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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GSGT15140 | 2.9400 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 800 | n通道 | 150 v | 140a(TC) | 10V | 7.2MOHM @ 70A,10V | 4V @ 250µA | 74 NC @ 10 V | ±20V | 5500 PF @ 75 V | - | 320W(TC) | |||||||||||
![]() | MMBT619 | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 50 V | 2 a | 100NA(ICBO) | NPN | 220mv @ 100mA,2a | 300 @ 200ma,2V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | GSFH0980 | 2.1600 | ![]() | 989 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-GSFH0980 | Ear99 | 8541.21.0080 | 50 | n通道 | 100 v | 150a(TC) | 4.5V,10V | 3.7MOHM @ 20A,10V | 2.5V @ 250µA | 165 NC @ 10 V | +20V,-12V | 13300 PF @ 25 V | - | 275W(TC) | ||||||||||
![]() | GSFK0300 | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET (金属 o化物) | 275MW(TC) | SC-88 (SC-70-6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 30V | 800mA(TC) | 450MOHM @ 300mA,4.5V | 1.2V @ 250µA | 5.2nc @ 4.5V | 146pf @ 15V | 标准 | |||||||||||||
![]() | GSFD0460 | 0.7300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n通道 | 40 V | 60a(TC) | 4.5V,10V | 6.7MOHM @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 32 NC @ 4.5 V | ±20V | 2500 PF @ 25 V | - | 62W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFU6522 | 2.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-GSFU6522 | Ear99 | 8541.21.0080 | 50 | n通道 | 650 v | 20A(TC) | 10V | 190mohm @ 10a,10v | 4V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ±30V | 2100 PF @ 100 V | - | 45W(TC) | ||||||||||
![]() | GSGN0648 | 0.6300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 65 v | 48A(TC) | 4.5V,10V | 10.8mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 30.6 NC @ 10 V | +20V,-12V | 1890 pf @ 30 V | - | 42W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFN0345 | 0.5400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 45A(TC) | 4.5V,10V | 10mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±20V | 3000 pf @ 15 V | - | 46W(TC) | |||||||||||
![]() | GSBCX53-16 | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 500兆 | SOT-89-3L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 1,000 | 80 V | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 50mA,500mA | 63 @ 150mA,2V | 50MHz | |||||||||||||||
![]() | GSFP3984 | 0.8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5.1x5.71) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 150a(TC) | 4.5V,10V | 2.4mohm @ 30a,10v | 2.5V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 7600 PF @ 15 V | - | 122W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFD0650 | 0.6600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n通道 | 65 v | 50A(TC) | 4.5V,10V | 8.8mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 1210 PF @ 30 V | - | 53W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFD0982 | 0.8500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n通道 | 100 v | 50A(TC) | 4.5V,10V | 10.8mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ±20V | 2145 PF @ 50 V | - | 78W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFP06120 | 1.0500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5.1x5.71) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 65 v | 120A(TC) | 4.5V,10V | 3.5MOHM @ 30a,10v | 2.5V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ±20V | 3600 PF @ 30 V | - | 125W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFN0982 | 0.8900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 100 v | 48A(TC) | 4.5V,10V | 13.6mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 3280 pf @ 50 V | - | 61W(TC) | |||||||||||
![]() | BSS84AKW | 0.1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 300mA(TA) | 4.5V,10V | 4ohm @ 300mA,10v | 2V @ 250µA | ±20V | 41 pf @ 25 V | - | 270MW(TA) | ||||||||||||
![]() | PZT2222A | 0.4000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 1 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | 40 V | 600 MA | 10NA | NPN | 300mv @ 15mA,150mA | 100 @ 150mA,10V | 300MHz | |||||||||||||||
![]() | MMBTA06 | 0.2100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 80 V | 500 MA | 100NA | NPN | 250mv @ 10mA,100mA | 100 @ 100mA,1V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | MMBT4401 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 40 V | 600 MA | 100NA | NPN | 1.2V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,1V | 250MHz | |||||||||||||||
![]() | BC856B | 0.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 65 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 125 @ 2mA,5V | 150MHz | |||||||||||||||
![]() | MMBTA42 | 0.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 300 v | 300 MA | 250NA(ICBO) | NPN | 200mv @ 2mA,20mA | 100 @ 10mA,10v | 50MHz | |||||||||||||||
![]() | SSF3912 | 0.4600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 6.5A(TC) | 4.5V,10V | 24mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 8 NC @ 4.5 V | ±20V | 500 pf @ 25 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFP0356 | 0.4500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 55A(TC) | 4.5V,10V | 7.9MOHM @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1350 pf @ 15 V | - | 47W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFC0304 | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 5.3a(ta) | 2.5V,4.5V | 36mohm @ 4A,4.5V | 900mv @ 250µA | 12 nc @ 4.5 V | ±12V | 1000 pf @ 10 V | - | 1.56W(TA) | |||||||||||
![]() | GSFC0306 | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 5.5A(TC) | 4.5V,10V | 25mohm @ 4A,10V | 2.5V @ 250µA | 7 NC @ 4.5 V | ±20V | 520 pf @ 15 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||
![]() | SSFB3910L | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | 6-DFN(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 10a | 4.5V,10V | 13mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 7.4 NC @ 4.5 V | ±20V | 620 pf @ 25 V | - | 2.01W(TC) | |||||||||||
![]() | GSF0500AT | 0.2300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-523 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 50 V | 360ma(ta) | 2.5V,10V | 1.6ohm @ 500mA,10v | 1.5V @ 250µA | 4.7 NC @ 10 V | ±20V | 27 PF @ 25 V | - | 150MW(TA) | |||||||||||
![]() | GSFN1036 | 0.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3.1x3.05) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 100 v | 35A(TC) | 10V | 17.4mohm @ 15a,10v | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 50 V | - | 52W(TC) | |||||||||||
![]() | SSFP6904 | 0.6600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 60 V | 50A(TC) | 4.5V,10V | 12mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 59 NC @ 10 V | ±20V | 3050 pf @ 25 V | - | 96W(TC) | |||||||||||
![]() | SSF02N15 | 0.4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 150 v | 1.4A(TC) | 6V,10V | 480MOHM @ 1A,10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±20V | 700 pf @ 25 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||
![]() | GSBCP69-16 | 0.4000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 1 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 4,000 | 20 v | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 100mA,1a | 100 @ 10mA,1.8V | 40MHz |
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