电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GSFL1004 | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 100 v | 3A(TC) | 4.5V,10V | 185mohm @ 2a,10v | 2.5V @ 250µA | 21 NC @ 10 V | ±20V | 1190 pf @ 50 V | - | 1.78W(TC) | |||||||||||
![]() | SSFN3907 | 0.5900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 30A(TC) | 4.5V,10V | 18mohm @ 8a,10v | 2.5V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 V | ±20V | 2500 pf @ 15 V | - | 27W(TC) | |||||||||||
![]() | MMBT596-DV4 | 0.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 200兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 25 v | 700 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 600mv @ 70mA,700mA | 110 @ 100mA,1V | 170MHz | |||||||||||||||
![]() | PZT2222A | 0.4000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 1 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | 40 V | 600 MA | 10NA | NPN | 300mv @ 15mA,150mA | 100 @ 150mA,10V | 300MHz | |||||||||||||||
![]() | GSFH9506 | 2.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-GSFH9506 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 950 v | 5A(TJ) | 10V | 1.2OHM @ 2A,10V | 3.9V @ 250µA | 14.9 NC @ 10 V | ±30V | 878 PF @ 50 V | - | 83W(TJ) | ||||||||||
![]() | BSS84AKW | 0.1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 300mA(TA) | 4.5V,10V | 4ohm @ 300mA,10v | 2V @ 250µA | ±20V | 41 pf @ 25 V | - | 270MW(TA) | ||||||||||||
![]() | GSF0500AT | 0.2300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-523 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 50 V | 360ma(ta) | 2.5V,10V | 1.6ohm @ 500mA,10v | 1.5V @ 250µA | 4.7 NC @ 10 V | ±20V | 27 PF @ 25 V | - | 150MW(TA) | |||||||||||
![]() | SSF02N15 | 0.4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 150 v | 1.4A(TC) | 6V,10V | 480MOHM @ 1A,10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±20V | 700 pf @ 25 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFN3906 | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 60a(TC) | 4.5V,10V | 6mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 V | ±20V | 1800 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | |||||||||||
![]() | GSBCX53-16 | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 500兆 | SOT-89-3L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 1,000 | 80 V | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 50mA,500mA | 63 @ 150mA,2V | 50MHz | |||||||||||||||
![]() | SSFQ3905 | 0.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 10a | 4.5V,10V | 15.5MOHM @ 8A,10V | 2.5V @ 250µA | 14.6 NC @ 4.5 V | ±20V | 1730 pf @ 15 V | - | 2.5W | |||||||||||
![]() | GSBC817-25 | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 700mv @ 50mA,500mA | 160 @ 100mA,1V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | GSFN0982 | 0.8900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 100 v | 48A(TC) | 4.5V,10V | 13.6mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 3280 pf @ 50 V | - | 61W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFR0603 | 0.4900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 60 V | 3.3a(ta) | 4.5V,10V | 96mohm @ 2a,10v | 2.5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 1080 pf @ 30 V | - | 2W(TA) | |||||||||||
![]() | GSFD0982 | 0.8500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n通道 | 100 v | 50A(TC) | 4.5V,10V | 10.8mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ±20V | 2145 PF @ 50 V | - | 78W(TC) | |||||||||||
![]() | SSF2318E | 0.3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 20 v | 6.5a | 1.8V,4.5V | 22mohm @ 6.5a,4.5V | 1V @ 250µA | 10 NC @ 4.5 V | ±8V | 1160 pf @ 10 V | - | 1.4W | |||||||||||
![]() | MMBT4401 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 40 V | 600 MA | 100NA | NPN | 1.2V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,1V | 250MHz | |||||||||||||||
![]() | MMBT619 | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 50 V | 2 a | 100NA(ICBO) | NPN | 220mv @ 100mA,2a | 300 @ 200ma,2V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | SSFD6909 | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | P通道 | 60 V | 10A(TC) | 4.5V,10V | 105mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 30 V | - | 32W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFC0304 | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 5.3a(ta) | 2.5V,4.5V | 36mohm @ 4A,4.5V | 900mv @ 250µA | 12 nc @ 4.5 V | ±12V | 1000 pf @ 10 V | - | 1.56W(TA) | |||||||||||
![]() | GSFB0205 | 0.4400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | 1.25W(TA) | 6-ppak(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2个p通道 | 20V | 4A(ta) | 49mohm @ 1.5A,4.5V | 1V @ 250µA | 9NC @ 4.5V | 810pf @ 10V | 标准 | |||||||||||||
![]() | GSGT15140 | 2.9400 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 800 | n通道 | 150 v | 140a(TC) | 10V | 7.2MOHM @ 70A,10V | 4V @ 250µA | 74 NC @ 10 V | ±20V | 5500 PF @ 75 V | - | 320W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFP10140 | 1.7600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5.1x5.71) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 100 v | 140a(TC) | 4.5V,10V | 3.6mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ±20V | 6000 pf @ 50 V | - | 192W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFN0345 | 0.5400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 45A(TC) | 4.5V,10V | 10mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±20V | 3000 pf @ 15 V | - | 46W(TC) | |||||||||||
![]() | SSF6670 | 0.4100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜175°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 2.4W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 4,000 | 2 n通道 | 60V | 3.5a | 90MOHM @ 3A,10V | 3V @ 250µA | 7NC @ 4.5V | 500pf @ 25V | 标准 | |||||||||||||
![]() | GSFH06100 | 1.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-GSFH06100 | Ear99 | 8541.21.0080 | 50 | n通道 | 60 V | 100A(TC) | 10V | 6.5MOHM @ 40a,10v | 4V @ 250µA | 85 NC @ 10 V | ±20V | 4800 PF @ 30 V | - | 170W(TC) | ||||||||||
![]() | GSFP0356 | 0.4500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 55A(TC) | 4.5V,10V | 7.9MOHM @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1350 pf @ 15 V | - | 47W(TC) | |||||||||||
![]() | MMBT5551 | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 160 v | 600 MA | 50NA(iCBO) | NPN | 200mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,5v | 300MHz | |||||||||||||||
![]() | SSFN3903 | 0.6300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 50a | 4.5V,10V | 8.5mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 35 NC @ 4.5 V | ±20V | 3300 PF @ 15 V | - | 2.2W(TA),59W(tc) | |||||||||||
![]() | MMDT3904 | 0.2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200MW | SC-88 (SC-70-6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 40V | 200mA | 50NA | 2 NPN | 300mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库