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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
RM4606S8 Rectron USA RM4606S8 0.1100
RFQ
 ECAD 4982 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RM4606 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM4606S8TR 8541.10.0080 40,000 n和p通道 30V 6.5a（6），7a ta（7a ta） 30mohm @ 6a，10v，33mohm @ 6.5a，10v 3V @ 250µA，2.5V @ 250µA 13nc @ 10v，9.2nc @ 10V 255pf @ 15V，520pf @ 15V -
RMA4N60092 Rectron USA RMA4N60092 0.1400
RFQ
 ECAD 9871 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） MOSFET （金属 o化物） 到92 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RMA4N60092TR 8541.10.0080 10,000 n通道 600 v 400mA（TC） 10V 8.5ohm @ 200mA，10v 5V @ 250µA ±30V 130 pf @ 25 V - 2.5W（TC）
RM2333 Rectron USA RM2333 0.0520
RFQ
 ECAD 7834 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM2333Tr 8541.10.0080 30,000 P通道 12 v 6a（6a） 2.5V，4.5V 30mohm @ 6a，4.5V 1V @ 250µA ±12V 1100 pf @ 6 V - 1.8W（TA）
2N7002KS6 Rectron USA 2n7002ks6 0.0430
RFQ
 ECAD 6245 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 350MW（TA） SOT-363-6L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-2N7002KS6TR 8541.10.0080 30,000 2 n 通道（双） 60V 250mA（ta） 5ohm @ 500mA，10v 1.9V @ 250µA - - -
RM4077S8 Rectron USA RM4077S8 0.2600
RFQ
 ECAD 3036 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RM4077 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM4077S8TR 8541.10.0080 40,000 n和p通道 40V 6.7A（TC），7.2a tc） 32MOHM @ 5A，10V，40MOHM @ 4A，10V 2.5V @ 250µA 5.6nc @ 4.5V，16NC @ 4.5V 800pf @ 15V，1600pf @ 15V -
RM40N40D3 Rectron USA RM40N40D3 0.1540
RFQ
 ECAD 5285 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN-EP（3x3） - rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM40N40D3TR 8541.10.0080 25,000 n通道 40 V 40a（TC） 4.5V，10V 7.5mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 2229 PF @ 20 V - 27W（TC）
RM80N80T2 Rectron USA RM80N80T2 0.5200
RFQ
 ECAD 3910 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM80N80T2 8541.10.0080 5,000 n通道 80 V 80a（ta） 10V 8.5mohm @ 40a，10v 4V @ 250µA ±20V 4100 PF @ 25 V - 170W（TA）
RM2004NE Rectron USA RM2004NE 0.0900
RFQ
 ECAD 9814 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 RM2004 MOSFET （金属 o化物） 1.25W（TA） SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM2004NETR 8541.10.0080 30,000 2 n 通道（双） 20V 6a（6a） 24mohm @ 6a，10v 1V @ 250µA 8NC @ 4.5V 650pf @ 10V -
RM8N700IP Rectron USA RM8N700IP 0.4700
RFQ
 ECAD 6594 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK MOSFET （金属 o化物） TO-251 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM8N700IP 8541.10.0080 4,000 n通道 700 v 8A（TC） 10V 600MOHM @ 4A，10V 4V @ 250µA ±30V 590 pf @ 50 V - 69W（TC）
RM35P30LDV Rectron USA RM35P30LDV 0.1980
RFQ
 ECAD 8698 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 - rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM35P30LDVTR 8541.10.0080 25,000 P通道 30 V 35A（TC） 4.5V，10V 20mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 1345 PF @ 15 V - 40W（TC）
RM40P40LD Rectron USA RM40P40LD 0.2600
RFQ
 ECAD 1155 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM40P40LDTR 8541.10.0080 25,000 P通道 40 V 40a（TC） 10V 14mohm @ 12a，10v 3V @ 250µA ±20V 2960 pf @ 20 V - 80W（TC）
RM8N650T2 Rectron USA RM8N650T2 0.5200
RFQ
 ECAD 8364 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM8N650T2 8541.10.0080 5,000 n通道 650 v 8A（TC） 10V 450MOHM @ 4A，10V 3.5V @ 250µA ±30V 680 pf @ 50 V - 80W（TC）
RM17N800TI Rectron USA RM17N800TI 1.5300
RFQ
 ECAD 5642 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM17N800TI 8541.10.0080 5,000 n通道 800 v 17a（TC） 10V 320MOHM @ 8.5A，10V 4V @ 250µA ±30V 2060 pf @ 50 V - 35W（TC）
RM1505S Rectron USA RM1505S 0.3900
RFQ
 ECAD 3397 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM1505STR 8541.10.0080 40,000 n通道 150 v 5.1a（ta） 10V 65mohm @ 5.1A，10V 4.5V @ 250µA ±20V 730 PF @ 75 V - （3W）（5W）（5W tc）
BSS127 Rectron USA BSS127 0.0390
RFQ
 ECAD 5738 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-BSS127TR 8541.10.0080 30,000 n通道 600 v 21ma（ta） 4.5V，10V 500ohm @ 16mA，10v 2.6V @ 8µA ±20V 28 PF @ 25 V - 500MW（TA）
RM20N650TI Rectron USA RM20N650TI 1.0400
RFQ
 ECAD 3696 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM20N650TI 8541.10.0080 5,000 n通道 650 v 20A（TC） 10V 210mohm @ 10a，10v 5V @ 250µA ±30V 2600 PF @ 50 V - 33W（TC）
RM12N650LD Rectron USA RM12N650LD 0.5400
RFQ
 ECAD 1516年 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM12N650LDTR 8541.10.0080 25,000 n通道 650 v 11.5A（TC） 10V 360MOHM @ 7A，10V 4V @ 250µA ±30V 870 pf @ 50 V - 101W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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