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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S3134K | 0.2200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-723 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-723 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 8,000 | n通道 | 20 v | 750mA(TA) | 1.8V,4.5V | 380MOHM @ 650mA,4.5V | 1.1V @ 250µA | ±12V | 120 pf @ 16 V | - | 150MW(TA) | |||||||||||
![]() | GSFD0646 | 0.7000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n通道 | 60 V | 45A(TC) | 4.5V,10V | 12mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 59 NC @ 10 V | ±20V | 3050 pf @ 25 V | - | 63W(TC) | ||||||||||
![]() | MMBTA92 | 0.2000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 300 v | 200 ma | 250NA(ICBO) | PNP | 200mv @ 2mA,20mA | 100 @ 10mA,10v | 50MHz | ||||||||||||||
![]() | BC856 | 0.1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200MW | SC-88 (SC-70-6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 65V | 100mA | 15NA(icbo) | 2 PNP | 300mv @ 5mA,100mA | 110 @ 2mA,5V | 100MHz | ||||||||||||||
![]() | MMBT3906 | 0.1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 200兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 40 V | 200 ma | 100NA | PNP | 300mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz | ||||||||||||||
![]() | SSF3611E | 0.5300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 4,000 | P通道 | 30 V | 12A(TC) | 4.5V,10V | 13mohm @ 10a,10v | 2V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 3224 pf @ 15 V | - | 2W(TC) | ||||||||||
![]() | SSFN3903 | 0.6300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 50a | 4.5V,10V | 8.5mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 35 NC @ 4.5 V | ±20V | 3300 PF @ 15 V | - | 2.2W(TA),59W(tc) | ||||||||||
![]() | SSFB2309L | 0.5100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | 6-DFN(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 20 v | 8.5A(TC) | 1.8V,4.5V | 28mohm @ 4A,4.5V | 1V @ 250µA | 25 NC @ 4.5 V | ±10V | 2100 PF @ 15 V | - | 3.3W(TC) | ||||||||||
![]() | MMBT5551 | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 160 v | 600 MA | 50NA(iCBO) | NPN | 200mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,5v | 300MHz | ||||||||||||||
![]() | SSFQ3712 | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 2.5W(TC) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道互补 | 30V | 8A(TC),5.5A(TC) | 20mohm @ 8a,10v,50mohm @ 5a,10v | 2.5V @ 250µA | 6NC @ 4.5V,7NC @ 4.5V | 500pf @ 25V,810pf @ 15V | 标准 | ||||||||||||
![]() | SSF6912 | 0.4300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 60 V | 2.9a(ta) | 4.5V,10V | 75MOHM @ 2A,10V | 2.5V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 725 PF @ 15 V | - | 1W(ta) | ||||||||||
![]() | SSF3912 | 0.4600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 6.5A(TC) | 4.5V,10V | 24mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 8 NC @ 4.5 V | ±20V | 500 pf @ 25 V | - | 1.56W(TC) | ||||||||||
![]() | GSFP0356 | 0.4500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 55A(TC) | 4.5V,10V | 7.9MOHM @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1350 pf @ 15 V | - | 47W(TC) | ||||||||||
![]() | GSFC0304 | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 5.3a(ta) | 2.5V,4.5V | 36mohm @ 4A,4.5V | 900mv @ 250µA | 12 nc @ 4.5 V | ±12V | 1000 pf @ 10 V | - | 1.56W(TA) | ||||||||||
![]() | GSFC0306 | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 5.5A(TC) | 4.5V,10V | 25mohm @ 4A,10V | 2.5V @ 250µA | 7 NC @ 4.5 V | ±20V | 520 pf @ 15 V | - | 1.56W(TC) | ||||||||||
![]() | SSFB3910L | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | 6-DFN(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 10a | 4.5V,10V | 13mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 7.4 NC @ 4.5 V | ±20V | 620 pf @ 25 V | - | 2.01W(TC) | ||||||||||
![]() | GSF0500AT | 0.2300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-523 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 50 V | 360ma(ta) | 2.5V,10V | 1.6ohm @ 500mA,10v | 1.5V @ 250µA | 4.7 NC @ 10 V | ±20V | 27 PF @ 25 V | - | 150MW(TA) | ||||||||||
![]() | GSFN1036 | 0.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3.1x3.05) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 100 v | 35A(TC) | 10V | 17.4mohm @ 15a,10v | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 50 V | - | 52W(TC) | ||||||||||
![]() | SSFP6904 | 0.6600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 60 V | 50A(TC) | 4.5V,10V | 12mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 59 NC @ 10 V | ±20V | 3050 pf @ 25 V | - | 96W(TC) | ||||||||||
![]() | SSF02N15 | 0.4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 150 v | 1.4A(TC) | 6V,10V | 480MOHM @ 1A,10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±20V | 700 pf @ 25 V | - | 1.56W(TC) | ||||||||||
![]() | GSBCP69-16 | 0.4000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 1 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 4,000 | 20 v | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 100mA,1a | 100 @ 10mA,1.8V | 40MHz | ||||||||||||||
![]() | GSFK3420 | 0.3800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET (金属 o化物) | 275MW(TC) | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n和p通道互补 | 30V | 800mA(TC),400mA (TC) | 450MOHM @ 300mA,4.5V,1 OHM @ 300mA,4.5V | 1.2V @ 250µA | 5.2nc @ 4.5V,6.2nc @ 4.5V | 146pf @ 15V | 标准 | ||||||||||||
![]() | SSF3913S | 0.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 4A(TC) | 4.5V,10V | 75MOHM @ 4A,10V | 2.2V @ 250µA | 8 NC @ 4.5 V | ±20V | 810 pf @ 15 V | - | 1.56W(TC) | ||||||||||
![]() | SSF7320 | 0.3400 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOT-723 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-723 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 8,000 | n通道 | 20 v | 800mA(ta) | 1.5V,4.5V | 300mohm @ 500mA,4.5V | 1.2V @ 250µA | 1 NC @ 4.5 V | ±12V | 75 pf @ 10 V | - | 450MW | ||||||||||
![]() | SSFD6909 | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | P通道 | 60 V | 10A(TC) | 4.5V,10V | 105mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 30 V | - | 32W(TC) | ||||||||||
![]() | SSFQ3805 | 0.7300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8.9W(TC) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2个p通道 | 30V | 18.4a(TC) | 16mohm @ 8a,10v | 2.5V @ 250µA | 21nc @ 4.5V | 2510pf @ 15V | 标准 | ||||||||||||
![]() | SSFD6035 | 0.7200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | P通道 | 60 V | 26a(26a) | 4.5V,10V | 40mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ±20V | 3060 pf @ 30 V | - | 60W(TA) | ||||||||||
![]() | SSFK9120 | 0.4700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET (金属 o化物) | 275MW(TC) | SC-88 (SC-70-6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n和p通道互补 | 20V | 800mA(TC),400mA (TC) | 300MOHM @ 500mA,4.5V,600MOHM @ 300mA,4.5V | 1V @ 250µA | 2NC @ 4.5V | 75pf @ 10v,78pf @ 10V | 标准 | ||||||||||||
![]() | SSFT04N15 | 0.5000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n通道 | 150 v | 4A(ta) | 10V | 160MOHM @ 4A,10V | 2.5V @ 250µA | 19 nc @ 10 V | ±20V | 900 pf @ 25 V | - | - | ||||||||||
![]() | GSBC817-40 | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 700mv @ 50mA,500mA | 250 @ 100mA,1V | 100MHz |
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