP1526 Good-Ark Semiconductor GSFP1526 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-ppak（5.1x5.71） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 n通道 150 v 25A（TC） 10V 51MOHM @ 20A，10V 4V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±20V 1620 PF @ 80 V - 101W（TC）
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