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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SSF0910 | 0.3800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 100 v | 2A(TC) | 4.5V,10V | 200mohm @ 2a,10v | 2.5V @ 250µA | 21 NC @ 10 V | ±20V | 1190 pf @ 50 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||
![]() | GSF2301 | 0.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 20 v | 3A(3A) | 2.5V,4.5V | 110MOHM @ 3A,4.5V | 1V @ 250µA | 12 nc @ 2.5 V | ±12V | 405 pf @ 10 V | - | 1W(ta) | |||||||||||
![]() | SSFQ3903 | 0.5900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 13A(TC) | 4.5V,10V | 9.5mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 56 NC @ 4.5 V | ±20V | 4800 PF @ 15 V | - | 4.2W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFC0603 | 0.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 60 V | 3A(3A) | 4.5V,10V | 95MOHM @ 2A,10V | 2.5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 1178 PF @ 30 V | - | 1.56W(TA) | |||||||||||
![]() | GSFP1040 | 0.6600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5.1x5.71) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 100 v | 40a(TC) | 10V | 18mohm @ 15a,10v | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 50 V | - | 83W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFD1550 | 1.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n通道 | 150 v | 50A(TC) | 10V | 22mohm @ 25a,10v | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 3450 PF @ 75 V | - | 133W(TC) | |||||||||||
![]() | SSFU6511 | 1.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-SSFU6511 | Ear99 | 8541.21.0080 | 50 | n通道 | 650 v | 11.5A(TC) | 10V | 360MOHM @ 7A,10V | 4V @ 250µA | 19 nc @ 10 V | ±30V | 870 pf @ 50 V | - | 32.6W(TC) | ||||||||||
![]() | GSFP1080 | 1.1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(4.9x5.75) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 5,000 | n通道 | 100 v | 80a(ta) | 10V | 7mohm @ 40a,10v | 4V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ±20V | 3070 pf @ 50 V | - | 105W(TA) | |||||||||||
![]() | SSFQ6810 | 0.5100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 2.1W(TC) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 60V | 5A(TC) | 54mohm @ 5A,10V | 2.5V @ 250µA | 21NC @ 10V | 1300pf @ 25V | 标准 | |||||||||||||
![]() | SSFL0954 | 0.4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 100 v | 1.7A(TC) | 4.5V,10V | 310MOHM @ 1A,10V | 2.5V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 800 pf @ 25 V | - | 1.76W(TC) | |||||||||||
![]() | GSFN0988 | 0.5400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 100 v | 16A(TC) | 4.5V,10V | 38mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | +20V,-12V | 740 pf @ 20 V | - | 32.5W(TC) | |||||||||||
![]() | SSFN2603 | 0.5800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 20 v | 60a(TC) | 1.8V,4.5V | 8MOHM @ 8A,4.5V | 1V @ 250µA | 80 NC @ 4.5 V | ±12V | 8000 F @ 15 V | - | 62.5W(TC) | |||||||||||
![]() | SSF6909 | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 60 V | 3.2A(ta) | 4.5V,10V | 105mohm @ 3a,10v | - | 15 NC @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 30 V | - | 2W(TA) | |||||||||||
![]() | SSFH6538 | 2.9500 | ![]() | 991 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-SSFH6538 | Ear99 | 8541.21.0080 | 500 | n通道 | 650 v | 38A(TC) | 10V | 99mohm @ 19a,10v | 4V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±30V | 3200 PF @ 50 V | - | 322W(TC) | ||||||||||
![]() | SSFQ6907 | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 60 V | 5A(TC) | 4.5V,10V | 72MOHM @ 3A,10V | 3V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1260 pf @ 30 V | - | 4W(TC) | |||||||||||
![]() | SSF8970 | 2.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-SSF8970 | Ear99 | 8541.21.0080 | 50 | n通道 | 80 V | 200a(TC) | 10V | 2.6mohm @ 20a,10v | 3.5V @ 250µA | 360 NC @ 10 V | ±20V | 23000 PF @ 30 V | - | 208W(TC) | ||||||||||
![]() | SSFQ3910 | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 10A(TC) | 4.5V,10V | 12mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 4.5 V | ±20V | 900 pf @ 25 V | - | 2.1W(TC) | |||||||||||
![]() | SSFQ4810 | 0.5300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 2W(TA) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 40V | 8a(8a) | 18mohm @ 8a,10v | 2.5V @ 250µA | 21.6nc @ 10V | 1450pf @ 25V | 标准 | |||||||||||||
![]() | SSF2320Y | 0.2600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOT-523 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 20 v | 800mA(TC) | 1.2V,4.5V | 300mohm @ 500mA,4.5V | 1V @ 250µA | 1 NC @ 4.5 V | ±8V | 75 pf @ 10 V | - | 312MW(TC) | |||||||||||
![]() | BSS138 | 0.1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜175°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 50 V | 220mA(TJ) | 4.5V,10V | 3.5OHM @ 220mA,10V | 1.5V @ 250µA | 2.4 NC @ 10 V | ±20V | 30 pf @ 25 V | - | 430MW | |||||||||||
![]() | SSF3402 | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 5A(5A) | 4.5V,10V | 30mohm @ 5a,10v | 2.5V @ 250µA | 15 NC @ 4.5 V | ±20V | 1050 pf @ 25 V | - | 1.38W(TA) | |||||||||||
![]() | GSFP03602 | 0.7400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 52W(TC) | 8-ppak(5x5.8) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 5,000 | 2 n通道 | 30V | 60a(TC) | 7mohm @ 30a,10v | 2.5V @ 250µA | 23.5nc @ 10V | 1335pf @ 15V | 标准 | |||||||||||||
![]() | SSFB12N05 | 0.4700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | 1.9W(TA) | 6-DFN(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 4,000 | n和p通道互补 | 12V | 5A(5A) | 32MOHM @ 5A,4.5V,74MOHM @ 4.5A,4.5V | 1V @ 250µA | 6.6nc @ 4.5V,9.2NC @ 4.5V | 495pf @ 6v,520pf @ 6v | 标准 | |||||||||||||
![]() | SSF2341E | 0.4000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 20 v | 4A(TC) | 1.8V,4.5V | 43mohm @ 4A,4.5V | 1V @ 250µA | 10 NC @ 4.5 V | ±8V | 939 PF @ 10 V | - | 1.4W | |||||||||||
![]() | GSFW0202 | 0.2200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-883 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 10,000 | n通道 | 20 v | 1.4a(ta) | 1.8V,4.5V | 230MOHM @ 550mA,4.5V | 1V @ 250µA | 2 NC @ 4.5 V | ±8V | 43 pf @ 10 V | - | 700MW(TA) | |||||||||||
![]() | GSFK0502 | 0.3800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET (金属 o化物) | 900MW(TA) | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 50V | 300mA(TA) | 4ohm @ 300mA,10v | 1.5V @ 250µA | 0.58NC @ 4.5V | 12pf @ 30V | 标准 | |||||||||||||
![]() | SSFP3806 | 0.8100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 46W(TC) | 8-ppak(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 30V | 40a(TC) | 6.5MOHM @ 20A,10V | 2.5V @ 250µA | 22nc @ 4.5V | 1750pf @ 25V | 标准 | |||||||||||||
![]() | GSFD8005 | 0.8100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n通道 | 800 v | 5.5A(TC) | 10V | 2.7OHM @ 2.5A,10V | 4V @ 250µA | 15.16 NC @ 10 V | ±30V | 678 PF @ 25 V | - | 132W(TC) | |||||||||||
![]() | 2n2222a | 1.9700 | ![]() | 696 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 500兆 | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-2N2222A | Ear99 | 8541.21.0095 | 500 | 40 V | 800 MA | 10NA | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 300MHz | ||||||||||||||
![]() | GSF0304 | 0.3500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 4.1a(ta) | 4.5V,10V | 65mohm @ 4.1A,10V | 2.1V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | 650 pf @ 15 V | - | 1.4W(TA) |
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